東吳證券研究所東吳證券研究所原理：三五族化合物主導，實現光電信號轉換光芯片為激光器、測核心組成激光應用廣泛其工賴于激光器與探測器益于向好單性能量密度，光僅光通信工制等統域應廣，在D感、載激光雷等型域益及激的出賴光據益質同激器可分氣激激光與態光半導激器固激器的型形態；光接則賴探測，又稱光二極。激光器探測器的核心成部分為光芯片光芯核心功能光電信轉光片主包激器片探測芯激器應用半體光實現信號向光號轉將號蘊的息過光出探器片在器中可或缺，現信向信的轉。圖1：激光器芯片、探測器芯片在半導體中所處范疇半導體分立器O集成）（DS)光電件（）（Senors)數字電路（Digtal)模擬電路（Anaog)（A/DD/A)二級管發光二管微元件電源管芯片三級管激光器片存儲器運算放器探測片穩壓器光電耦器其他通模擬芯數據來源：長光華芯招股說明書、源杰科技招股說明書、激光器芯片工作原理：電勵為浦源，半導體為增介，輸出激光激光的發出有賴于浦增益介質諧振腔三部件激的出要界提供能量泵（稱源負向益質的粒提能見泵浦式有電泵學浦泵浦益質來供向能躍的子常用料有氖氣有染料紅半體纖等諧腔指光在中回射從提供光能饋空其是使內光具一的頻相和行激具有良的向相性同時能大激射強度。激光器芯片將電激作泵浦源以半體材料為益介質通過振選模大，進而輸出激光，完光轉。5/42東東吳證券研究所圖2：激光器芯片工作原理光學諧光學諧腔L部分反鏡激光輸出全反射鏡工作半導體電激勵數據來源：長光華芯招股說明書、整理激光器芯片分：諧腔制造工藝差異，用同場景按照諧振腔制造工差激光器光芯片可分為發射激光器芯（與面發射激光器芯（兩類EL在片側光學形諧腔經諧腔選模放大后，將沿平于底表面的方向形成光VL在片上下兩鍍光學膜形成諧于振與底垂光經模大將垂于片面成光E與CL具優EL的出率電轉效率高而CEL有閾電流低單長作定可效調易維成無面閾損制成等優。圖3：激光器芯片分類光光學鍍膜光學鍍膜光鍍增益介質光鍍5μm數據來源：面包板社區、光芯片工藝技術、整理EL進一步分為P/BEL三類應用場景相FB為獨立器件通過控制流有來制息輸激被為接調激器DL在D中P光誕較主要于速短離輸DB在FP激器礎上展而來，用光濾光器實現單模輸，主要于高速長距傳輸DL通調制注電來現號制然注電的會改激器源的射成波長啁而生色制傳距同DL寬有調制流大時激器易和難實現高消比。電吸收調制激光器（較好地緩解了啁啾散問題它由AM電收調6/42東吳證券研究所制器與B激光器集成而來，號輸量易實高率距的輸，過價格與東吳證券研究所圖4：FP、DF、ML激光器芯片結構示意圖數據來源：易飛揚通信、訊石光通訊網《高速電吸收調制激光器研究進展、整理VLF、F、L光芯的性主應場景下：表1：VE/FP/DF/EML激光器芯片特性及主要應用場景激光器芯片類別工作波長激光器芯片特性主要應用場景VL80090nm線寬功制高，耦合率，輸離短500m內距傳數據心部傳輸、費子域如D感部別）FP1310150nm成本，合率低中低速無線接入短距離市場。由于存在損耗大傳距短問題部分用景步被DB光芯取代D1270110nm調制率高波穩定合效率低中長離傳如FTx接入輸網、無線站數中內互聯等E1270110nm調制率，長定好，傳輸離，本高長距傳高率距離電骨干網、域和據心聯數據來源：源杰科技招股說明書、激光器芯片材：三族化合為主流，學較硅更優三五族化合物泛指由元素周期表的三族與五族元素構成的合金化合物，種類豐富如砷（A磷nP化（nG據含素類又可為二元合如P元合物如??????????四及物等硅目工中最主的導材泛用集電但電器領三族物卻具有更好光特而為要。三五族化合物具有接隙進而電子高低能間躍遷時效率更進使芯片輸出激光的效率更隙是子低（遷能導需吸的最小能應是帶部與帶部能差直帶是在量矢圖元7/42東吳證券研究所素電子的價帶底與導帶頂對應的波矢相同，反之，若二者波矢有異東吳證券研究所對于接隙在價與帶的遷需滿能守對接帶隙結構，由于價帶頂與導帶底的波矢不同，需在水平方向施加動量方可使電子完成躍遷也子遷程聲子吸與射—方低高級遷必要有聲子導躍生的率接結構生子遷概約為接間隙結的100一面躍釋的部量會換聲而光此二因素決定了直接間隙結中子在高低能級間的遷率更高。如前述對激器而言輸激的鍵“半體的子收，由低級高級遷電子不定高級落至能在一中以子形式釋放能量可見，電子躍遷的效率是激光輸出效率的本源，故直接帶隙結構的半導體更適用于制作激器片三族合大為接間半體如AG、nP部三族物如GP及Si則于間帶結是GAP等三族合在光芯片備應普的礎。圖5：直接帶隙、間接帶隙的能量-波矢圖能能量-波矢圖：能量輸入能量輸入 直接帶隙 間接帶隙 價帶低能價帶導帶底、能帶頂對的K值（波矢）不同電子躍升時需吸收子，回落時需發射子，躍遷概率大幅導帶底、能帶頂對電子回釋放光導帶高能高能右圖間接帶直接帶數據來源：維基百科、ipac、整理三五族化合物可形三及以上化合物作為延料通過調整各組分元比例,可獲得期望的激光出長滿足多樣化場景光芯輸的光源從導帶層落價層釋的光故光波要由放子波決光的波長光的率而子的量反輸出激光的波長將主要“子由導帶底回落至價帶頂釋放能大小”決定，即半體料的帶隙對于SGe而言除電子躍效較外它為單材隙定故只發單波的對五族化合而單化的帶同固但可按不比進混成同的三及上合物由可得種隙需指出光芯片的襯底通常還二化合物，三元及以上化合物般為從襯底上生長出外材料。8/42圖6：材料的帶隙-波長-晶格常數圖及典型應用場景所需激光波長典型應用場典型應用場所需激光波連線代表線段兩端的化合物可按不同比例混合，由此激發的光子可橫跨多個波長工業造連線代表線段兩端的化合物可按不同比例混合，由此激發的光子可橫跨多個波長帶隙（單位：）730880nm帶隙（單位：）波長 850nm（ 905nm單 940nm位mev： 1330mev） 1550

