犐犆犛２９．０４５

犎８３

中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)

犌犅／犜１１０９３—２００７

代替ＧＢ／Ｔ１１０９３—１９８９

液封直拉法砷化鎵單晶及切割片

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２００７０９１１發(fā)布２００８０２０１實施

中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗檢疫總局

發(fā)布

中國國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會

書

犌犅／犜１１０９３—２００７

前言

本標(biāo)準(zhǔn)是對ＧＢ／Ｔ１１０９３—１９８９《液封直拉法砷化鎵單晶及切割片》的修訂。

本標(biāo)準(zhǔn)與ＧＢ／Ｔ１１０９３—１９８９相比，主要有如下變動：

———單晶和切割片的牌號按照ＧＢ／Ｔ１４８４４《半導(dǎo)體材料牌號表示方法》進行了修訂；

———增加了７６．２ｍｍ（３ｉｎ）、１００ｍｍ、１２５ｍｍ和１５０ｍｍ規(guī)格的產(chǎn)品；

———增加了摻入碳等雜質(zhì)元素的產(chǎn)品；

———去掉了４０ｍｍ規(guī)格的產(chǎn)品；

———取消了按位錯密度對產(chǎn)品進行分級。

本標(biāo)準(zhǔn)自實施之日起，代替ＧＢ／Ｔ１１０９３—１９８９。

本標(biāo)準(zhǔn)由中國有色金屬工業(yè)協(xié)會提出。

本標(biāo)準(zhǔn)由全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會材料分技術(shù)委員會歸口。

本標(biāo)準(zhǔn)起草單位：北京有色金屬研究總院。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人：張峰翊、鄭安生。

本標(biāo)準(zhǔn)所代替標(biāo)準(zhǔn)的歷次版本發(fā)布情況為：

———ＧＢ／Ｔ１１０９３—１９８９。

Ⅰ

書

犌犅／犜１１０９３—２００７

液封直拉法砷化鎵單晶及切割片

１范圍

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了液封直拉法砷化鎵單晶及切割片的要求、試驗方法、檢驗規(guī)則和標(biāo)志、包裝運輸貯

存等。

本標(biāo)準(zhǔn)適用于液封直拉法制備的砷化鎵單晶及其切割片。產(chǎn)品供制作微波器件、集成電路、光電器

件、傳感元件和紅外線窗口等元器件用材料。

２規(guī)范性引用文件

下列文件中的條款通過本標(biāo)準(zhǔn)的引用而成為本標(biāo)準(zhǔn)的條款。凡是注日期的引用文件，其隨后所有

的修改單（不包括勘誤的內(nèi)容）或修訂版均不適用于本標(biāo)準(zhǔn)，然而，鼓勵根據(jù)本標(biāo)準(zhǔn)達成協(xié)議的各方研究

是否可使用這些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本適用于本標(biāo)準(zhǔn)。

ＧＢ／Ｔ１５５５半導(dǎo)體單晶晶向測定方法

ＧＢ／Ｔ２８２８．１計數(shù)抽樣檢驗程序第１部分：按接收質(zhì)量限（ＡＱＬ）檢索的逐批檢驗抽樣計劃

ＧＢ／Ｔ４３２６非本征半導(dǎo)體單晶霍爾遷移率和霍爾系數(shù)測量方法

ＧＢ／Ｔ８７６０砷化鎵單晶位錯密度測量方法

ＧＢ／Ｔ１３３８７電子材料晶片參考面長度測量方法

ＧＢ／Ｔ１４２６４半導(dǎo)體材料術(shù)語

ＧＢ／Ｔ１４８４４半導(dǎo)體材料牌號表示方法

ＧＪＢ１９２７砷化鎵單晶材料測試方法

３要求

３．１產(chǎn)品分類

產(chǎn)品按導(dǎo)電類型和電阻率分為半絕緣型（ＳＩ型），低阻導(dǎo)電型（ｎ型和ｐ型）。

３．２牌號

３．２．１單晶的牌號表示為

ＬＥＣＧａＡｓ□（）＜＞

用密勒指數(shù)表示的晶向

導(dǎo)電類型，擴號內(nèi)元素符號為摻雜劑，如果有兩個或兩個以上的摻雜劑，

中間用“＋”連接

砷化鎵材料的分子式

表示砷化鎵單晶的生長方法為液封直拉法

若單晶不強調(diào)生產(chǎn)方法或不摻雜時，其相應(yīng)牌號部分可以省略。

示例：

ＬＥＣＧａＡｓＳＩ＜１００＞表