標準解讀
《GB/T 26074-2010 鍺單晶電阻率直流四探針測量方法》是一項國家標準，規定了使用直流四探針技術測定鍺單晶材料電阻率的具體方法。該標準適用于圓形或方形截面的鍺單晶棒、片材等樣品，在室溫條件下對其電阻率進行準確測量。
根據此標準，測量過程需遵循以下步驟：
- 準備工作：首先確保實驗環境穩定，溫度控制在（23±2）℃范圍內；選擇合適的探針間距，并保證四個探針排列成一條直線且接觸良好。
- 儀器校準：使用已知電阻率的標準樣品對測量系統進行校正，以消除設備本身可能帶來的誤差。
- 樣品準備：選取待測鍺單晶樣本，其表面應平整光滑無明顯缺陷。對于非圓柱形樣品，需要加工成特定尺寸以便于測量。
- 放置探針：將四根探針按照預定間距依次緊密貼合地放置于樣品表面上，其中兩根用于施加電流I，另外兩根用來檢測電壓V。
- 數據采集與處理：開啟電源使電流通過外側兩個探針流入樣品中，同時利用內側兩根探針讀取相應位置上的電位差。依據所獲得的數據計算出電阻值R，再結合樣品幾何參數求得體積電阻率ρv。
- 重復性檢查：為提高結果可靠性，應在不同位置多次重復上述操作并記錄數據，最終取平均值作為最終結果。
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- 現行
- 正在執行有效
- 2011-01-10 頒布
- 2011-10-01 實施
文檔簡介
ICS77.040.99H17中華人民共和國國家標準GB/T26074-2010錯單晶電阻率直流四探針測量方法Germaniummonocrystal-Measurementofresistivity-DClinearfour-pointtprobe2011-01-10發布2011-10-01實施中華人民共和國國家質量監督檢驗檢疫總局發布中國國家標準化餐理委員會
GB/T26074-2010前本標準由全國半導體設備和材料標準化技術委員會材料分技術委員會（SAC/TC203/SC2)歸口本標準由南京中錯科技股份有限公司負責起草。本標準參加起草單位：北京國品輝紅外光學科技有限公司、云南臨滄鑫圓錯業股份有限公司。本標準主要起草人：張莉萍、焦欣文、王學武、普世坤。
GB/T26074—2010錯單晶電阻率直流四探針測量方法范圍本標準規定了用直流四探針法測量錯單品電阻率的方法本標準適用于測量試樣厚度和從試樣邊緣與任一探針端點的最近距離二者均大于探針間距的4倍緒單品的電阻率以及測量直徑大于探針間距的10倍、厚度小于探針間距4倍錯單品圓片(簡稱圓片)的電阻率。測量范圍為1×10-·cm～1×10°·cm.2方法原理測量原理見圖1。排列成一直線的四探針垂直壓在半無窮大的試樣平坦表面上。外探針1、4間通電流（A）·內探針2.3間電壓U（V)。在滿足一定條件下.四探針附近試樣電阻率.可用公式(1)及公式（2)計算：：··························（1）-（+去-元--)·（2）式中一探針系數：探針1、2間的距離，單位為厘米(cmn)；探針2、3間的距離，單位為厘米（cm）探針3
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