數據中心激光雷達3D傳感光纖通激光雷東吳證券研究所200+東吳證券研究所氣體監測 晶格常數（單位：A） 數據來源《基于Inb的新型紅外探測器材料（特邀《半導體激光器研究進展，整理三五族化合物中，P與aAs兩類材料在激光光芯片襯底中居于流GAs是目研得成產量大化物導材有子移帶度大等點適于造頻、速器與路；nP則有電轉效與高子遷移抗射品者各優前述CL面發激器片以GAs材料為底而FPFEL類發激器片主以P料襯。探測器芯片工作原理：依光電應將光信號轉為電號探測器芯片又稱光二管PD通過光電應別光信號轉為電信效應是指在光照下，材料中的電子吸收光子的能量，若吸收的能量超過材料的逸出功電子逸材形光子同產一帶的空光二管時在雙極加反電—無照射由二高電路存在小的反向光射由光效產的穴前往接壓負電子往外接電的極從增二極中反電，此實對信的測。陽極陰極單位：lux反電反向電流陽極陰極單位：lux反電反向電流（反向電壓電源正極與二管陰極相接）光強越，電大，由將光轉化為信號未光時流光強光強為00lx時的電流反向電流（）外接反向電壓光電二極管μAμA數據來源：維基百科、立創商城、μA9/42東吳證券研究所典型探測器芯：P、P、S東吳證券研究所PN光電二極PNPA（雪崩光電二極管S（單光子雪崩二管）的使用最為廣泛，者敏度逐次提升傳的PD二管基部是N，P層由P型料成空居多帶電N由N型料成電居（帶電，當N結到光時產生電應PND是在P與N間了I層—I層為雜極量P型料或N材的凈半導構。較統的PN，當施反電時，I層為PND供寬盡區從提光轉的效。光照 P層 N層電觸點圖8：光照 P層 N層電觸點電觸點電觸點光照 P層 I層 N層PN光電二極管 PIN光電二極管數據來源：維基百科、Enlitech、整理PN光二管工理如所：圖9：PN光電二極管工作原理②②無照時，層電阻率高，I層中電子空穴的移使電以穿過PI-N結IIII反向電無光照P層富空穴施加反向壓時穴向電負極③由一來，反向光流形由于P-I毗鄰處電子更多，N-I毗鄰處空穴更多，故I內部電場方向如上N層富電子施加反向壓時子電正反向電有光照①光效層激發出子-對，在部電用下電子、分別朝、P層動施加光照后反向電流形成施加光照后反向電流形成數據來源：維基百科、華強電子網、整理AD在PN基礎上增添高摻雜的與N層，該結構容易發生雪崩增應。AD在高反電工收光形自由子空能加而獲得更能晶碰產生對的子穴連反光流——雪崩增而電流高光極管響度信主要用在長距或功受他制而小光通系。10/42東吳證券研究所D在高于擊穿電壓反向電壓下工作這一態高度不穩定單個光即可發大量的電子空穴對雪崩進而產生電流，理論上可實現單光子探測東吳證券研究所給D施高擊穿的置壓極管處亞放大用很大，至探到光也會起崩應而現電脈。圖10：APD與D光電探測器結構圖 圖11：D工作電壓高于擊穿電壓，可對單光子計數擊穿電壓擊穿電壓蓋革模式 電壓反偏置 電壓高于擊穿電壓數據來源：維基百科、 數據來源：維基百科、esearchgate、探測器芯片襯：naAs占主流探測器光芯片材料選以材料光譜響應特為礎SnAs占據主流譜響特是保入光強不的況同波的照材產的光流與入射波之的可以響度畫種芯片料對種長射光的工作效—響度材料該波的測越靈當激器工作長以800n100nm居多SGGAs料探中占主由三料的譜響應線，Si料用于0100nm長探G、GAs用對10-1600nm波的探中。圖12：主流探測器芯片襯底的光譜響應曲線主要光電探測器芯片材料響應度波長數據來源：Thorlabs、產業鏈：襯底價值量大，外延為核心光芯片制造：工藝雜外延為核心，DM模式主流相較邏輯芯片，光片產各工藝綜合性更，頭廠商多采用M經營模式。1/42東吳證券研究所對于輯片商新入的業用bes模式以減大模本投，從而將多源中入路優版設等環于芯行廠商采用DM式主因光子器遵特工，件價提不全靠寸的小，而有于能增特色需力加合括藝品務臺等多個度。DM模使環節互合綜提芯片能更敏東吳證券研究所光芯片制造工藝流繁晶體外延環節最關鍵光芯的藝程分外延結構設晶制晶外延構柵導刻金化程片工和測（理膜自化芯測、片頻試、靠測驗）大部。膜處理 晶圓制造 芯片加工和測試通過創波導計與膜處理 晶圓制造 芯片加工和測試通過創波導計與度波加工可光/小發角，反射能3.波導光刻基MOCD工，外生長高質晶體料，多量子有源層1.有源區外延4.金屬化制程把個件到材料、工、連過程屬化工，保器件與高頻熱特性2.光柵結構工藝利用電束直系統納米級精度工，定波輸出5.端面鍍膜7.芯片高頻測試為提升芯片使用及可靠借助專高頻試系檢驗性，需芯片后腔鍍 片的高特性通過改端面層特還可實現降低提升率等的6.自動化芯片測試 8.可靠性測試檢驗借助全動光測試完成全的光指標試通過嚴的老測試產品的可靠性數據來源：源杰科技招股書、整理外延為光芯片生產主和技術門檻最高環節源自工藝壁壘及時投壁壘。外延工藝上言過CD進精的體材精堆控時尤其在有源區，要多堆的結每厚在10米以級，到這厚度平的均勻準制一壁基礎性時間投入延發廠投量時調試機臺件數國企在這領大仍于本工累段。外延工藝海外公司為熟國內外差距較大產加速追趕海領芯片公司可行成片計晶圓延關工量產G以速率片內廠商普遍具有除晶圓外延環節外的后端加工能力，而在外延這一核心技術領域并不成熟需向際商購端延片我國2G光片僅部廠實批供貨G以上率光芯大分廠尚研或規試產段。光芯片上游：襯底核原材料，海外廠商為導襯底為光芯片核心材成本占比最高對芯品質影響力最大芯所需原材料括底金與殊氣等成本看據源科招書襯在光片原材料本的比往于30其需在程度響芯制廠的生成。對芯片品質影響力襯材料方決激光芯發光波另方面12/42東吳證券研究所決定測芯對射的響核工—外生將襯材上完故襯底料品將很程度影光片東吳證券研究所圖14：光芯片各原材料成本占比數據來源：源杰科技招股書、整理襯底供應以海外廠為國內廠商替代逐步升于底光片質影響較大光片商向向海廠采襯住友工與同時外領的襯底公也供延長業而到內青近國襯商逐提升襯底化底技借性比受到來多內芯制造業的青睞根源科招書21220其購底的從78569元片續下至2020年的54.7元一大要因是大國內商襯采中占比。光芯片下游：光模應廣泛光芯片經加工封裝得光器件光模塊集成程提升單位價值量升高芯片經加后成光測器品同可其電子件無器結封形成光發組（）接收件OA進加形成模。為光塊后一光塊備通而搭多芯此一光的信傳遞速率為芯信傳速率若倍更合游客的求。上游：光芯片原材料中游：光芯片制造直接下游：光器/光模塊 最終下游：廣泛應用領域光芯上游：光芯片原材料中游：光芯片制造直接下游：光器/光模塊 最終下游：廣泛應用領域光芯制造光器件光模塊襯底Si Ge IP Gs Ias芯片設計外延工藝晶圓制造 封裝測試金靶體銦無源器件制造電芯片 PCB 結構件及套光開關等光分路器光隔離器無源組件激光器探測器光發射光接收組件光設備應用于不同領域//17109855533332電信與據中礎設施消費電，如汽車電，如雷達工業制造醫學醫療數據來源：Omida、ole、源杰科技招股書、長光華芯招股書、中際旭創2021年報、整理得益于優良特性芯片游應用廣泛由信傳速率耗且定，光纖信電與據心基設的設已可或而基正芯此同時，得益于激光波長集中、能量高的特點，光芯片被廣泛地應用于工業制造、醫療13/42消費汽電等域當前光信消電是光片要應下而著智能駕的及以光達為要品汽電將迎需的猛長。產業趨勢：光子替代電子大勢所趨光通信領域光進退”趨勢延續“光進銅退主要是現“窄帶銅纜為主絡向“寬帶光纖的轉變的模式，本質是光纖寬帶設備端口不斷下移、不斷靠近用戶的建設思想。對比銅纜光纖具有明顯的優勢寬息載更大最傳輸遠原（英,SO）資源富光纖直比銅更耗低繼距遠光為金材料不受電磁頻干；輸密性更光銅成為絡級的勢。圖16：FH/O滲透率不斷提升 圖17：我國寬帶接入發展歷史復盤109080706050403020100

