標準解讀

《GB/T 13592-1992 表面分析術語》是中國一項關于表面分析領域專業術語的標準文件。此標準旨在統一和規范在材料科學、化學、物理學及其交叉學科中，進行物體表面及近表面層特性分析時所使用的專業詞匯和定義，以促進學術交流和技術文檔的一致性與準確性。下面是對該標準主要內容的概述：

  1. 范圍：標準明確了適用范圍，即規定了在進行材料表面分析時常用的各種技術、方法以及分析結果表述中涉及的關鍵術語及其定義。

  2. 術語定義：

    • 表面分析：指對材料表面或近表面區域的化學成分、元素分布、分子結構、晶體結構、電子態及表面形貌等特性的分析技術。
    • 散射法：通過測量入射粒子（如光子、電子）與樣品表面相互作用后散射的強度和角度來分析表面結構和成分的方法。
    • 吸附分析：研究氣體或液體分子在固體表面吸附行為的技術，包括物理吸附和化學吸附。
    • 光電子能譜（PES）：一種利用高能粒子（如X射線或紫外線）激發樣品表面原子或分子，測量逸出的光電子能量分布來確定表面元素種類和電子態的技術。
    • 二次離子質譜（SIMS）：通過轟擊樣品表面產生并檢測二次離子，以分析表面和淺表層的元素組成和同位素比的技術。
    • 原子力顯微鏡（AFM）：利用探針在樣品表面掃描，通過檢測探針與樣品間原子間力的變化來獲得表面微觀形貌信息的高分辨率成像技術。

  3. 分析深度與分辨率：標準還界定了分析技術所能達到的深度范圍和空間分辨率，幫助用戶根據分析需求選擇合適的方法。

  4. 數據處理與解釋：介紹了表面分析數據的基本處理方法和解釋原則，確保分析結果的準確性和可比性。


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  • 廢止
  • 已被廢除、停止使用，并不再更新
  • 1992-08-20 頒布
  • 1993-03-01 實施
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GB/T 13592-1992表面分析術語_第1頁
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文檔簡介

UDC620.18：001.4A42中華人民共和國國家標準GB/T13592-92表面分析術語Termsrelatingtosurfaceanalysis1992-08-20發布1993-03-01實施國家技術監督局發布

目次一主題內容與適用范圍俄歇電子能譜術射線光電子能譜術二次離子質譜術55離子散射譜術附錄A漢語拼音索引補充件）012附錄B英文索引補充件》·（14）

中華人民共和國國家標準GB/T13592-92析術面分語Termsrelatingtosurfaceanalysis1主題內客與適用范圍本標準規定了表面分析四種常用技術(俄歇電子能譜術、X射線光電子能譜術、二次離子質譜術和離子散射譜術)的基本術語。本標準適用于制訂表面分析標準與編寫技術文件和書刊時使用歌電子能譜術2.1歇電子能譜術Augerelectronspectroscopy用電子或其他激發源使樣品原子的內電子殼層形成空位并發生俄歇過程.測量俄歇電子能量分布的技術。取英文字首簡稱AES。2.2俄歇過程Augerprocess內電子殼層有空位的原子通過發射電子的弛豫過程.2.3歇電子Augerelectron俄歇過程所發射的電子。2.4俄歇電子產額Augerclcctornyield在特定的內電子殼層有空位的原子，經俄歇過程而弛豫的幾率2.5俄歇躍遷Augertransition俄歇躍遷以有關的電子殼層標志。一般用三個字母,第一字母表示初始空位所在的殼層，后兩字母表示發生俄歌發射后形成的兩個空位所在的殼層(如KLL,LMN)。當躍遷涉及鍵合電子時,用字母V表示(如LMV,KVV)。如果知悉躍遷有關的特定電子亞殼層,則可加亞殼層標志(如KL.L.)。如果合項已知,則也可注明合項(如LaMi.M,.,D)。對復雜的俄歇過程(如多重起始電離、附加的電子激發)可籽初態和終態用短劃"-"分開(如LL-VV、K-VVV)。2.6Coster-Kronig躍遷Coster-Kronigtransition俄歇過程涉及的電子中有一個電子與初始空位在同一主殼層(如L,LM),則稱此過程為Coster-Kronig躍遷。如果兩個電子都與初始空位在同一主殼層(如M.M.M.),則稱為超Coster-Kronig躍遷。2.7歇躍遷速率Augertransitionrate單位時間內，兩個束縛電子發生能量狀態躍遷的幾率。在此躍遷中，一個電子填入內電子殼層的初始空位，而另一個電子則進入能量為正的連續區終態，2.8電離數面ionizationcross-section一入射粒子穿越氣體或固體時發生電離碰撞的幾率。總電離截面包括由初級電離碰撞和隨后的Coster-Kronig或俄歌衰變過程所產生的所有電子空位。分電離截面則僅含某一特定過程產生的電子空位,例如在一特定殼

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