ICS77040

CCSH.21

中華人民共和國國家標準

GB/T1555—2023

代替GB/T1555—2009

半導體單晶晶向測定方法

Testmethodsfordeterminingtheorientationofasemiconductivesinglecrystal

2023-08-06發布2024-03-01實施

國家市場監督管理總局發布

國家標準化管理委員會

GB/T1555—2023

前言

本文件按照標準化工作導則第部分標準化文件的結構和起草規則的規定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

。

本文件代替半導體單晶晶向測定方法與相比除結構調

GB/T1555—2009《》,GB/T1555—2009,

整和編輯性改動外主要技術變化如下

,:

更改了射線衍射定向法的適用范圍見第章年版的第章

a)X(1,20091);

增加了試驗條件見第章

b)(4);

更改了射線衍射法定向法的原理見年版的第章

c)X(5.1,20094);

增加了樣品的要求見和

d)(5.46.4);

更改了試驗數據處理見年版的第章

e)(5.6,200914);

更改了射線衍射法定向法的精密度見年版的第章

f)X(5.7,200915);

更改了光圖定向法的干擾因素見年版的

g)(6.2.1,200912.1);

更改了研磨工序中使用的研磨材料見年版的

h)(6.4.1,200911.1);

更改了硅單晶材料的腐蝕溫度范圍見年版的

i)(6.4.2,200911.2);

增加了半導體晶體部分晶面布拉格角見附錄

j)(A)。

請注意本文件的某些內容可能涉及專利本文件的發布機構不承擔識別專利的責任

。。

本文件由全國半導體設備和材料標準化技術委員會和全國半導體設備和材料標準

(SAC/TC203)

化技術委員會材料分技術委員會共同提出并歸口

(SAC/TC203/SC2)。

本文件起草單位中國電子科技集團公司第四十六研究所有色金屬技術經濟研究院有限責任公

:、

司浙江金瑞泓科技股份有限公司有研國晶輝新材料有限公司浙江海納半導體股份有限公司哈爾

、、、、

濱科友半導體產業裝備與技術研究院有限公司云南馳宏國際鍺業有限公司北京通美晶體技術股份有

、、

限公司浙江旭盛電子有限公司中國電子科技集團公司第十三研究所丹東新東方晶體儀器有限公司

、、、、

國標北京檢驗認證有限公司新美光蘇州半導體科技有限公司

()、()。

本文件主要起草人許蓉劉立娜李素青龐越馬春喜張海英林泉尚鵬麻皓月潘金平

:、、、、、、、、、、

廖吉偉崔丁方任殿勝王元立陳躍驊孫聶楓趙松彬王書明李曉嵐史艷磊趙麗麗夏秋良

、、、、、、、、、、、。

本文件及其所代替文件的歷次版本發布情況為

:

年首次發布為和

———1979GB1555—1979GB1556—1979;

年第一次修訂為和

———1985GB5254—1985GB5255—1985;

年第二次修訂時合并為

———1988GB8759—1988;

年第三次修訂為年第四次修訂

———1997GB/T1555—1997;2009;

本次為第五次修訂

———。

Ⅰ

GB/T1555—2023

半導體單晶晶向測定方法

1范圍

本文件描述了射線衍射定向和光圖定向測定半導體單晶晶向的方法

X。

本文件適用于半導體單晶晶向的測定射線衍射定向法適用于測定硅鍺砷化鎵碳化硅氧化

。X、、、、

鎵氮化鎵銻化銦和磷化銦等大致平行于低指數原子面的半導體單晶材料的表面取向光圖定向法適

、、;

用于測定硅鍺等大致平行于低指數原子面的半導體單晶材料的表面取向

、。

2規范性引用文件

下列文件中的內容通過文中的規范性引用而構成本文件必不可少的條款其中注日期的引用文

。,

件僅該日期對應的版本適用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于

,;,()

本文件

。

固結磨具用磨料粒度組成的檢測和標記第部分粗磨粒

GB/T2481.11:F4~F220

固結磨具用磨料粒度組成的檢測和標記第部分微粉

GB/T2481.22:

半導體材料術語

GB/T14264

3術語和定義

界定的術語和定義適用于本文件

GB/T14264。

4試驗條件

環境溫度相對濕度

:23℃±5℃;:20%~75%。

5X射線衍射定向法

51原理

.

以三維周期性晶體結構排列的單晶原子其晶體可以看作原子排列于空間晶面間距d的一系列

,()

平行平面所形成當一束平行的單色射線射入該平面上且射線照在相鄰平面之間的光程差為其

,X