2092xD

數據來源：工信部，

數據來源：工信部，中國政府網，，賽立信信研究，東東吳證券研究所隨著內絡礎施不斷級“進退為重的略展向：（100210年來國內網銅為AL當主的網在該時還暫現過DL技，速經達到1提基網覆率是一時期重到209我國民數有384，寬普達98.。（2）0205，H開滲，203年8，國院布“帶”戰略及施案次家層明寬網的略性共礎施受益“寬帶中國戰該時期“光進銅退發展最快階段光纖光纜透率這一時期到明顯提升。215年底國內TH用達1.2億戶HO滲率達9.3。（3）016以光銅退趨依在斷進，纖入步成階，THO對DL的已基完。221底我國聯寬接端達10.2億個，THO戶達5.06億戶滲為94.。光傳感領域：光芯+FCW技術路線賦能規市場硅光高集性超兼容非契激雷的制需硅料格優勢和集工有于低光雷成球圍Aeveye以及Ao（收購14/42東吳證券研究所Backo）三硅+W術線光雷代企，beye在021年宣將主發光W術線Aea于今年發首汽級D激光雷達感而在國場洛科已經入品化驗階221初洛科技發了二代WoC片為現硅光CWD光達品了核技術隨相技的成光片望賦能車動激光達產品的能升東吳證券研究所此外光夠射組和血上監測量化物記因光學還能夠賦無醫監解方案用小寸療備和費子場可戴設。光計算領域：好硅計算長期替代在計領據OpeAI計自212年每34個月工能力求會翻倍電芯的展趨逼摩定極以滿高能算斷長的據吞吐需硅芯用子替電進傳以承更信輸遠距同時光彼間擾夠提相于子片兩個量的算度低兩數量級的夠為傳統電計極的決方因從趨勢看以硅光芯片為基礎的光計有持續取代電子芯片部計算場景中的應用。電子計算機光子計算機逐步升級優勢不易被擾動運算速度高，并處理能力強傳輸速率快圖18：硅光計算愿景電子計算機光子計算機逐步升級優勢不易被擾動運算速度高，并處理能力強傳輸速率快應用市場算力和能耗不斷提升應用市場算力和能耗不斷提升突破算力極限，成為超越“摩爾律”的新技術路徑技術尚未成熟，看好長期替代未來高速、大數據量的最有前景技術尚未成熟，看好長期替代未來高速、大數據量的最有前景方案之一，優勢將逐步彰顯超大規模的信息儲容量散發熱量低，能量消耗小數據來源：光電讀書，超大規模的信息儲容量散發熱量低，能量消耗小目前，光計算的相關研究仍然處于初期階段，解決方案和系統架構仍然在探索中如何光算合現的通計且地將計芯化是來的研方現熟光計技和業仍時日當neM等巨以及TCB等構積極發規光集芯片國也現曦科技光子算數行領企。著硅光學術不成熟光算優將步彰。市場空間：數通領域復蘇，激光雷達支撐遠期成長概覽：激光雷達市場接力數據中心需求電信數據中心消費子車載激光雷達是光片最主要的應用領域信領域15/42東吳證券研究所技術較成內相關品蓋較增量間要自率級需；數據心場興艾計算商大資步未場中期維快增；消費子域前場與者要蘋，卓商用D感有；車激光雷達域力智能駛術雷達本光裝車有望大幅升遠東吳證券研究所圖19：光芯片各下游領域市場規模及增速（億美元）2025年$2025年$13.7CAGR=14$14.0CAGR=2022年$10.5$2022年$10.5$9.2消費電子車載數據來源：ole，Lightcounung，源杰科技，ID，汽車之心，整理測算電信領域：光纖入戶、5G基站建設、現有基站升級三大驅動力電信領域光芯片發的要作用為光電信號換激光芯將信調為光信號，探測器芯片的功能則相反，通過光電轉換，信息可經由光纖實現高速穩定的傳遞光纖通信在不同層通網絡中均不可或缺為芯片創造廣闊應用求由于輸距較長骨干網域中匯層般光纖信有線接網其分為銅接光同合接光接由纖具信損高的性，“光銅已為線接網發趨無線接入網基內有源線單元A）分單U的接樣要光纖這連被為傳網。無線接入，光纖在前傳中得以應用4G5GPON：無源光纖接入網絡無線接入，光纖通過PON得以應用骨干網匯聚層接入層數據來源：華為培訓、 數據來源：無線深海、整理16/42下游趨勢：國內光入、5G基站高滲透，球具發展潛力光纖入戶國內普及已高位存量市場速率升。纖入分為FT光纖到樓T光到T光入統為FT中纖戶H是用接光的直方用衡光入的熟國入戶及率已處位—至02年9國纖（FH口所帶接端口中的比達95.5，根據Oda發的發展數告中已續兩排行全球四光纖入戶安保持著10的同比增速但隨著普及率逐步高需求的增量空間較小從量級，我正施雙兆發展略至202年9月，千兆光寬用為763萬所固寬用中比13.存大展空。光纖入戶速率升級是期內的需求推動力。圖22：我國FH/O端口數量及占比 圖23：我國千兆光網寬帶用戶數及占比100010008006004002000

