標準解讀

GB/T 17574.9-2006是一項中國國家標準，專注于半導體器件中的集成電路領域，具體針對數字集成電路的子類別——紫外光擦除電可編程MOS只讀存儲器(ULSI)，并提供了這類存儲器的空白詳細規范。下面是對該標準內容的展開說明：

標準適用范圍

此標準規定了紫外光擦除電可編程MOS只讀存儲器(簡稱EPROM)的基本要求、測試方法、質量評定程序及標志、包裝、運輸和貯存要求。它適用于那些設計用于數據非易失性存儲、可通過紫外線照射擦除原有數據并重新編程寫入新數據的集成電路產品。

技術參數與特性

  • 結構與制造工藝：描述了EPROM的基本結構，包括采用MOS（金屬-氧化物-半導體）技術制造的電路，以及其特定的紫外光擦除窗口設計。
  • 電氣特性：規定了在不同工作條件下的電氣參數，如電源電壓范圍、輸入/輸出高/低電平、讀寫周期時間等，確保設備的電氣兼容性和穩定性。
  • 性能指標：包括數據保存時間、擦寫循環次數、數據編程速度及擦除條件（如所需紫外光強度和擦除時間）等，以保證數據存儲的可靠性和器件的耐用性。
  • 測試方法：詳述了對EPROM進行功能測試、耐久性測試、數據保持能力測試的具體步驟和接受標準，確保產品符合規格要求。

質量控制與檢驗

標準中包含了對EPROM成品的抽樣檢驗方案、不合格品處理流程，以及如何通過電氣測試、外觀檢查等手段來評估產品質量。

標志、包裝、運輸與貯存

  • 標志要求：規定了產品上應標注的信息，如型號、生產日期、制造商信息及必要的警告標志等。
  • 包裝規范：為保護器件免受靜電、物理損傷及環境因素影響，制定了詳細的包裝材料、包裝方式及標識要求。
  • 運輸與貯存條件：指明了在運輸和貯存過程中應避免的極端溫度、濕度條件及防止機械沖擊的措施，以維持產品的性能穩定。

實施意義

該標準為紫外光擦除電可編程MOS只讀存儲器的設計、生產、檢驗及應用提供了一套統一的技術準則，有助于提升產品質量，促進產業標準化，同時也便于用戶理解和選用合適的EPROM產品，保障信息系統或電子設備的穩定運行。


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  • 現行
  • 正在執行有效
  • 2006-12-05 頒布
  • 2007-05-01 實施
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GB/T 17574.9-2006半導體器件集成電路第2-9部分：數字集成電路紫外光擦除電可編程MOS只讀存儲器空白詳細規范_第1頁
GB/T 17574.9-2006半導體器件集成電路第2-9部分：數字集成電路紫外光擦除電可編程MOS只讀存儲器空白詳細規范_第2頁
GB/T 17574.9-2006半導體器件集成電路第2-9部分：數字集成電路紫外光擦除電可編程MOS只讀存儲器空白詳細規范_第3頁

文檔簡介

ICS31.200L56中華人民共和國國家標準GB/T17574.9-2006/IEC60748-2-9:1994QC790106半導體器件集成電路第2-9部分;數字集成電路紫外光擦除電可編程MOS只讀存儲器空白詳細規范Semiconductordevices--IntegratedcircuitsPart2-9:Digitalintegratedcircuits-BlankdetailspecificationforMOSultravioletlighterasableelectricallyprogrammableread-onlymemories（IEC60748-2-9:1994.IDT)2006-12-05發布2007-05-01實施中華人民共和國國家質量監督檢驗檢疫總局發布中國國家標準化管理委員會

