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文檔簡介
半導體物理習題課件第五章用強光照射n型樣品,假定光被均勻吸收,產生過剩載流子,產生率為,空穴的壽命為。⑴寫出光照下過剩載流子滿足的方程⑵求出光照達到穩定狀態時過剩載流子濃度解答:⑴少子(過剩載流子)滿足的運動方程為:根據題意:①光被均勻的吸收,故不存在少子濃度梯度,故擴散項為零。②電場為零,不存在漂移因素,則漂移項為零∴過剩少子滿足⑵穩態時,半導體材料壽命,光照時產生非平衡載流子,試求光照突然停止后,非子衰減到原來的百分之幾?解答:t=0時非子濃度為當而時非子衰減為原來的:畫出p型半導體在光照(小注入)前后的能帶圖,標出原來的費米能級和光照時的準費米能級。解答:,且,故偏離較小,,偏離較大,,,,對Si,,光照產生,試計算準費米能級位置,并與原來的費米能級作比較。解答:<2><1><2>代入<1>得:解出又①原來的費米能級位置:由可得:②由可得:③①+③得②-①得對N型半導體,偏離較小,而偏離較大p型Ge,T=300K,,解答:,求電子的擴散長度。由愛因斯坦關系:,空穴濃度線性分布,
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