21年 21年 21年 21年 22年 22年 22

1091.394.391.394.384.488.026.018.67.35.29.17.98007006005004003002001000401.1千兆寬帶用戶占比千兆以上寬帶用戶數（萬戶）22年月用戶數環比增速2.4速2631.98364412813190609101280106840 642020 0東吳證券研究所FT/端口占比 FT/端口數量（萬個）東吳證券研究所數據來源：工業和信息化部、整理 數據來源：工業和信息化部、整理全球市場光纖入戶比對不高，光纖網絡展間較。至201年9底，德有95的定帶戶仍用纜入法英的纖入戶有線入的比例為3456美國纖入戶比為14纖戶大提升信速率與全定性有線入必發趨各政府企也定時表完善光入布，如盟計在200使光纖絡蓋有庭美國計在2027年光入覆庭數當的400萬長至200萬由此來歐洲及美國兩大主要市場光網絡還具有較大擴空。圖24：我國5G基站建設數目及占比2025202020年G基數凈超60萬臺2021年凈新2025202020年G基數凈超60萬臺2021年凈新超652月新7.2.71.9201.5101.3151.01.18810837510475023500數據來源：工業和信息化部、整理17/425G基站建設領域，國體滲透率已處較高平但各個城市內的覆率存提升空間小基站建設動市內覆蓋率提升也使G基站新增數目維持速長020年我增G站超60萬站21凈超65站222前季已新增9.5萬站基數的速長為芯創了闊求。2020年國宣所級以城現G蓋201時現G蓋超過98縣城與80鄉鎮基站建設正宏基站向小基站過現區域內部更深度的5G覆蓋。表2：我國三大運營商5G小基站建設布局情況運營商 5G小站設局況21年4，購G型小站營試設，主用廣、江江蘇天、川中國

22年1，布022年G展小站技術試告》22年4，動研G擴展小站采用全國1中國通 暫未布中國動 22年8，布223擴展皮站備采中標選，次估購規為2數據來源：人民日報海外版、C14通信網、各公司官網、應用種類：光纖入戶.5G占主流，移動通信02G占主流以工藝劃分信領域光器主要采用EFL三種光芯片CEL主要于00以的距離DB要中長離如FTx接入無線基EL主用長距傳如速遠離的干與域前E激光芯大模用最高率到10FBCEL激器片規模用的最速為5G以率劃分，光纖接入要用2.5G光芯片，移動通領域主要應用10、25G光芯片從市規看2021年球移通領光塊應用況為：1G及下率塊比333，G上速光塊比6.7，這占比與移通域1G2G光芯的布體致。2021年國內G建設為1G光芯片創造的需最，但展望未來，5G光芯片創造的需求或將回暖200年G站設始對5G光片需提升由于信運營基建目的整，221年G站所需光漸以2G高率為主以1G為主對25G光片采減。表3：202-221運營商關于5G建設的集采情況（萬）2020.3中國動頻段（萬）2020.3中國動頻段2GH，寬60H用2G芯片23.212020.4中國信中聯通頻段3GH，寬00H用2G芯片25.292021.7中國動中廣電頻段0H，寬30，用1G光片48.042021.8中國信中聯通頻段2GH，寬5H，用1G光片24.2

集采基站數東東吳證券研究所數據來源《源杰科技：8-1發行人及保薦機構第二輪回復意見、18/42東吳證券研究所各運營商逐步在小基站領域展開建設布局。小基站旨在東吳證券研究所從而醫店商場場提信輔其覆范要較對需帶寬則出高準25G光芯片或與小基站設需求更為契合。電信領域光芯片市規模基于Lghcounng對T（纖入移通模塊場模計及源杰科中旭等披露成資電域光片場模算下我預計205電領光市場模達3.96億元2222R達81%。表4：202-225年電信領域光芯片市場規模測算2021202E202E202E202E光模全市規（美元）光纖入域模市規模億元）5.235.245.405.926.31光纖入域模市規模yy10.6%0.2%3.1%9.6%6.6%移動信域模市規模億元）24.7325.5828.5931.2233.55移動信域模市規模yy14.2%3.4%1.8%9.2%7.5%電信域模全市規模億元）29.9630.8233.9937.1439.86其中：10G及下率模場規模10.2610.3610.951.7612.3225G及上率模場規模19.7020.4623.0425.3827.55對應芯及件中低率模毛率25%25%25%23%23%高速光塊利率30%30%30%28%28%直接料光塊本例80%80%80%80%80%光芯及件光塊接材比例85%85%85%85%85%對應芯片光芯占芯及件例70%70%70%70%70%光芯片全球市場規（美元）10.2310.521.5913.0113.96光芯全市規yoy2.9%10%12%7%數據來源：Lightcounting源杰科技：發行人及保薦機構回復意見，測算數據中心：光模塊速率持續提升，資本開支驅動增長數據心一擁許存儲處大信的算機設基數心云計算商為戶供服如用無購擁有維數中及務器可獲得計算能力、存儲、數據庫等技術服務。云計算廠商會努力在全球各地布置基礎設施例如全各設可區于中置緣與區性存戶可在位于當的據心運服而得快應速同確運據能留在國在這一領域光主要用于實現數據大數據中心內部數據中心的傳輸，這與光芯片在電信域現的功能十分相近。19/42東吳證券研究所下游趨勢：云計算商收與東吳證券研究所受益于經濟回暖字化勢更多產業逐漸計算巨頭營收規模長猛。2016221年，AazonGogecoso/阿里云的營收規模R分別為38.547521.26.7一面數化成越來多產的展勢可以使各公輕調已技快進創還能據際求置源將司原本用于數據中心和物理服務器等設備的固定支出轉變為按實際用量付費的可變支出優化司成另面各司求后時代大模提靈度故緊行動比來積地用云礎施云務品。圖25：201-221全球云計算巨頭營收規模（百萬美元）16-21年16-21年116-2年116-21年2021yoy=7.62021yoy=47.1年2021yoy=25.970,00050,00040,00030,00010,0000Amazon Google Microsoft Oracle 阿里云201620172018201920202021數據來源：各公司官網、整理云計算巨頭EX維較高增速且廠商大投資數據中心的態堅這將為光芯片創造出大需。20152021年AaonGogecoso阿里云AX的CR為52.19.20439.4數中領域光片長驅主要：第一新可區基站來數中數增量第二數中級改服務器交機率升造的各頭認為前計尚產早示會繼加投，而為光片來定需增量。圖26：201-221全球云計算巨頭CPX變化（百萬美元）15-21年15-21年2021yoy=58.315-21年CAGR=19.3120211-21年2021yoy=32.915-21年CAGR=12.92021yoy=52.350403020100Amazon Google Microsoft Oracle 阿里云2015201620172018201920202021數據來源：各公司官網、整理20/42應用種類：L與EL互補，速率需達到50G及以上從襯底與工藝看，nP底用制作PD、L邊射光芯片和PN、AD測芯，適用于中長距離的數中間傳輸GAs用制作CEL芯片主要用于數據中心內的傳輸。從速率看數據中心對芯片的要求在通信域名最高當數中需光芯片以500G速率著據流量速高光模的市場需將斷顯而技術要過通方實現0G上模度的升，而若據心入0G及更速的臺每通道需激器片率也隨之提至10G傳的DB光芯短內同時足帶良的要故需考用EL光片，而現長10G高傳。當前國內云計算公與外公司使用的光模速尚存差距進而影響該國內外下游市場對光芯的求海互網司主要用0G光塊2020年起開始規向20G40G光模過內聯司目主用4G1G光模，并從022年始進2G40G光塊量署。數通領域光芯片市規模受益于數據中心增量需求與存量升級改造的需求，我們預測光模塊總銷售額在2021227間或實現AR=1光塊求較快長驅廠商務地域擴可據數目是據升級代更率光塊。圖27：202-227年全球云計算公司光模塊總銷售額（億美元）

