ICS31.260L50中華人民共和國國家標準GB/T15651.3-2003/IEC60747-5-3:1997半導體分立器件和集成電路第5-3部分：光電子器件測試方法Discretesemiconductordevicesandintegratedcireuits-Part5-3：Optoelectronicdevices-Measuringmethods(IEC60747-5-3：1997，IDT)2003-11-24發布2004-08-01實施中華人民共和國發布國家質量監督檢驗檢疫總局

GB/T15651.3-2003/IEC60747-5-3：1997前言池圍2規范性引用文件3光發射器件測試方法3.1發光二極管的發光強度（小）3.2紅外發射二極管輻射強度（L）3.3L峰值發射波長(A)、光譜輻射帶寬(A)和縱模數(ua)3.4不帶尾纖的激光二極管發射源的長度、寬度和象散性.3.5光發射器件的半強度角和角偏差·……………·……··……··…………4光敏器件的測試方法·：··:··::：：··························：··4.1光電二極管(包括帶或不帶尾纖的器件)在光輻射下的反向電流（IRm或1r。）和光電品體管光輻射下的集電極電流（Iam或1a。）4.2光電二極管的暗電流1wm和光電品體管的暗電流1cmo.laeo.lam104.3光電品體管的集電極一發射極飽和電壓Vcr-"5光電合器測試方法…………5.1電流傳輸比(hrap）……………125.2輸入一輸出電容(C）5.3輸入一輸出隔離電阻（rm·5.4隔離試驗………………5.5光電幫合器的局部放電·…15光電柵合器的集電極一發射極的飽和電壓Vom"5.65.721附錄A（資料性附錄）標準對照表20

GB/T15651.3-2003/IEC60747-5-3：1997言本系列標準的預計結構為：-第5-1部分：光電子器件總則·第5-2部分：光電子器件基本額定值和特性：-第5-3部分：光電子器件測試方法。本部分等同采用IEC60747-5-3:1997《半導體分立器件和集成電路第5-3部分.光電子器件測試方法》英文版）。為為了與GB/T11499規定的參數符號統一，本部分將暗電流的符號規定為1ww·為便于使用.本部分作了下列編輯性修改：A）“IEC60747的本部分"字樣改為"本部分"：用小數點"."代替原文中作為小數點的逗號"."；C）刪除了本國際標準的前言，增加了本部分的前言；d）所有圖形均增加了圖題；e)）為了與GB/T1.1的規定協調統一,對部分條號作了調整；5.1.3和5.1.4中"IR”改為“1mm，”或"1Ra”；g）_5.6.1.4和5.6.1.5中"基極電流1a"改為“輸人電流1e"；h）圖25的說明中"lam.”改為"la”,"1aom”改為“.”。本部分的附錄A為資料性附錄。本部分由中華人民共和國信息產業部提出：本部分由中國電子技術標準化研究所(CESI)歸口。本部分起草單位：華禹光谷股份有限公司半導體廠本部分主要起草人：陳蘭、那仁、王守華。即將出版。

GB/T15651.3一2003/IEC60747-5-3:1997半導體分立器件和集成電路第5-3部分：光電子器件測試方法1范圍本部分適用于光電子器件的測試方法.用于光纖系統或子系統的除外規范性引用文件下列文件中的條款通過GB/T15651的本部分的引用而成為本部分的條款。凡是注日期的引用文件.其隨后所有的修改單(不包括勒誤的內容)或修訂版均不適用于本部分.然而.鼓勵根據本部分達成協議的各方研究是否可使用這些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本適用于本部分。GB/T2421—1999電工電子產品環境試驗第1部分：總則(idtIEC60068-1:1988)IEC60270:1981局部放電測量法光發射器件測試方法3.1發光二極管的發光強度（I)3.1.1目的測量半導體發光二極管的發光強度該方法適用于三種狀態下對發光強度的測量狀態1將發光二極管繞機械軸旋轉，測量發光強度的最