1、2019 年 4 月 9 日科目錄 HYPERLINK l _bookmark0 行業(yè)領(lǐng)軍人物構(gòu)建強(qiáng)大的研發(fā)團(tuán)隊(duì)4 HYPERLINK l _bookmark2 持續(xù)的關(guān)鍵技術(shù)創(chuàng)新5 HYPERLINK l _bookmark11 獲中國(guó)政府大力支持8 HYPERLINK l _bookmark13 專注刻蝕和薄膜沉積設(shè)備9 HYPERLINK l _bookmark18 行業(yè)前景：市場(chǎng)規(guī)模500 億美元，刻蝕設(shè)備占比上升12 HYPERLINK l _bookmark20 中長(zhǎng)期看，半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)增長(zhǎng)的三大動(dòng)因可持續(xù)性強(qiáng)12 HYPERLINK l _bookmark24 刻蝕設(shè)備占比 15

2、%-20%，且占比逐年上升13 HYPERLINK l _bookmark27 行業(yè)集中度高，中微介質(zhì)刻蝕市占率不足 5%15 HYPERLINK l _bookmark33 中微競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)18 HYPERLINK l _bookmark38 募投項(xiàng)目202019 年 4 月 9 日科創(chuàng)圖表目錄 HYPERLINK l _bookmark1 圖表 1. 核心技術(shù)團(tuán)隊(duì)成員4 HYPERLINK l _bookmark3 圖表 2.電容等離子體刻蝕設(shè)備核心技術(shù)概況5 HYPERLINK l _bookmark4 圖表 3. 電容等離子體刻蝕設(shè)備核心技術(shù)具體表征5 HYPERLINK l _bookm

3、ark5 圖表 4. 電感性等離子體刻蝕設(shè)備核心技術(shù)概況6 HYPERLINK l _bookmark6 圖表 5. 電感性等離子體刻蝕設(shè)備核心技術(shù)具體表征6 HYPERLINK l _bookmark7 圖表 6. 深硅刻蝕設(shè)備（TSV 系列）核心技術(shù)概況6 HYPERLINK l _bookmark8 圖表 7. 深硅刻蝕設(shè)備（TSV 系列）核心技術(shù)具體表征6 HYPERLINK l _bookmark9 圖表 8. MOCVD 設(shè)備核心技術(shù)概況6 HYPERLINK l _bookmark10 圖表 9. MOCVD 設(shè)備核心技術(shù)具體表征7 HYPERLINK l _bookmark12

4、 圖表 10. 中微重大專項(xiàng)研發(fā)項(xiàng)目8 HYPERLINK l _bookmark14 圖表 11. 中微主要產(chǎn)品演變9 HYPERLINK l _bookmark15 圖表 12. Semicon China 展會(huì)新產(chǎn)品統(tǒng)計(jì)10 HYPERLINK l _bookmark16 圖表 13. 國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備企業(yè)收入規(guī)模對(duì)比單位：億元11 HYPERLINK l _bookmark17 圖表 14. 中微半導(dǎo)體近三年收入結(jié)構(gòu)11 HYPERLINK l _bookmark19 圖表 15. 2018-2019 年全球半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模的最新預(yù)測(cè)12 HYPERLINK l _bookmark21

5、 圖表 16. AI 大數(shù)據(jù)時(shí)代的半導(dǎo)體制程設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模再上臺(tái)階12 HYPERLINK l _bookmark22 圖表 17. 等離子刻蝕工藝步驟隨制程微縮而大幅增加13 HYPERLINK l _bookmark23 圖表 18. 線寬微縮和 3D 化拉動(dòng)晶圓制造設(shè)備投資劇增13 HYPERLINK l _bookmark25 圖表 19. 2017 年集成電路行業(yè)各類設(shè)備銷售額占比14 HYPERLINK l _bookmark26 圖表 20. 2017 年各類晶圓制造設(shè)備的市場(chǎng)規(guī)模占比變化趨勢(shì)14 HYPERLINK l _bookmark28 圖表 20. 全球半導(dǎo)體設(shè)備企業(yè)市占

6、率15 HYPERLINK l _bookmark29 圖表 21. 各類制程設(shè)備的行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)格局15 HYPERLINK l _bookmark30 圖表 22. 中微在干法刻蝕及介質(zhì)刻蝕設(shè)備的全球市占率16 HYPERLINK l _bookmark31 圖表 23. 中微在國(guó)內(nèi)某兩個(gè)存儲(chǔ)廠商刻蝕設(shè)備的訂單份額16 HYPERLINK l _bookmark32 圖表 24. 國(guó)內(nèi) MOCVD 設(shè)備行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)格局17 HYPERLINK l _bookmark34 圖表 25. 中微電容性等離子體刻蝕設(shè)備競(jìng)爭(zhēng)力18 HYPERLINK l _bookmark35 圖表 26. 中微電感性等離子