兩大驅動力：1201006040

廠商服地域大，區、數中心目增數據中升級造，廠商服地域大，區、數中心目增數據中升級造，為更高率的模塊47.759.671.582.3107.3

2027E東東吳證券研究所數據來源：Lightcounting整理我們預測202027年云算公司為光芯片創的求將穩步增長R1，2027年市場規模達2.2億美元。一算含假設①著25G及高速光模塊產率升其格下利有下②接料光塊本比光芯片組占模材成本例光片光片及件成比變較小。21/42東吳證券研究所圖28：數據中心領域光芯片市場規模測算（億美元）東吳證券研究所20212022E2023E2024E2025E2026E2027E光模塊總銷售額高速率光模塊毛利率直接材料占光模塊成本比例光芯片及組件占光模塊材料成本比例光芯片占光芯片及組件材料比例光芯片市場規模（億美元）9.311.714.016.618.420.122.2數據來源：Lightcounting各公司官網，整理消費電子：蘋果主導，940nmEL為主流相較普通攝像頭，D傳感（包含雙目立體測、構光）可探測環的深度特征，廣泛應用于消電子領域。D傳通由多攝頭深傳器組，通過投特波的動光算線射射時差方獲體的度信息D傳攝頭實人臉別手識建模多功適于移設備、器、防控多種端人識為前D感像最的功。圖29：結構光方案工作原理 圖30：OF方案工作原理 光 光譜條紋 目標像素點待測物體 衍射柵 矩陣機激光斑投影儀成像素點三角測量底座 發射器VEL激發信號傳出Snlt傳感器SD單光子二級管數據來源：laserfocusorld， 數據來源：歐司朗，圖31：光芯片在結構光方案中的應用 圖32：光芯片在OF方案中的應用接收器鏡頭VCSEL發射器基板SPAD接收和控制IC發射鏡頭數據來源：奧比中光招股書， 數據來源：歐司朗，整理光芯片用于發射激作測距基礎在結構方案F方案中均不可或缺對于22/42東吳證券研究所結構光傳感器其要激光影學模像理片中光投影組于待物投射斑包激發器鏡射學等部光芯片用構激發器對于F方案光器片要于射光脈，同時SD等測光東吳證券研究所下游趨勢：蘋果主，卓陣營中滲透率有提升蘋果產品為D傳感消費電子市場增長主要動21207前果與安卓陣的為聯入3D傳攝頭后同安卓商作嘗，只有果堅持代展今蘋在手前均用D像頭并旗產具超高度D面部別功。221，蘋銷大，推動D傳消電領的售達36億元3.26億，卓未明顯進。圖33：安卓與蘋果產品應用3D傳感攝像頭的歷程20162016-2022年3D傳感器在移動設備上的應用 TOF方案 結構光方案數據來源：ole，當前3D傳感器在安卓品中滲透率不高但者習將逐漸養成率將逐漸提升根據oe分卓當未泛用D感的因是特的功，如生識，下比3D傳對的臉別價比高2后攝上的3D傳感暫足優的與匹前有量R游和能常的P未來隨消者同增，安營D感升空。們計蘋銷量及3D傳滲率升動消費子D傳市模將步長。圖34：202-227消費電子3D傳感市場規模預測 圖35：201021年消費電子領域光芯片廠商競爭格局 2年 3641364152586266eams5其Broadcom 2年 Finisar11Lumentum41Vertilitemams4其他7Trumpf12II-VITrupf6Lumntm42II-3765555045402021A 2022E 2023E 2024E 2025E 2026E 2027E數據來源：ole，整理 數據來源：ole，整理23/42東吳證券研究所應用種類：94m東吳證券研究所從工藝看結構光方案多用ECEL光片EL產一體大用于較測范的用景VL積，較小量圍用景OF方案也多以CL片激光D片測器從波長看，用消費電子領域光芯片以940nm的L光芯片為主流；來若多動備商展屏攝像頭13xx4xxnm將成主，一的VL片以P襯底。圖36：光芯片應用領域發展與各領域所需光芯片波長850nm，這一波長主要用于數據中905n，大部分激光雷達制造商使用這一波長下EE芯片，少部分VCSEL片也用此波長940nm，消費電子中VCSEL芯片常用此波用于制作屏下顯示設備數據來源：ole，Oweek，消費電子光芯片市規模基于安、果品來D感透率分及22222蘋的數據，對消電領光片市場模做測。們計225年費領域芯片將有3.70億元市規模20212025年C=146。表5：202-225年移動消費領域光芯片市場規模測算2021A2022E2023E2024E2025E移動消費3D攝像頭出貨量（百萬顆）326.00368.38416.27468.30526.84移動消費3D攝像頭單價（美元）11.0411.0411.0411.0410.93移動消費3D攝像頭市場規模（億美元）36.0040.6845.9751.7157.60VCSEL光芯片占3D攝像頭成本比例22.122.522.923.423.8VCSEL光芯片市場規模（億美元）7.969.1610.5412.0813.70數據來源：Lightcounting源杰科技：發行人及保薦機構回復意見，測算車載激光雷達：光芯片的新藍海光芯片為激光雷達供光脈沖發射與接收雷達一綜的探與測量系統——激光器激勵源驅動激光器向目標發射激光脈沖，掃描系統以穩定的轉速旋轉實現平的電探器收標射的激接信經系統大處理換算得標物表形理性等征激雷主包括光發射描統光和信處四系輔相中光射統主包括半導激器激器勵源激調器光雷的心統而導體光器作為光射統核器件為個光達供激脈。24/42東吳證券研究所激光接收器激光發射器基座驅動部件圖37東吳證券研究所激光接收器激光發射器基座驅動部件數據來源：vonhog， 數據來源：Yyonhong，下游趨勢：車載雷為芯片最快增速支點受益于高級輔助駕駛自動駕駛技術逐漸成熟激雷前景廣闊大勢所趨高級輔助駛自駕的方案，前在純覺”“傳器合兩種案，其中特斯拉采用前者,其余車企大都采用后者。首先，隨著高級輔助駕駛自動駕駛技術逐漸成熟，搭載自動駕駛功能的汽車將不斷放量，從總量上為激光雷達創造大量需求其視方需強的據算積除特拉其車難選這一方加多感合方將汽增安冗余—許感的障能互補傳感彌“多傳器方案或將成為未企主流前于本搭載精度激光達產不隨著激光雷達成本下降質激光雷達滲透率進步提。圖39：202-225年乘用車激光雷達市場規模測算2022E2023E2024E2025E全球乘用車市場全球乘用車銷量（萬輛）5700587160476229全球乘用車銷量yoy333全球新能源乘用車滲透率18.424.731.440.1全球新能源乘用車銷量（萬輛）1049145018992498中國乘用車市場中國乘用車銷量（萬輛）2150221522812349中國乘用車銷量yoy333中國新能源車滲透率25.631.643.855.3中國新能源乘用車銷量（萬輛）5507009991299車載激光雷達市場規模全球乘用車激光雷達滲透率271318中國乘用車激光雷達滲透率3101620全球-搭載激光雷達乘用車數量（萬輛）21102247450中國-搭載激光雷達乘用車數量（萬輛）1770160260全球-平均每車激光雷達搭載量（顆）1.61.722.3中國-平均每車激光雷達搭載量（顆）1.622.32.5全球-乘用車激光雷達出貨量（萬顆）341734941034中國-乘用車激光雷達出貨量（萬顆）26140368649全球-激光雷達平均價格（美元）1000700600550中國-激光雷達平均價格（美元）900600550450全球乘用車激光雷達市場規模（億美元）3.412.129.656.9全球乘用車激光雷達市場規模-yoy259.9145.292.0中國乘用車激光雷達市場規模（億美元）2.48.420.229.2中國乘用車激光雷達市場規模-yoy253.2140.844.5數據來源：中汽協，沙利文，測算應用種類：LCL應用廣泛，905550或共存按工藝劃分，、CL激光雷達光芯片中應最為廣泛EL采納堆疊25/42東吳證券研究所技術PN結互疊主要點在區小寸內供功激輸，這其成為程光達首技術從應商看司的EL光片汽電子獲主流用Lumnum的EL片主用消級別CL片具激光達所需優性時造工與EL兼規模造成較歐掌握著L光芯片的重要專利技術，其余光芯片廠商主要從VL芯片尋求突破，Lumnun、V、長華等內巨在這領東吳證券研究所按波長劃分90m為激光雷達光芯片首選長05nm光可配基電探測器來接收激光，因為根據前述光譜響應曲線，硅能在05nm波長處吸收光子；而1550nm激器需GAs測，者成較低成更。外由于前VL光片游域消費子主，其造廠的以90nm多。車載激雷尚放之為約本分也將40nm的VL光器于激光雷，可短雷中發效。在半導體激光器之10nm光纖激光器亦得到注述ECL芯片均屬半體光半導材為浦纖激器是一固激光以光作泵源換之導體光除直發外可為泵源于150nm遠離眼收可光長較于05n同功的150nm使眼的全性提升40可更功率提穿能1550nm配調連FW）技術僅檢距可利多勒移測物體相于的90nm激光雷，150nm的器與測的本高體積大供鏈熟較低這些為其泛用添成我預計550nm未與90nm光共存主要于以安性核賣位和牌位為檔車是于卡特殊位的車輛據oe統，221年05n150nm所市場額為6914。激光雷達光芯片市規模圖40：202-225年車載激光雷達領域光芯片市場規模測算全球乘用車激光雷達市場規模（億美元）全球乘用車激光雷達市場規模（億美元）中國乘用車激光雷達市場規模（億美元）機械式激光雷達所占比例MEMS激光雷達所占比例Flash激光雷達所占比轉鏡式、棱鏡式激光雷達所占比例機械式激光雷達中激光器、探測器光芯片所占比例MEMS激光雷達中激光器、探測器光芯片所占比例Flash激光雷達中激光器、探測器光芯片所占轉鏡式、棱鏡式激光雷達中激光、探全球乘用車激光雷達光芯片全球乘用車激光雷中國乘用車中國2022E3.42.46617102023E12.18.457212024E29.620.22025E數據來源：ole，汽車之心，elodyne官網，法雷奧官網，Livox官網，整理測算基于乘車光達場規的同方式光達場不同激光雷中芯探器芯片本比據搜2022225車激雷領域光26/42東吳證券研究所芯片市規得測，我計225年激光達場造東吳證券研究所為1231億元包光器探器。一包含個設①描式的進：機械激雷的額逐漸小半態式態式額升②光射測單元在光達的本比變幅較。II-、letum復盤：光芯片和器件龍頭的成長之路Luntum：消費電子EL龍頭，車規彰顯實力Lm是一家專業激光器廠商擁有全球先的CL技術L技術和光通信激光器技術。展歷可至179年立的傳產供商Unphae。1999年Unphae另家成于981年光絡產供商DSelnc.合為為球網域的導015Lenum從DU分來成為一家立上公繼承業學務Lm主要分為光通信和光器兩大業務部門主產類包芯器模塊商激器品應領域涵蓋信數通消和業等塊客包蘋果CoAazn國龍企業。圖41：em主要產品及客戶情況數據來源：Lumentum222年報，Lumentum官網，圖42：em營業收入逐年增長 圖43：etm歸母凈利潤穩中向好數據來源：loombeg， 數據來源：loombeg，27/42Lm營業收入近來整體呈現增長趨勢F22營收R為1.。Y022公營同比00為171美中收比較的通業同比6.%至152美要信產材和件缺致光信務收降也致公司Y22營的降光器務+59.至19億美，要復產后戶對千瓦光激器需恢復。圖44：em毛利率連續4年增長 圖45：em研發費用率較高毛利率凈利率Y毛利率凈利率Y14Y565 425 05515

