ICS31200

L56.

中華人民共和國國家標準

GB/T15878—2015

代替

GB/T15878—1995

半導體集成電路

小外形封裝引線框架規范

Semiconductorintegratedcircuits—

Specificationofleadframesforsmalloutlinepackage

2015-05-15發布2016-01-01實施

中華人民共和國國家質量監督檢驗檢疫總局發布

中國國家標準化管理委員會

GB/T15878—2015

目次

前言

…………………………Ⅰ

范圍

1………………………1

規范性引用文件

2…………………………1

術語和定義

3………………1

技術要求

4…………………1

引線框架尺寸

4.1………………………1

引線框架形狀和位置公差

4.2…………1

引線框架外觀

4.3………………………2

引線框架鍍層

4.4………………………3

引線框架外引線強度

4.5………………3

銅剝離試驗

4.6…………………………3

銀剝離試驗

4.7…………………………3

檢驗規則

5…………………3

檢驗批的構成

5.1………………………3

鑒定批準程序

5.2………………………4

質量一致性檢驗

5.3……………………4

訂貨資料

6…………………6

標志包裝運輸貯存

7、、、……………………6

標志包裝

7.1、……………6

運輸貯存

7.2、……………7

附錄規范性附錄引線框架機械測量

A()………………8

GB/T15878—2015

前言

本標準按照給出的規則起草

GB/T1.1—2009。

本標準代替小外形封裝引線框架規范

GB/T15878—1995《》。

本標準與相比主要變化如下

GB/T15878—1995:

按照標準的使用范圍將原標準的標準名稱修改為半導體集成電路小外形封裝引線框架

———,“

規范

”;

關于規范性引用文件增加引導語抽樣標準由代替增

———:;GB/T2828.1—2012SJ/Z9007—87;

加引用文件

GB/T2423.60—2008、SJ20129;

標準中的由設計改為引線框架尺寸將原標準中精壓深度和金屬間隙的有關內容調

———4.1“”“”,

整到并將原標準中精壓區的有關內容并入到精壓深度條款中

4.2,“”“”;

對標準的引線框架形狀和位置公差中相應條款順序進行了調整并增加了芯片粘接區

———“4.2”,

下陷和引線框架內部位置公差的有關要求

;

修改了標準中對側彎的要求見原標準中僅規定了在的長度方向上不超

———“”(4.2.1):150mm,

過本標準在整個標稱長度上進行規定

0.5mm,;

修改了標準中對卷曲的要求見原標準中僅規定了卷曲變形小于本標準根

———“”(4.2.2):0.5mm,

據材料的厚度分別進行了規定

;

修改了標準中對條帶扭曲的要求見原標準中僅規定了每條框架上扭曲不超過

———“”(4.2.4):

本標準將框架扭曲修改為條帶扭曲并根據材料的厚度分別進行了規定

0.51mm,,;

修改了標準中對引線扭曲的要求見原標準中規定了引線扭曲的角度及引線寬度上

———“”(4.2.5):

的最大偏移量本標準刪除了引線寬度上最大偏移量的規定

,;

原標準未考慮精壓深度對精壓寬度的影響簡單地規定了精壓深度的尺寸范圍本標準修改

———,。

為在保證精壓寬度不小于引線寬度的條件下精壓深度不大于材料厚度的其參考

:90%,30%,

值為見

0.015mm~0.06mm(4.2.6);

將金屬間隙修改為絕緣間隙并修改了標準中對絕緣間隙的要求見原標準規

———“”“”,“”(4.2.7):

定引線框架各內引線之間內引線與芯片粘接區之間的距離不小于本標準修改

“,0.152mm”,

為相鄰兩精壓區端點間的間隔及精壓區端點與芯片粘接區間的間隔大于

“0.076mm”;

修改了標準中對芯片粘接區斜度的要求見原標準中分別規定了在打凹和未打凹條

———“”(4.2.9):

件下的最大斜度本標準統一規定為在長或寬每尺寸最大傾斜

,2.54mm0.05mm;

將原標準中的芯片粘接區平面度與芯片粘接區平整度統一規定為芯片粘接區平面度

———“”“”“”

見

(4.2.11);

修改了標準中對毛刺的要求見取消了原標準中連筋內外不同區域垂直毛刺的不同

———“”(4.3.1):

要求本標準統一規定為

,0.025mm;

修改了標準中對凹坑壓痕和劃痕的要求見在原標準的基礎上增加劃痕的有關

———“、”(4.3.2):

要求

;

修改了標準中對局部鍍銀層厚度的要求見原標準僅規定了局部鍍銀層的厚度本

———“”(4.4.1):,

標準對局部鍍銀層厚度及任意點分別進行了規定

;

增加了銅剝離試驗的有關要求見

———“”(4.6);

增加了銀剝離試驗的有關要求見

———“”(4.7);

對標準檢驗規則中相應條款進行修改參照檢驗規則并增加了鑒

———“5”,GB/T14112—2015,

Ⅰ

GB/T15878—2015

定批準程序和質量一致性檢驗的有關內容

;

修改了標準中對貯存的有關要求原標準有鍍層的保存期為個月本標準規定為個月

———“”:3,6

見

(7.2);

增加了規范性附錄引線框架機械測量

———A“”。

請注意本文件的某些內容可能涉及專利本文件的發布機構不承擔識別這些專利的責任

。。

本標準由中華人民共和國工業和信息化部提出

。

本標準由全國半導體器件標準化技術委員會歸口

(SAC/TC78)。

本標準起草單位廈門永紅科技有限公司

:。

本標準主要起草人林桂賢王鋒濤申瑞琴

:、、。

本標準所代替標準的歷次版本發布情況為

:

———GB/T15878—1995。

Ⅱ

GB/T15878—2015

半導體集成電路

小外形封裝引線框架規范

1范圍

本標準規定了半導體集成電路小外形封裝引線框架以下簡稱引線框架的技術要求及檢驗

(SOP)()

規則

。

本標準適用于半導體集成電路小外形封裝沖制型引線框架

。

2規范性引用文件

下列文件對于本文件的應用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

電工電子產品環境試驗第部分試驗方法試驗引出端及整體安

GB/T2423.60—20082:U:

裝件強度

計數抽樣檢驗程序第部分