GB/T17574.9—2006/IEC60748-2-9:1994系列國家標準《半導體器件：集成電路》中的數字集成電路部分分為如下幾部分GB/T17574—1998《半導體器件集成電路：第2部分：數字集成電路》（idtIEC60748-2:1985）GB/T5965—2000《半導體器件集成電路第2部分：數字集成電路第一篇雙極型單片數字集成電路門電路(不包括自由邏輯陣列)空白詳細規范》idtIEC60748-2-1:1991)GB/T17023一1997《半導體器件集成電路第2部分：數字集成電路第二篇HCMOS數字集成電路54/74HC、54/74HCT、54/74HCU系列族規范》idtIEC60748-2-2：1992）GB/T17024—1997《半導體器件集成電路第2部分：數字集成電路第三篇HCMOS數字集成電路54/74HC、54/74HCT、54/74HCU系列空白詳細規范》（idtIEC60748-2-3：1992）GB/T17572—1998《半導體器件集成電路第2部分：數字集成電路第四篇CMOS數字集成電路4000B和4000UB系列族規范》idtIEC60748-2-4:1992)GB/T9424—1998《半導體器件集成電路第2部分：數字集成電路第五篇CCMOS數字集成電路4000B和4000UB系列空白詳細規范》idtIEC60748-2-5:1992)-GB/T7509—1987《半導體集成電路微處理器空白詳細規范》（可供認證用）GB/T14119—1993《半導體集成電路雙極熔絲式可編程只讀存儲器空白詳細規范》（可供認證用）GB/T6648-1986《半導體集成電路靜態讀/寫存儲器空白詳細規范》（可供認證用)GB/T17574.9—2006《半導體器件集成電路第2-9部分：數字集成電路紫外光擦除電可編程MOS只讀存儲器空白詳細規范》IEC60748-2-9:1994.IDT）GB/T17574.10—2003《半導體器件集成電路第2-10部分：數字集成電路集成電路動態讀/寫存儲器集成電路空白詳細規范》IEC60748-2-10:1994.IDT)GB/T17574.11—2006《半導體器件集成電路第2-11部分：數字集成電路單電源集成電路電可擦可編程只讀存儲器空白詳細規范》(IEC60748-2-11:1999,IDT）GB/T17574.12《半導體器件集成電路第2-12部分：數字集成電路臺可編程器件（PLDs)空白詳細規范》(IEC60748-2-12）（待轉化）GB/T17574.20—2006《半導體器件集成電路第2-20部分：數字集成電路低壓集成電路族規范》（IEC60748-2-20:2000.IDT)本規范等同采用國際電工委員會(IEC)標準1EC60748-2-9:1994（QC790106半導體器件集成電路第2-9部分：數字集成電路紫外光擦除電可編程MOS只讀存儲器空白詳細規范》英文版)。本規范按照（B/T1.1的要求編制國家標準,只對IEC原文作編輯性修改：1）刪除IEC原文中的前言。2）IEC原文“靜態特性表中·特性"項漏寫·注5）",本規范已填寫。本規范的附錄A為規范性附錄，本規范由中華人民共和國信息產業部提出本規范由全國半導體器件標準化技術委員會歸口本規范起草單位：中國電子科技集團公司第四十七研究所本規范主要起草人：施華莎

GB/T17574.9—2006/IEC60748-2-9:1994半導體器件集成電路第2-9部分：數字集成電路紫外光擦除電可編程MOS只讀存儲器空白詳細規范引IEC電子元器件質量評定體系遵循IEC的章程，并在IEC的授權下進行工作。該體系的目的是確定質量評定程序,以這種方式使一個參加國按有關規范要求放行的電子元器件無需進一步試驗而為其他所有參加國同樣接受本空白詳細規范是半導體器件的一系列空白詳細規范之一.并且與下列標準一起使用，GB/T4728.12—1996電氣簡圖用圖形符號第12部分：二進制邏輯元件(idtIEC60617-12:1991）GB/T4937-19955半導體器件機械和氣候試驗方法(idtIEC60749:1984.修改單1(1991),修改單2（1993））IEC60068-2-17:1978環境試驗第2部分：試驗試驗QC:密封IEC60134:1961電子管、電真空管和類似的半導體器件的額定值體系IEC6O747-10/QC700000:1991半導體器件分立器件和集成電路第10部分：分立器件和集成電路總規范IEC60748-11/QC790100:1990半導體器件集成電路第11部分：半導體集成電路分規范(不包括混合電路）要求的資料本頁和后面括號內的數字與下列各項要求的資料相對應，這些資料應填人本規范相應的欄中詳細規范的識別【1授權發布詳細規范的國家標準機構名稱L2詳細規范的IECQ編號。L3總規范和分規范的編號及版本號【47詳細規范的國家編號、發布日期及國

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