標準解讀

《GB/T 24366-2009 通信用光電探測器組件技術要求》是一項國家標準,專門針對用于通信領域的光電探測器組件制定了詳細的技術規范。該標準涵蓋了光電探測器組件的基本性能指標、測試方法以及質量保證等方面的要求,適用于設計、生產和使用這些組件的各個階段。

根據標準內容,首先定義了術語和定義部分,明確了“光電探測器”、“響應度”等專業詞匯的具體含義。接著,在技術要求章節中,規定了光電探測器組件應滿足的一系列性能參數,包括但不限于光譜響應范圍、暗電流水平、噪聲特性、溫度穩定性等關鍵指標。此外,還特別強調了組件在不同環境條件下的工作穩定性和可靠性。

對于測試方法部分,《GB/T 24366-2009》提供了詳細的實驗流程來驗證上述各項技術指標是否達標,比如如何準確測量光譜響應曲線、怎樣測定特定波長下的量子效率等。通過標準化的測試程序確保不同廠家生產的光電探測器之間具有可比性。

最后,在質量保證方面,標準提出了關于產品包裝、標識信息及隨附文件的具體要求,并建議制造商建立完善的質量管理體系以持續改進產品質量。同時,也對用戶在接收貨物時應進行的檢查項目給出了指導。

此標準為行業內相關企業和研究機構提供了明確的技術參考依據,有助于促進我國通信領域光電探測技術的發展與進步。


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  • 已被新標準代替,建議下載現行標準GB/T 24366-2024
  • 2009-09-30 頒布
  • 2009-12-01 實施
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GB/T 24366-2009通信用光電探測器組件技術要求_第1頁
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文檔簡介

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中華人民共和國國家標準

犌犅/犜24366—2009

通信用光電探測器組件技術要求

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20090930發布20091201實施

中華人民共和國國家質量監督檢驗檢疫總局

發布

中國國家標準化管理委員會

犌犅/犜24366—2009

前言

《通信用光電探測器組件》系列標準包括:

———《通信用光電探測器組件測試方法》;

———《通信用光電探測器組件技術要求》。

本標準與GB/T24365《通信用光電探測器組件測試方法》配套使用。

本標準在編制的過程中,參照了IEC620071:1999《光纖系統用半導體光電器件第1部分:基本

額定值和特性》的第6部分和第7部分,并結合我國光通信用光探測器組件的情況而制定。

本標準在起草過程中,注意到與下列標準的協調一致:

———GB/T15651.2—2003《半導體分立器件和集成電路第52部分:光電子器件基本額定值

和特性》;

———GB/T18904.4—2002《半導體器件第124部分:光電子器件纖維光學系統或子系統用

帶/不帶尾纖的pinFET模塊空白詳細規范》;

———GB/T18904.5—2003《半導體器件第125部分:光電子器件纖維光學系統或子系統用

帶/不帶尾纖的pin光電二極管空白詳細規范標準》。

本標準由中華人民共和國工業和信息化部提出。

本標準由中國通信標準會協會歸口。

本標準起草單位:武漢郵電科學研究院、深圳新飛通光電子技術有限公司。

本標準主要起草人:楊現文、李世瑜、孟湘、李春芳、鎮磊。

犌犅/犜24366—2009

通信用光電探測器組件技術要求

1范圍

本標準規定了通信用光電探測器組件的技術要求。

本標準適用于數字應用光通信系統以及模擬應用光通信系統中的光電探測器組件。

2規范性引用文件

下列文件中的條款通過本標準的引用而成為本標準的條款。凡是注日期的引用文件,其隨后所有

的修改單(不包括勘誤的內容)或修訂版均不適用于本標準,然而,鼓勵根據本標準達成協議的各方研究

是否可使用這些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件,其最新版本適用于本標準。

GB/T11499—2001半導體分立器件文字符號

GB/T15651.2—2003半導體分立器件和集成電路第52部分:光電子器件基本額定值和

特性

SJ/T11363—2006電子信息產品中有毒有害物質的限量要求

ITUTG.657(2006)接入網使用的彎曲損耗不敏感的單模光纖和光纜的特性

ITUTG.957(2006)與同步數字體系有關的設備和系統的光接口

3術語和定義、縮略語

3.1術語和定義

下列術語和定義適用于本標準。

3.1.1

犗犕犃加壓靈敏度狊狋狉犲狊狊犲犱狉犲犮犲犻狏犲狉狊犲狀狊犻狋犻狏犻狋狔犻狀犗犕犃

在規定調制速率和規定的正弦抖動加壓條件下,并滿足隨機比特差錯率要求時,光接收機在R點

(見ITUTG.957圖1)所能接收到的最小光調制幅度OMA。它考慮了在應用條件下,光接收機所具

有并允許的最壞消光比、脈沖上升和下降時間、光發射側的光回損,連接器性能劣化和測試容差所引起

的功率代價。

3.1.2

擊穿電壓犫狉犲犪犽犱狅狑狀狏狅犾狋犪犵犲

輸入光功率等于零,逐漸增加APD的反向偏壓,暗電流隨之增大,當暗電流達到10μA(或100μA)

時所對應的反向偏壓稱為APD的擊穿電壓。

3.1.3

光電倍增因子犿狌犾狋犻狆犾犻犮犪狋犻狅狀犳犪犮狋狅狉

APD在規定溫度、光波長、光功率和反向偏壓下,有培增時的光電流犐L與無倍增時光電流犐LO之比。

3.1.4

頻響平坦度犳狉犲狇狌犲狀犮狔狉犲狊狆狅狀狊犲犳犾犪狋狀犲狊狊

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