7、體刻蝕設(shè)備競(jìng)爭(zhēng)力18 HYPERLINK l _bookmark36 圖表 27. 中微深硅刻蝕設(shè)備（TSV 系列）競(jìng)爭(zhēng)力18 HYPERLINK l _bookmark37 圖表 28. 中微 MOCVD 設(shè)備競(jìng)爭(zhēng)力18 HYPERLINK l _bookmark39 圖表 29. 中微電感性等離子體刻蝕設(shè)備競(jìng)爭(zhēng)力20 HYPERLINK l _bookmark40 圖表 30. 報(bào)告中提及上市公司估值表21行業(yè)領(lǐng)軍人物構(gòu)建強(qiáng)大的研發(fā)團(tuán)隊(duì)公司創(chuàng)始人、董事長(zhǎng)及總經(jīng)理尹志堯博士：在半導(dǎo)體芯片和設(shè)備產(chǎn)業(yè)有 35 年行業(yè)經(jīng)驗(yàn)，是國(guó)際等離子體刻蝕技術(shù)發(fā)展和產(chǎn)業(yè)化的重要推動(dòng)者；擁有應(yīng)用材料、泛林半導(dǎo)體等

8、國(guó)際一流半導(dǎo)體設(shè)備企業(yè)研發(fā)、管理經(jīng)驗(yàn)。創(chuàng)辦中微公司以前， 尹博士于 1984 年至 1986 年間供職于英特爾，從事核心技術(shù)開發(fā)工作；于 1986 年至 1991 年間在泛林半導(dǎo)體負(fù)責(zé)領(lǐng)導(dǎo)若干重點(diǎn)產(chǎn)品的刻蝕技術(shù)開發(fā)；于 1991 年至 2004 年間在應(yīng)用材料擔(dān)任高級(jí)管理職務(wù)，包括企業(yè)副總裁、刻蝕產(chǎn)品事業(yè)部總經(jīng)理、亞洲總部首席技術(shù)官；是 89 項(xiàng)美國(guó)專利和 200 多項(xiàng)其他海內(nèi)外專利的主要發(fā)明人；2018 年美國(guó) VLSI Research 的全球評(píng)比中，中微公司董事長(zhǎng)尹志堯博士與英特爾董事長(zhǎng)、格羅方德 CEO 等一起被評(píng)為 2018 年國(guó)際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)十大領(lǐng)軍明星（All Stars）。公司的

9、其他聯(lián)合創(chuàng)始人、核心技術(shù)人員和重要的技術(shù)、工程人員，包括杜志游博士、倪圖強(qiáng)博士、麥?zhǔn)肆x博士、楊偉先生、李天笑先生等 160 多位各專業(yè)領(lǐng)域的專家，其中很多是在國(guó)際半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)業(yè)耕耘數(shù)十年，為行業(yè)發(fā)展做出杰出貢獻(xiàn)的資深技術(shù)和管理專家。他們?cè)趨⑴c創(chuàng)立或后續(xù)加入中微公司后，不斷創(chuàng)造新的技術(shù)、工藝和設(shè)計(jì)，做出了不可替代的貢獻(xiàn)。圖表 1. 核心技術(shù)團(tuán)隊(duì)成員公司職稱學(xué)歷加入中微前的工作經(jīng)歷負(fù)責(zé)部門1984-1986 年，就職于英特爾中心技術(shù)開發(fā)部，擔(dān)任工藝工程師；中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué) 1986-1991 年，就職于 Lam Research，歷任研發(fā)部資深工程師、研發(fā)尹志堯博士 創(chuàng)始人、董事長(zhǎng)學(xué)士，加州大學(xué)洛

10、杉部資深經(jīng)理；1991-2004 年，就職于 Applied Materials，歷任等離子體刻蝕磯分校博士刻蝕設(shè)備產(chǎn)品總部首席技術(shù)官、總公司副總裁及等離子體刻蝕事業(yè)群總經(jīng)理、亞洲總部首席技術(shù)官董事及副總經(jīng) 上海交通大學(xué)學(xué)士，1990-1999 年，歷任 Praxair Inc. 高級(jí)工程師、經(jīng)理、董事總經(jīng)理等；杜志游博士理美國(guó)麻省理工學(xué)院 1999-2001 年，擔(dān)任應(yīng)用材料全球供應(yīng)管理經(jīng)理；2001-2004 年，擔(dān)任MOCVD倪圖強(qiáng)博士副總經(jīng)理碩士、博士中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué) 學(xué)士、碩士，美國(guó)德州大學(xué)博士、博士后梅特勒-托利多上海子公司總經(jīng)理1995-2004 年，擔(dān)任泛林半導(dǎo)體技術(shù)總監(jiān)刻蝕美