Y14Y15Y16Y17Y18Y19Y20Y21Y22數據來源：loombeg， 數據來源：loombeg，除Y219收購cao來凈利潤的短期承外公司利潤水平近年呈出穩中向好的發展趨勢。222，司現母潤4.2美。利處高水，并已現續4年長2022達到6.05利則由研費的長在Y022出現定滑公司注技術創新研發費用率期維持在較高水平Y02公研發費為15.同3.2pc。公司前瞻布局L產品及3D傳感，在L產品市場形成領先優。005年和007年DU分收了gyCouncaon,nc和cogh,nc公司來了面企數中和D感域CL產的重技也展了Lnum光通和光業的度和度在200Lenum開布局D感市，截至020年已計超過85顆D激器片，中EEL500顆VL超8億顆201701年，Lm在L市場的份額均在0以CEL產品也為公司帶來量收。根據oe提的計算2018年CEL品的入增速過00，要系uenum始蘋提供VL芯所；201年，司的CL品場模到5.2億元。圖46：em長期占據EL市場40%份額 圖47：emSL產品收入持續增長000

unm II 其他 65

10VCSL收入（VCSL收入（億美元）同比（右軸）04 8000 3 6000 2 4000 1 20007

08

09

00

01

0217

218

219

220

0221東東吳證券研究所數據來源：ole， 數據來源：ole，28/42智能手機人臉識別能寫D傳感行業格局為m的CL產品帶來廣闊市場。207之3D傳主應用工感、光印光鼠等。217年1月蘋果司的eX產放了式指解uch開創地采用D人識（eD并過載VL實現臉別能hoeX此成為全首大模用D感能消電端。此后整產生態速成熟D感在臉擬現R防控機器等場域續到應，VL外用長的特也使成動3D傳的門擇。圖48：自208年起，蘋果就成為eum第一大客戶CienaCiscoHuaweiAlphabetApple**********************數據來源：Lumentum215-202年報，（注：*表示占總收入百分比小于10%）自208年向e提供CEL芯片以來，蘋成為Lenm的第一大客戶來自于蘋果的收入額穩定在2以上200年蘋發的款d和e首次載于oF激光達其可址L列由uenum供計算Y18Y2Lumnum來蘋的入為3.7334.45.349元。Lm常采用合作方式拓展L市場與其他領域的頭部企共開發具有市場前景的產從用場景看側于D傳感和汽車激光雷達此外en也長期采用并購和品發提高在光芯片市的心競爭力。表6：em通過合作、并購和產品開發提升核心競爭力時間時間 事件類型 事件簡介28年2月 并購20年2月 合作

