ICS31200

L56.

中華人民共和國國家標準

GB/T15877—2013

代替

GB/T15877—1995

半導體集成電路

蝕刻型雙列封裝引線框架規范

Semiconductorintegratedcircuits—

SpecificationofDIPleadframesproducedbyetching

2013-12-31發布2014-08-15實施

中華人民共和國國家質量監督檢驗檢疫總局發布

中國國家標準化管理委員會

GB/T15877—2013

前言

本標準按照給出的規則起草

GB/T1.1—2009。

本標準代替蝕刻型雙列封裝引線框架規范與相比主

GB/T15877—1995《》。GB/T15877—1995

要技術變化如下

:

關于第章規范性引用文件抽樣標準由代替

———2:GB/T2828.1—2012SJ/Z9007—1987,

改為增加引用文件

GB/T14112—1993GB/T14112—2015;GB/T2423.60—2008、SJ20129;

第章增加了標稱長度側蝕表面腐蝕芯片粘接區下陷的術語和定義

———3、、、;

引線框架尺寸中刪除了引線鍵合區的最小面積金屬間的間隔的有關內容

———4.1,、;

引線框架形狀和位置公差中刪除了精壓區共面性精壓區深度的有關內容增加了絕緣

———4.2,、,

間隙芯片粘接區下陷引線框架內部位置公差的有關要求

、、;

修改了側彎的要求原標準根據標稱長度進行規定本標準規定側彎不超過

———“”:,0.051mm;

修改了卷曲的要求原標準中僅規定了卷曲變形小于標稱條長的本標準根據材料的

———“”:0.3%,

厚度進行規定

;

修改了橫彎的要求原標準根據引線數及條寬數進行規定本標準根據標稱長度進行規定

———“”:,;

修改了條帶扭曲的要求原標準中僅規定了框架扭曲小于本標準將框架扭曲修改

———“”:0.5mm,

為條帶扭曲并根據材料的厚度進行規定

,;

修改了引線扭曲的要求原標準中僅規定了引線扭曲不大于本標準規定引線扭曲

———“”:0.01mm,

不超過

3°30';

修改了芯片粘接區斜度的要求原標準中分別規定了受壓和不受壓情況下的斜度本標準統

———“”:,

一規定為在長或寬每尺寸最大傾斜

2.54mm0.05mm;

修改了芯片粘接區平整度的要求本標準將芯片粘接區平面度修改為芯片粘接區平整度原

———“”:,

標準根據引線數來規定本標準統一規定為離每邊處平整度不大于

,0.127mm,0.005mm;

對引線框架外觀中相應條款進行了調整增加了毛刺凹坑壓痕劃痕側蝕和表面腐蝕

———4.3,、、、、

的有關要求

;

修改了局部鍍金的要求原標準中規定鍍金層厚度不小于本標準修改為不小于

———“”:1.0μm,

0.7μm;

修改了局部鍍銀的要求原標準中規定鍍銀層厚度不小于本標準修改為不小于

———“”:3.8μm,

3μm;

修改了鍍層外觀的要求在原標準的基礎上增加了對鍍層外觀的相關要求

———“”:,;

增加了銅剝離試驗的有關要求

———“”;

增加了銀剝離試驗的有關要求

———“”;

增加了鑒定批準程序的有關要求

———“”;

修改了檢驗要求的要求原標準采用一次性檢驗方法本標準修改質量一致性檢驗為由

———“”:,

組組組檢驗項目組成修改了檢驗要求中的抽樣方案

A、B、C;“”;

修改了貯存的有關要求原標準鍍銀引線框架保存期為三個月本標準規定為六個月

———“”:,。

本標準由中華人民共和國工業和信息化部提出

。

本標準由全國半導體器件標準化技術委員會歸口

(SAC/TC78)。

Ⅰ

GB/T15877—2013

本標準起草單位寧波東盛集成電路元件有限公司

:。

本標準起草人任忠平尹國欽

:、。

本標準所代替標準的歷次版本發布情況為

:

———GB/T15877—1995。

Ⅱ

GB/T15877—2013

半導體集成電路

蝕刻型雙列封裝引線框架規范

1范圍

本標準規定了半導體集成電路蝕刻型雙列封裝引線框架以下簡稱引線框架的技術要求和試驗方

()

法及檢驗規則

。

本標準適用于半導體集成電路蝕刻型雙列封裝引線框架鍍金及鍍銀單列蝕刻型引線框

(DIP)(),

架亦可參照使用

。

2規范性引用文件

下列文件對于本文件的應用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

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GB/T2423.60—20082:U:

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