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犌３０

中華人民共和國國家標準

犌犅／犜２４３７０—２００９

硒化鎘量子點納米晶體表征

紫外可見吸收光譜方法

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２００９０９３０發布２００９１２０１實施

中華人民共和國國家質量監督檢驗檢疫總局

發布

中國國家標準化管理委員會

書

中華人民共和國

國家標準

硒化鎘量子點納米晶體表征

紫外可見吸收光譜方法

ＧＢ／Ｔ２４３７０—２００９

中國標準出版社出版發行

北京復興門外三里河北街１６號

郵政編碼：１０００４５

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電話：６８５２３９４６６８５１７５４８

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開本８８０×１２３０１／１６印張１字數２２千字

２００９年１１月第一版２００９年１１月第一次印刷

書號：１５５０６６·１３８９６９

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版權專有侵權必究

舉報電話：（０１０）６８５３３５３３

書

犌犅／犜２４３７０—２００９

前言

本標準的附錄Ａ、附錄Ｂ和附錄Ｃ均為資料性附錄。

本標準由中國科學院提出。

本標準由全國納米技術標準化技術委員會（ＳＡＣ／ＴＣ２７９）歸口。

本標準負責起草單位：國家納米科學中心。

本標準參加起草單位：北京工商大學、武漢大學、武漢珈源量子點技術開發公司。

本標準主要起草人：葛廣路、劉忍肖、嵇天浩、龐代文、朱曉波、高潔、趙蕊。

Ⅰ

書

犌犅／犜２４３７０—２００９

引言

半導體納米晶體（又稱量子點、半導體量子點）是由半導體材料（如ＣｄＳｅ、ＣｄＴｅ等Ⅱ～Ⅵ族或ＩｎＰ、

ＩｎＡｓ等Ⅲ～Ⅴ族化合物）組成的、尺寸在１ｎｍ～１００ｎｍ之間的納米材料，其中硒化鎘（ＣｄＳｅ）納米晶體

具有優良的尺寸及形狀可控性，是研究最多、最有代表性的一類。半導體納米晶體因量子尺寸效應的存

在表現出尺寸相關的光學和電學性質。與傳統的有機染料分子熒光探針相比，半導體納米晶體的光譜

性質具有明顯的優勢：激發波長寬且連續分布，發射波長范圍卻很窄，使多波長同時觀察成為可能；發光

強度高，光化學穩定性更好，十分有利于長時間對細胞內多生命現象的動態變化進行觀察。基于上述性

質，半導體納米晶體在藥物篩選、生物標記、細胞示蹤、流式微流控芯片免疫分析、快速診斷增敏等方面

開始得到廣泛應用。

紫外可見吸收光譜法（ＵＶＶｉｓａｂｓｏｒｐｔｉｏｎｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）是利用物質分子對紫外可見光的吸收光

譜，對物質的組成結構及含量進行分析測定的一種實驗室常用分析方法，可實用而便利地對半導體納米

晶體的光學性質進行表征，并獲得其結構信息。用紫外可見吸收光譜法對其進行光譜測定時，特征吸

收峰值和摩爾吸收系數與粒子粒徑有直接的對應關系。在已知每摩爾半導體納米晶體吸收系數（ε）的

前提下，由郎伯比爾定律（犃＝ε犆犔）可簡便而準確地計算量子點納米晶體在分散液中的摩爾濃度。

Ⅱ

犌犅／犜２４３７０—２００９

硒化鎘量子點納米晶體表征

紫外可見吸收光譜方法

１范圍

本標準規定了硒化鎘（ＣｄＳｅ）量子點納米晶體的紫外可見吸收光譜表征方法。

本標準適用于由表面活性劑分子———正三辛基氧膦（ＴＯＰＯ，Ｔｒｉｏｃｔｙｌｐｈｏｓｐｈｉｎｅ）包覆的硒化鎘量

子點納米晶體在正己烷中形成的分散液。其他表面活性劑分子包覆的硒化鎘量子點納米晶體在各種非

極性試劑中形成的分散液、在水相體系中合成的硒化鎘量子點納米晶體及其他組成的半導體量子點納

米晶體的紫外可見吸收光譜表征也可參照本標準執行。

２規范性引用文件

下列文件中的條款通過本標準的引用而成為本標準的條款。凡是注日期的引用文件，其隨后所有

的修改單（不包括勘誤的內容）或修訂版均不適用于本標準，然而，鼓勵根據本標準達成協議的各方研究

是否可使用這些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本適用于本標準。

ＧＢ／Ｔ９７２１—２００６化學試劑分子吸收分光光度法通則（紫外和可見光部分）

ＧＢ／Ｔ１９２６７．２—２００３刑事技術微量物證的理化檢驗第２部分：紫外可見吸收光譜法

ＧＢ／Ｔ１９６１９—２００４納米材料術語

ＪＪＧ１７８—２００７紫外、可見、近紅外分光光度計檢定規程

３術語和定義

ＧＢ／Ｔ１９６１９—２００４確立的以及下列術語和定義適用于本標準。

３．１

量子點納米晶體狇狌犪狀狋狌犿犱狅狋狀犪狀狅犮狉狔狊狋犪犾狊

在常溫下具有量子尺寸效應的納米晶