標準解讀

GB/T 13178-1991 是一項中華人民共和國國家標準，全稱為《金硅面壘型探測器》。這項標準詳細規定了金硅面壘型探測器（Gold-Silicon Surface Barrier Detector）的技術要求、試驗方法、檢驗規則以及標志、包裝、運輸和儲存要求，旨在統一和提升此類探測器的質量與性能指標，確保其在核物理實驗、輻射監測、環境檢測等領域的可靠應用。

技術要求部分：

  • 材料與結構：明確了金硅面壘型探測器應采用高純度硅單晶作為基材，并在其表面沉積一層薄金膜形成阻擋層。對硅片的電阻率、純度以及金膜的厚度和均勻性有具體規定。
  • 電性能指標：規定了探測器的泄漏電流、耗盡層寬度、能量分辨率等關鍵電性能參數的最低要求，以確保探測器具有良好的靈敏度和穩定性。
  • 機械及環境適應性：包括了對外形尺寸、機械強度、工作溫度范圍以及抗輻射能力等方面的要求，確保探測器在不同環境條件下的穩定工作性能。

試驗方法部分：

  • 描述了如何測試和評估探測器的各項技術指標，如使用特定的電壓源測量泄漏電流，通過輻射源測試能量分辨率等，確保測試過程的標準化和可重復性。

檢驗規則部分：

  • 規定了產品出廠前應進行的檢驗類型（如全檢或抽樣檢驗）、檢驗項目、合格判定準則等，確保每批產品的質量符合標準要求。

標志、包裝、運輸和儲存部分：

  • 要求制造商需在產品上明確標注型號、生產日期、制造商信息等，并對包裝材料、方式以及在運輸和儲存過程中的環境條件（如溫度、濕度）提出具體要求，以防止探測器在非使用階段受損。

該標準的實施為金硅面壘型探測器的生產和應用提供了統一的標準依據，有助于提升產品的互換性和兼容性，促進相關行業技術進步和市場健康發展。


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  • 被代替
  • 已被新標準代替，建議下載現行標準GB/T 13178-2008
  • 1991-04-11 頒布
  • 1992-05-01 實施
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文檔簡介

UDC539.1.074.5F88中華人民共和國國家標準GB/T13178-91金硅面壘型探測器Partiallydepletedgoldsiliconsurfacebarrierdetectors1991-04-11發布1992-05-01實施國家技術監督局發布

(京)新登字023號中華人民共和國國家標準金硅面墊型探測器GB/T13178-91中國標準出版社出版發行北京西城區復興門外三里河北街16號郵政編碼：100045htp//電話：63787337、637874471992年6月第一版2004年12月電子版制作書號：155066·1-8721版權專有浸權必究舉報電話：（010）68533533

中華人民共和國國家標準專硅面壘型探測器金CB/T13178-91Partiallydepletedgoldsiliconsurfacebarrierdetectors主題內客與適用范摩本標準規定了部分耗盡金硅面全型探測器(簡稱探測器)的分類、技術要求、測試方法、檢驗規則等。本標準適用于部分耗盡金硅面全型探測器(不包括位置靈敏探測器)。鋰源移金硅面全型探測器也可參照執行、2引用標準GB5201帶電粒子半導體探測器測試方法GB10257核儀器與核輻射探測器質量檢驗規則術語、符號、代號3.1術語3.1.1面壘型半導體探測器surfacebarriersemiconductordetector由表面上的反型層產生的結形成勢壘的半導體探測器。3.1.2耗盡層(靈敏層）depletionlanyer半導體探測器中構成靈敏體積的一層半導體材料，粒子在其中損耗能量的絕大部分對輸出信號均有貢獻3.1.3部分耗盡partialdepletion耗盡層深度小于半導體材料基片的厚度，3.1.4靈敏面積8ensitivearea探測器中輻射最易進入耗盡層的那部分面積。3.1.5半高寬（FwHM）fullwidthathalfmaximum在僅由單峰構成的分布曲線上，峰值一半處兩點的橫坐標之間的距離。3.1.6能量分辨率energyresolution深測器對能譜高度分布FWHM的貢獻（包括探測器漏電流噪聲)以能量單位表示.3.2符號、代號3.2.1Q對"Am源5.486MeV的粒子，使用標準電子學設備，成形時間常數為0.5rs時,表示整個系統的分辨率(keV)。3.2.2B在3.2.1同樣條件下,表示由脈沖產生器信號峰的半高寬(FWHM)近似的

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