ICS29.045H21中華人民共和國國家標準GB/T1555-1997半導體單晶晶向測定方法Testmethodsfordeterminingtheorientationofasemiconductorsinglecrystal1997-12-22發布1998-08-01實施國家技術監督局發布

GB/T1555-1997本標準等效采用ASTMF26—87a《半導體單晶晶向測定方法》,對GB1555—79《硅單晶晶向光圖測量方法》、GB1556—79《硅單晶晶向X光衍射測量方法》GB5254—85《錯單品晶向X光衍射測定方法》GB5255—85《錯單晶晶向光反射圖像測定方法》及GB8759—88《化合物半導體單晶晶向X光反射測量方法》行修訂，將上述5個標準合并為本標準，本標準技術內容與ASTMF26等效，分為方法AX射線衍射方法和方法B光圖定向法兩種方法。等效采用ASTMF26時,刪去"安全措施”的內容，使用X射線的安全措施按我國有關規定執行。本標準內容比原5個標準都詳細、完整，結構上科學、合理。本標準實施之日起，代替GB1555—79、GB1556-79、GB5254-85、GB5255-85、GB8759-88。本標準由中國有色金屬工業總公司提出。本標準由中國有色金屬工業總公司標準計量研究所歸口。本標準由峨嵋半導體材料廠負責起草。本標準主要起草人：康自衛、劉文魁、王鴻高。本標準于1979年6月首次發布,1997年第一次修訂。

中華人民共和國國家標準GB/T1555-1997代背GB1555-半導體單晶晶向測定方法7GB1556-79GB5254-15CB8759Testmethodsfordeterminingtheorientation-88ofasemiconductorsinglecrystal1范圍本標準規定了半導體單晶晶向X射線衍射定向和光圖定向的方法，本標準適用于測定半導體單品材料大致平行于低指數原子面的晶體的表面取向。1.2本標準包括兩種試驗方法：1.2.1方法AX射線衍射定向法。該方法可用于所有半導體單品的定向。1.2.2方法B光圖定向法。該方法目前主要用于單一元素半導體單品的定向。2引用標準下列標準所包含的條文，通過在本標準中引用而構成本標準的條文。在標準出版時，所示版本均為有效。所有標準都會被修訂，使用本標準的各方應探討使用下列標準最新版本的可能性。GB2477—83磨料粒度及其組成3意義3.1測定半導體單品和晶片的取向是材料驗收的一項重要要求，因為材料的晶向決定著制造半導體器件的各種參數。3.2X射線衍射法是一種非破壞性的高精度定向方法，但使用設備時應嚴格遵守其安全操作規程3.3光圖定向法需腐蝕試樣，因此要破壞拋光片表面。該方法的精度低于X射線衍射法，但設備要求不那么復雜。方法AX射線衍射定向法方法提要4.1以三維周期性品體結構排列的單品的原子，其品體可以看作原子排列于空間垂直距離為的系列平行平面所形成，當一束平行的單色X射線射入該平面上,且X射線照在相鄰平面之間的光程差為其波長的整數倍即倍時，就會產生衍射(反射)。利用計數器探測衍射線，根據其出現的位置即可確定單品的品向，如圖1所示。當入射光束與反射平面之間夾角6、X射線波長入、品面間距及衍射級數機同時滿足下面布喇格定律取值時,X射線衍射光束強度將達到最大值：n一2dsin0······