標準解讀
GB/T 15450-1995 是一項中華人民共和國國家標準,全稱為《硅雙柵場效應晶體管 空白詳細規范》。該標準主要規定了硅雙柵場效應晶體管(Silicon Double Gate Field Effect Transistor)的技術要求、測試方法以及質量評定規則,旨在為該類器件的設計、生產、檢驗及應用提供統一的標準依據。
標準內容概覽
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范圍:明確了本標準適用的硅雙柵場效應晶體管類型,包括其基本結構、工作原理及預期使用環境。
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引用標準:列出了實施本標準時需要參考的其他相關國家標準或國際標準,確保各項技術指標和測試方法的一致性和準確性。
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術語和定義:對標準中涉及的專業術語進行了解釋和定義,幫助讀者準確理解標準內容。
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分類與命名:根據硅雙柵場效應晶體管的不同特性(如溝道類型、極性、封裝形式等)進行分類,并規定了相應的命名規則。
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技術要求:
- 電氣參數:規定了諸如開啟電壓、漏源飽和電流、跨導、輸入輸出特性曲線等關鍵電氣性能指標及其允許的偏差范圍。
- 機械與物理特性:包括封裝尺寸、引腳排列、耐壓強度、溫度特性等要求。
- 可靠性要求:設定了器件在特定條件下的壽命、穩定性及抗干擾能力等標準。
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試驗方法:詳細描述了如何進行各項性能測試,確保測試結果的可重復性和準確性。包括測試環境、測試儀器、測試步驟等。
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檢驗規則:規定了產品檢驗的程序、抽樣方案、合格判定準則等,確保出廠產品的質量符合標準要求。
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標志、包裝、運輸和貯存:對產品的標識信息、包裝要求、在運輸和貯存過程中的保護措施進行了規定,以防止損壞并便于追溯。
實施意義
該標準的制定和實施有助于提升硅雙柵場效應晶體管的產品質量,促進產業標準化進程,方便國內外貿易交流,同時為用戶提供可靠的質量評估依據,保障電子設備的穩定運行和長期可靠性。
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- 廢止
- 已被廢除、停止使用,并不再更新
- 1995-01-05 頒布
- 1995-08-01 實施



文檔簡介
UDC.621.382.33L44中華人民共和國國家標準CB/T15450-1995硅雙柵場效應晶體管空白詳細規范Blankdetailspecificationforsilicondual-gatefield-effecttransistors1995-01-05發布1995-08-01實施國家技術監督局發布
(京)新登字023號中華人民共和國國家標準硅雙柵場效應晶體管空白詳細規范GB/T15450-1995中國標準出版社出版發行北京西城區復興門外三里河北街16號郵政編碼:10XX45電話:63787337、637874471995年7月第一版2004年12月電子版制作書號:155066·1-11559版權專有侵權必究舉報電話:(010)68533533
中華人民共和國國家標準硅雙柵場效應晶體管cB/T15450-1995空Blankdetailspecificationforstlicondual-gatefield-effecttransistors本空白詳細規范規定了制訂硅雙柵場效應品體管詳細規范的基本原則,制訂該范圍內的所有詳細規范應與本空白詳細規范一致。本空白詳細規范是半導體器件空白詳細規范系列中的一個,并應與下列規范一起使用:GB4589.1《半導體器件分立器件和集成電路總規范》,GB12560《半導體器件分立器件分規范》要求資料:本頁及下頁括號內所示的數字,對應于以下要求資料的項目,并列入規定的欄目中。詳細規范的識別:(1)批準發布本詳細規范的組織:國家標準機構的名稱(2)詳細規范的IECQ號。(3)總規范號,分規范號和版本號。(4)詳細規范號,發布日期及國家體系要求的任何更多的資料。器件的識別:(5)器件類型的簡單說明。(6)典型結構和應用的資料.如果設計一種器件滿足若干應用,則應在詳細規范中指出。對于這些應用特性、極限值及檢驗要求均應滿足。對靜電敏感器件,應寫上警告說明,(7)外形圖和(或)引用有關的外形文件,(8)質量評定類別。(9)能在器件類型之
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