標準解讀

《GB/T 1557-1989 硅晶體中間隙氧含量的紅外吸收測量方法》與前一版《GB 1557-1983》相比，主要在以下幾個方面進行了調整和完善：

  1. 標準性質的變化：從標準編號可見，《GB/T 1557-1989》由原來的強制性國家標準（GB）轉變為推薦性國家標準（GB/T），意味著該標準的應用不再是強制要求，而是推薦給行業和企業參考使用。

  2. 技術內容更新：新版標準可能對硅晶體中間隙氧含量的測量原理、操作步驟、儀器設備要求等方面進行了細化或修訂，以適應技術進步和測量精度提升的需求。具體而言，可能包括了更精確的校準方法、更嚴格的樣品處理流程或是對測量環境條件的更詳細規定。

  3. 檢測限與精度提升：隨著分析技術的發展，新標準很可能會設定更為嚴格的檢測限值，提高測量結果的準確性和重復性，以滿足高純度硅材料生產中的質量控制需求。

  4. 術語和定義的明確：為了統一行業理解和應用，新標準可能對涉及的專業術語給出了更精確的定義，或者新增了一些與當時技術發展相匹配的概念解釋。

  5. 試驗方法的優化：考慮到實際操作中的可行性與效率，新標準可能對原有的試驗方法進行了優化，簡化了某些復雜步驟，或者引入了新的測量技巧和數據處理方法。

  6. 質量控制與驗證：增加了對測量過程的質量控制要求，如樣品準備、儀器校正、數據處理及結果驗證的具體指導，確保測試結果的可靠性和可比性。


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  • 被代替
  • 已被新標準代替，建議下載現行標準GB/T 1557-2006
  • 1989-03-31 頒布
  • 1990-02-01 實施
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文檔簡介

UDC669.782:543.42H21中華人民共和國國家標準GB1557-89硅晶體中間隙氧含量的紅外吸收測量方法Themethodofdetermininginterstitialoxygencontentinsiliconbyinfraredabsorption1989-03-31發布1990-02-01實施國家技術監督局發布

中華人民共和國國家標準硅晶體中間隙氧含量的GB1557-89紅外吸收測量方法Themethodofdetermininginterstitial代竹GB1557-83oxygencontentinsiliconbyinfraredabsorption主題內容與適用范圍本標準規定了用紅外吸收測定硅晶體中間隙氧含量的方法。本標準適用于室溫電阻率大于0.12·cm的硅晶體中氧含量的測量。量范圍為：的濃度從3.5×101at·cmr3至最大固溶度。2原理2.1本方法是用紅外光譜儀測定硅－氧鍵在1107cm-（9.03344m）處的紅外吸收系數來確定硅晶體中間隙氧的含量。凡是有該硅－氧鍵特征吸收帶的任何晶體均可適用。2.2本方法借助于硅單晶中氧含量與1107cm-處紅外吸收系數之間的關系。3測量儀器1雙光束紅外分光光度計或傅立葉變換紅外光譜儀。，儀器在1107cm3.1處的分辨率應小于5cm。3.22測量樣品架。3.3低溫測量裝置，能使試樣和參比樣品維持78K的溫度。3.4千分尺，精度0.01mm。3.5標準平面平晶。試樣制備4.1測量試樣的制備4.1.1切取的試樣經雙面研磨，兩表面無刀痕、劃傷，試樣的厚度偏差應小于104m。“.1.2研磨后的試樣經機械拋光或化學拋光（仲裁時應用機械拋光樣品），使兩表面均呈鏡面，在測量部位應無桔皮和小坑。4.1.3在試樣測量部位，兩表面的中整度均不大于2.2Pm.4.1.4在測量部位試樣的厚度差應不大于10Pm。氧含量大于或等于1×10！at·cm-3的試樣厚度約為2mm；4.1.5氧含量小于1×10"at·cm-3的試樣厚度約為10mm。4.2參比樣品的選取與制備“.2.1參比樣品用78K空氣參為法選取（見附錄A）。4.2.2參比樣品的制備同4.1.1～4.1.4條。4.2.3參比樣品與待測

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