ICS77040

H21.

中華人民共和國國家標準

GB/T30860—2014

太陽能電池用硅片表面粗糙度及

切割線痕測試方法

Testmethodsforsurfaceroughnessandsawmarkofsiliconwafersforsolarcells

2014-07-24發布2015-04-01實施

中華人民共和國國家質量監督檢驗檢疫總局發布

中國國家標準化管理委員會

GB/T30860—2014

前言

本標準按照給出的規則起草

GB/T1.1—2009。

本標準由全國半導體設備和材料標準化技術委員會及材料分技術委員會

(SAC/TC203)(SAC/TC

共同提出并歸口

203/SC2)。

本標準起草單位中國有色金屬工業標準計量質量研究所瑟米萊伯貿易上海有限公司江蘇協

:、()、

鑫硅材料科技發展有限公司有研半導體材料股份有限公司特變電工新疆新能源股份有限公司洛陽

、、、

鴻泰半導體有限公司連云港國家硅材料深加工產品質量監督檢驗中心

、。

本標準主要起草人徐自亮任皓陳佳洵李銳孫燕熊金杰楊素心蔣建國王麗華薛抗美

:、、、、、、、、、、

黃黎

。

Ⅰ

GB/T30860—2014

太陽能電池用硅片表面粗糙度及

切割線痕測試方法

1范圍

本標準規定了太陽能電池用硅片以下簡稱硅片的表面粗糙度及切割線痕的接觸式或非接觸式輪

()

廓測試方法

。

本標準適用于通過線切工藝加工生產的單晶和多晶硅片如果需要適用于其他產品則需相關各

。,

方協商同意

。

2規范性引用文件

下列文件對于本文件的應用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

產品幾何技術規范表面結構輪廓法表面粗糙度參數及其數值

GB/T1031(GPS)

產品幾何技術規范表面結構輪廓法術語定義及表面結構參數

GB/T3505(GPS)、

產品幾何技術規范表面結構輪廓法評定表面結構的規則和方法

GB/T10610(GPS)

半導體材料術語

GB/T14264

產品幾何技術規范表面結構輪廓法相位修正濾波器的計量特性

GB/T18777(GPS)

太陽能電池用硅單晶切割片

GB/T26071

所有部分產品幾何技術規范濾波

GB/Z26958()(GPS)

太陽電池用多晶硅片

GB/T29055

硅片平坦表面的表面粗糙度測量方法

GB/T29505

太陽能電池用硅片翹曲度和波紋度測試方法

GB/T30859

3術語和定義

和

GB/T1031、GB/T3505、GB/T10610、GB/T14264、GB/T18777、GB/T26071、GB/T29055

界定的術語和定義適用于本文件

GB/Z26958。

4方法原理

41表面粗糙度

.

411一般認為硅片表面粗糙度是硅片表面空域波長小于的硅片表面變化測量采用各種接

..0.5mm,

觸式或非接觸式技術的探頭在硅片表面最粗糙的單個或多個區域或者某些規定的區域沿一定的掃

,,,

描路徑進行掃描得到硅片表面輪廓進一步提取出粗糙度輪廓最后計算出硅片表面粗糙度值

,,,。

412表征硅片表面粗糙度的參數推薦使用粗糙度輪廓算術平均偏差Ra粗糙度輪廓最大高度Rz

..、、

粗糙度輪廓均方根R粗糙度輪廓單元平均寬度Rsm如有必要也可采用其他參數更詳細的信息

q、。。

可參見