標準解讀

《GB/T 34900-2017 微機電系統(MEMS)技術 基于光學干涉的MEMS微結構殘余應變測量方法》是一項國家標準，主要針對使用光學干涉技術來測量MEMS（微機電系統）中微結構的殘余應變。該標準提供了詳細的方法和技術指南，旨在確保測量結果的一致性和準確性。

標準首先定義了術語和定義部分，明確了與MEMS微結構殘余應變測量相關的專業術語及其含義。接著，在原理章節里介紹了基于光學干涉法進行測量的基本理論依據，包括但不限于白光干涉、激光干涉等技術的工作機制。

在設備要求方面，《GB/T 34900-2017》規定了實施此類測量所需儀器的具體規格與性能指標，如光源類型、探測器靈敏度以及數據處理軟件的功能要求等。此外，還對環境條件進行了限定，比如溫度控制精度、振動隔離等級等，以保證測試過程中外界因素對結果影響最小化。

對于樣品準備，《GB/T 34900-2017》給出了詳細的指導步驟，包括清洗、固定方式及表面狀態調整等，這些都是為了確保待測MEMS器件處于最佳狀態以便準確獲取其內部應力分布情況。

測量程序部分則詳述了從初步設置到最終數據分析的整個流程，涵蓋了參數設定、圖像采集、信號處理等多個環節，并且特別強調了重復性和再現性的考量，通過多次獨立實驗驗證結果的有效性。


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....

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  • 現行
  • 正在執行有效
  • 2017-11-01 頒布
  • 2018-05-01 實施
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GB/T 34900-2017微機電系統(MEMS)技術基于光學干涉的MEMS微結構殘余應變測量方法_第1頁
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文檔簡介

ICS31200

L55.

中華人民共和國國家標準

GB/T34900—2017

微機電系統MEMS技術

()

基于光學干涉的MEMS微結構

殘余應變測量方法

Micro-electromechanicalsystemtechnology—

MeasuringmethodforresidualstrainmeasurementsofMEMSmicrostructures

usinganopticalinterferometer

2017-11-01發布2018-05-01實施

中華人民共和國國家質量監督檢驗檢疫總局發布

中國國家標準化管理委員會

GB/T34900—2017

目次

前言

…………………………Ⅲ

范圍

1………………………1

規范性引用文件

2…………………………1

術語和定義

3………………1

測量方法

4…………………1

影響測量不確定度的主要因素

5…………6

附錄資料性附錄光學干涉顯微鏡的典型形式和主要技術特點

A()…………………7

附錄規范性附錄擬合表面輪廓線余弦函數和計算變形量

B()………9

Ⅰ

GB/T34900—2017

前言

本標準按照給出的規則起草

GB/T1.1—2009。

本標準由全國微機電技術標準化技術委員會提出并歸口

(SAC/TC336)。

本標準主要起草單位天津大學中機生產力促進中心國家儀器儀表元器件質量監督檢驗中心南

:、、、

京理工大學中國電子科技集團公司第十三研究所

、。

本標準主要起草人郭彤胡曉東李海斌于振毅裘安萍程紅兵崔波朱悅

:、、、、、、、。

Ⅲ

GB/T34900—2017

微機電系統MEMS技術

()

基于光學干涉的MEMS微結構

殘余應變測量方法

1范圍

本標準規定了基于光學干涉顯微鏡獲取的微雙端固支梁結構表面形貌進行殘余應變測量的方法

。

本標準適用于表面反射率不低于且使用光學干涉顯微鏡能夠獲取表面形貌的微雙端固支梁

4%

結構

。

2規范性引用文件

下列文件對于本文件的應用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

產品幾何技術規范表面結構輪廓法術語定義及表面結構參數

GB/T3505(GPS)、

微機電系統技術術語

GB/T26111(MEMS)

微機電系統技術微幾何量評定總則

GB/T26113(MEMS)

微機電系統技術基于光學干涉的微結構面內長度測量

GB/T34893—2017(MEMS)MEMS

方法

3術語和定義

和界定的以及下列術語和定義適用于本文件

GB/T3505、GB/T26111GB/T34893—2017。

31

.

殘余應變residualstrain

存在于材料結構內部因塑性變形不均勻溫度分布不均勻相變而形成的并保持平衡的內應變

、、、。

4測量方法

41總則

.

411微雙端固支梁由于工藝引入的殘余應力導致梁結構發生彎曲變形通過彎曲變形的測量

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