完成對cao收購，為公來業界領先的磷化(n)激光、光子集成電(I)和相干模塊研發制造實力與Ifna宣布合作將基于R光學的網絡解決方推向市，以應對運營商在供新的5、增強型寬帶和基于云網絡商業服務面所面臨的傳輸網挑戰20年1月 并購 宣布收購riua部分專其他知識產權在內部分技術產首發五結和六結L陣列實現單個發射器的功率超過，從而使一平方米L陣列的峰21年3月 產品開發21年5月 合作21年2月 合作22年1月 合作

值功率超過80W與I視覺片公司brelaS圖像傳感器解決方案供商Neinutr合作，以baela的I覺oC為，通過結合uetm高性能L陣列和Neicdcor的圖像傳感器，提供用于物識別D電子鎖和其他智傳感應用系統解決方案與tnly作，開發應于車應用的高功率外L產品，成為世界首款用紅外L的車載傳感設備22年4月 產品開發 陸續推出高性能M系列結L陣列產品5-0、20、31022年4月 產品開發 陸續推出高性能M系列結L陣列產品5-0、20、310，值功率分為0W、東東吳證券研究所29/42110W40W在3D感、器人技術、汽車和業激光雷等領域得到應用22年6月 合作

與化合物半導體晶產品供商IE簽署戰略協議IE為untm的L等激光產品提支持3D傳感、車激光雷達及絡應用的外延片，此拓展在車和生物識別領域應用222年7月 合作 與高精度貼片機供商I激光雷達領域展開作，提供車激光雷達的創新解決方案22年8月 并購

完成與ootns的合并，高公司在光器件領的市場競力，抓住在云計算電信基礎絡設施等領域的發展機會為高速光絡客戶提供差異化光子學技產品組合東吳證券研究所數據來源：Lumentum官網，obeNee，mbarella官網，nley官網，ohotonics，iometricpdate，Electro東吳證券研究所Lm股價整體呈升趨勢，游場氣、收信的布及品供應形的是Lumnm股價影的主素。圖49：em股價復盤（美元）數據來源：Lumentum官網，Lumentum216年報，ptica，NC，enzinga，MEM，hotonicsMedia，arketatch，III：光芯片碳化硅，持續收購注入增長動能VI公成于171，于197在納達上市是程料光元件的全領者022年7VI完成對Coeent的購并的司名為oheen，并重劃了料網絡門激部們將點析購Cohet前的務情況。VI產品體系健，下游市場廣闊。09年VI購nr，將激光解決案光子和能品重整形成光子學解決方案和化合物半體大部門。圖50：-VI產品體系健全，下游市場廣闊數據來源：II-I2020報，30/42東吳證券研究所主要產包收發、D、程料、進學設備激設備系，等等公生的工材電件器件通業汽導本設生命科航航及費子領得泛應各業均了大的優質客資至022VI在球4國的130個區址東吳證券研究所超過8000名。持續增長的營收規是VI的一大亮點從VI長期收據從195年至今的8以，除202和Y009外公營規續加Y201破1億美元2018突破10億元Y022實現3.2美元收1995008收GR為20.5，Y209202GR為0.6。VI能近30年間續定，重要原因在于長期外延并購，并以此獲取關鍵產品和技術，抓住市場機遇，實現競爭優勢圖51：-VI成長的關鍵階段始終伴隨收購數據來源：II-VI官網，II-I2017、201年報《II-IIvestoreentation,2017《II-IInvestoreentationpt,202》,VI公司成長的重要階始終伴隨關鍵并購發自195起司始了“外并”歷，將并視實公長發展重戰：（VI在0世紀末完成兩項收（rgocLghtngca助公司拓了型學件場項購幫助VI在1997年現570元的入，幾是3前入額三倍；（001年VI收購了一家生產用于工和事二氧化碳激光器公司LasrPwe公近半售額來與方合過對Laserwer收VI順利開了防事域場，公在001財收入了66；（）2004年12月，I簽署了對arow公司收購協鞏了司光學和光元方的先位，帶未數營的持增；（）2009年12月，I收購了中國激光機光產品生產商Phoo（高意，該公司光產與統塊消電等務上有全領地此次購開了-VI軍通市的幫公走全性金融機在Y010速扭營收31/42東吳證券研究所頹勢并動Y01入加46，舉開了公在東吳證券研究所（）2014年，VI收購了asrrpre和Newokons公司，之受益于球通市的求擴，Y014公營實現速長；（）209年9月，VI收購了全球光通信域頭Fin有拓了合物半導和子解方平臺nr擁有用于3D感激雷的先GAs平臺在購已備2G10G0G據心模94nmDB光VL陣列產的產力在完對nr購VI營曲陡，體量到顯著大Y200收模達3.8億元增為75開歷新；（022年7月VI完成對oheent的收購VI在料面技識與Cohent在光統的規形互增公司務型多很程度拓展公的營模進而現司材、絡和光域全領地位。收購信號的釋是VI公司的股價變動的個要因素。從VI長股價表現來宣進收時常夠來司價短的升此外游行（如數通市、D感等的市場氣度會對股價產較為著的。近年公司完了項型購股價動為顯。圖52：-VI股價復盤（美元）數據來源：II-VI官網，obeNee，ptics，II-I2017、2021年報，VI公司的毛利率、率長期保持穩定。利率期持在35的較高水除2020由購nr生購用成凈潤負司利率期保在7右Y02公毛凈率別為3.17.1從研發費用曲線的走勢來看公司對產品術開發的重視程度不提高Y200公司了對G技術D傳化光雷等興場品開發度研費達4.3歷史高平Y202發費為14根公司告截至202年7月VI工程技員過440名，利量過00032/42東吳證券研究所圖53：-VI公司毛利率、凈利率長期穩定 圖54：-VI對研發的重視東吳證券研究所 數據來源：loombeg， 數據來源：loombeg，商業模式探討：需求變化快、盈利不穩定，把握上行周期光通信行業的需求存明顯“脈沖特征段光芯片的需求重不致，相關企業的盈利情受場剛性需求的影響大以源科為200我國G基站大建并極用2G芯片公抓了機遇020營同增達187，而當221年G基調為1G芯方后年公收出下。27年蘋果用CL片現臉識功后蘋占uenum營份迅飆至30，也能一程上現芯片業需脈性。在G站規建設G站規建中心規建三明的階段中，V、uenum價也市需重變呈現“沖”征在三階段的初票格會來上期隨市成競加劇股價出現定程度的動下。圖55：-V、Lem股價隨市場需求變化呈現“脈沖式”特征數據來源：loombeg，繪制；注：股價單位為美元另一前游塊的場動已骨網絡纖戶為數據中心建需體看數據中心市場也存需求迭代目前正處求升級的鍵時期。內互網司對模的率求從100G升至20G40相應，數通域光片率從2G向5G代G及以高率芯正于上期，33/42東吳證券研究所相關品求計東吳證券研究所圖56：200G/00G光模塊迎來上行期，帶動25G以上光芯片需求增長（百萬美元）數據來源：源杰科技-發行人及保薦機構第二輪回復意見，Lightounting，整理光芯片和光通信器毛率通常呈現出先升后低的趨勢在產剛完成時于藝平不熟之品率低毛利也對高隨技術平的提升產的率迎增后產品市競日飽利將出現落因此為實長期良好的利潤水平芯片公司需要持續發合市場需的產品，把握利潤平上行期。產品發要入定本市開和戶的確也要費定間若在市釋新需信后再發產可錯過行即產終投市場時產的潤平已處回階因具備定金力企會選通過并購方快獲技品客資趕上行由光芯片廠商欲實現長期成長，可通過持續的并購和技術研發開啟良性的成長循環，注重“戰略適配性以更好地迎合市場求VI和Lumnum均用該發邏通持戰略購和產開應光信業的脈性特，現了業領的長力。圖57：光通信廠商利潤水平波動周期 圖58：光芯片廠商良性成長循環路徑數據來源：繪制 數據來源：繪制產品體系健全度和業整合能力也是影響通企業增長穩定性的要素。Vm以及國內領先光芯片廠商杰技紛紛采用DM設計生模，在該式片計制造封到試由造商責進可現整個業鏈34/42的覆們為片廠用M式1有發核材供應運營聯弱供商料供對產營約時據應多位也弱了“牛鞭效應”對公司產能規劃和庫存管理的影響，保障公司增長的穩健性（2）設計制裝環協化保產從計造環的體降品良下滑對公業的響3DM廠產速更快增強企抵市波和需變化的能，障業長穩定。VI和m都擁有豐富的產品體系廣的下游市場方上兩家公司都采用了收購來拓寬產品體系。VI近期收購了ohe，Lumnum則收購了Neoncs盡在完成后VI的務構加分而Lumnum加集，但收購行為無疑都拓寬了公司的產品和市場。我們認為，提升產品體系豐富度，能夠（1過樣的品類布滿客差化求展公的游場元化的收來平了通行業“沖的收及潤公司運營穩健2豐的結構提了司客提供統決案能和對戶需求變的應力為司帶潛的展增機遇。圖59：-VI收購Coent豐富產品結構 圖60：em收購oPotos豐富產品結構數據來源《II-IInvestmentresentationptember2022，

數據來源《Lumentumtoquireohoonics，東吳證券研究所國產化東吳證券研究所政策扶持，光芯片國產化穩步推進國內芯企正速發進芯國化勢保樂光芯片的國產呈現出“從下游向游導，從低端向高端渡政策手段有效扶持的征。從下游向上傳導：在光通信產業鏈中，下游國內頭部光模塊廠商已具備較強實力和較大規模。據Lighcoung計00年全十光塊商國內商有1家，01年有5家國內模廠躋身O0，中創技與VI并列一。國模龍頭業的全市競力飛進海廠商漸于地模塊本完。35/42東吳證券研究所2021年躋身全球十大光塊廠商的5家國內企業著力布局光芯片，業縱向布局①際創資司蘇創201開激光芯技發括東吳證券研究所EMVL片術50GA5技等②為在203便過比利硅光子司Caopa進芯片場③信帶下芯事部備內先的外延生長激器片個條的造藝力201年芯的品括G2GDB、25GND/D/CDMBChps6budA4EL1G2Gunabe、Hghoer激器；④易完對ApeOpoeeconcs的購并借深入硅子片術市競爭⑤迅技實現0G及下芯批供2G光芯片模貨目正大研力，步升G芯產工。我們認為隨國內光塊廠商全球份額持提光芯片技術斷成熟光模應用領域拓寬，國光片產業鏈有望進一優整合，隨之迎來國產機遇。圖61：201-221全球光模塊廠商份額變化數據來源：Lightounting，從低端向高過渡：圖62：全球25G及以下F/FP激光器芯片市場份額 圖63：全球1GFB激光器芯片市場份額 數據來源：IC， 數據來源：IC，中低速率光芯片（0G及以下：國內廠商占較市場份額，由于成競等因素相關市場基本被國光芯片產品廠商代國內光芯片廠商具較競爭力根據《通用芯市調查告020，1G以下率芯已本現替，用于接網N模的1G以速的芯實現乎00自供1GDB36/42激光芯、ND器芯VL片實現全產替。杰科公司公中指國芯片業基握2.1G芯核技術除少技術門檻高產型對口存一依本實國內現出杰科技科芯佳武敏芯云光企業在分低率芯片品的市場占了高額。高速率光芯片（5G及以上：國產化率仍處較水平，國內頭部廠已后開展研發生產，市場與有待進一步提高。據C統220年2G片國化率約為025G以芯片產率低至5隨著通場持繁，目國內廠正速G及光芯的發奏近來內部商高率芯進展態勢觀源科技迅科佳子光電武敏等企具備G及以上分芯產生能力。表7：不同速率光芯片主要競爭格局產品速率主要應用領域海外頭部光芯片廠商國內光芯片廠商專業光芯片廠商 綜合光芯片模塊廠商2.5G光纖接入☆★★☆★★10G

光纖接入 ★ ★★☆ ★☆移動通信網絡移動通信網絡 ★☆ ★☆ ★★數據中心 ★★ ★★ ★25G及以上移動通信網絡★★★☆★☆數據中心★★★☆★☆數據來源：源杰科技-發行人及保薦機構第二輪回復意見，（注：★代表市場參與度）政策手段有扶持：國家對光電子技術業予了高度重視政策措續聚焦光芯片及其游用領域的發展東西略的步地“G建的持投有推國內通和電市的業鏈游國光片場注了大芯片發的直接推動政策和相關要求也持續發布，我國光芯片廠商正逐步縮小與海外廠商的差距與此信于222年6啟《國子器產技發路（02-2027年》編，未來家策持高重視電技產，芯片業生態圈望一拓。表8：近年國家扶持光芯片的部分重要政策匯總相關政策頒布機構頒布時間相關內容和規定加快構建算力算法數據應用資源協同的全國一體化大數據中心體系，“十四五數字經濟發展規劃》國務院202年1月加快實施“東數西算”工程，推進云網協同發展，提升數據中心跨網絡、跨地域數據交互能力加快企業數字化轉型升級全面深化重點產業數字化轉型。“雙千兆網絡協發展行動計203年》

工信部 201年3月

加快產業短板突破，鼓勵光纖光纜、芯片器件、網絡設備等企業針對芯片、高速ON芯片、高速無線局域網芯片、高速光模塊、高性能器等薄弱環節，加強技術攻關，提升制造能力和工藝水平。東東吳證券研究所37/42《基礎電子元器件業發展行動計（2021203年》《中國光