11、國(guó)國(guó)籍，臺(tái)灣大學(xué)1985-1989 年，擔(dān)任英特爾資深工程師；1989-2003 年，擔(dān)任應(yīng)用材料 CCP 等離子體麥?zhǔn)肆x博士副總裁學(xué)士、美國(guó)馬里蘭大學(xué)博士資深總監(jiān)；2004 年 1 月至 2004 年 6 月，擔(dān)任英特爾項(xiàng)目經(jīng)理刻蝕產(chǎn)品，楊偉副總裁西安交通大學(xué)學(xué)士、1993-1995 年，擔(dān)任智群科技股份有限公司項(xiàng)目經(jīng)理；1995-2004 年共同工程部碩士擔(dān)任應(yīng)用材料軟件部資深總監(jiān)復(fù)旦大學(xué)學(xué)士、美國(guó)1990-1995 年，擔(dān)任美國(guó)索尼資深電氣工程師；1995-2004 年，擔(dān)任應(yīng)共用電氣工程李天笑副總裁韋恩大學(xué)碩士、美國(guó)紐約大學(xué)碩士用材料亞太項(xiàng)目經(jīng)理技術(shù)部2019 年 4 月 9 日科創(chuàng)資

12、料來源：公司招股書，中銀國(guó)際證券持續(xù)的關(guān)鍵技術(shù)創(chuàng)新公司聚集國(guó)際和國(guó)內(nèi)一流的技術(shù)人才。針對(duì)設(shè)備等不同研發(fā)對(duì)象和項(xiàng)目產(chǎn)品，組成了分工明確的專業(yè)研發(fā)團(tuán)隊(duì)。截至 2018 年末，公司共有研發(fā)和工程技術(shù)人員 381 名，占員工總數(shù)的 58%。公司一直以來保持較高的研發(fā)投入，2016-2018 年研發(fā)費(fèi)用占收入比例 49.62%、34%、24.65%。截至 2019 年 2 月末，公司申請(qǐng)了 1,201 項(xiàng)專利，其中發(fā)明專利 1,038 項(xiàng)，海外發(fā)明專利 465 項(xiàng)，海外發(fā)明專利占比為 45%。公司專利中，我們估計(jì)等離子刻蝕專利占比 80%，MOCVD 專利占比 20%。公司在開發(fā)等離子體刻蝕設(shè)備和 MO

13、CVD 設(shè)備的過程中，始終強(qiáng)調(diào)創(chuàng)新和差異化：電容性等離子體刻蝕設(shè)備：開創(chuàng)性地推出甚高頻去耦合等離體子刻蝕技術(shù)；電感性等離子體源：創(chuàng)造性地設(shè)計(jì)新型電感線圈架構(gòu)，極大減少電容性耦合引起的不良作用；MOCVD 設(shè)備：設(shè)計(jì)精確定位的托盤鎖定機(jī)制。圖表 2.電容等離子體刻蝕設(shè)備核心技術(shù)概況名稱技術(shù)來源護(hù)措施技術(shù)水平PrimePrimePrime SSCPrime SSC雙反應(yīng)臺(tái)高產(chǎn)出率自主研發(fā)已獲授權(quán)專利 5 項(xiàng) 國(guó)際先進(jìn)技術(shù)D-RIE已量產(chǎn)AD-RIE已量產(chǎn)AD-RIE-HD-RIE-同時(shí)加工 2 片晶圓且不干擾加工精度接觸式上電極噴淋自主研發(fā)已獲授權(quán)專利 10 國(guó)際先進(jìn)已量產(chǎn)已量產(chǎn)已量產(chǎn)已量產(chǎn)專利及

14、其他技術(shù)保應(yīng)用和貢獻(xiàn)情況板技術(shù)晶圓邊緣區(qū)域氣簾技術(shù)項(xiàng)；申請(qǐng)中專利 6 項(xiàng)自主研發(fā) 已獲授權(quán)專利 2 項(xiàng)；國(guó)際先進(jìn)-已量產(chǎn)已量產(chǎn)已量產(chǎn)申請(qǐng)中專利 2 項(xiàng)脈沖阻抗匹配技術(shù)自主研發(fā)已獲授權(quán)專利 11項(xiàng)；申請(qǐng)中專利 2 項(xiàng)國(guó)際先進(jìn)-已量產(chǎn)已量產(chǎn)已量產(chǎn)等離子體約束技術(shù)自主研發(fā) 已獲授權(quán)專利 7 項(xiàng)；國(guó)際先進(jìn)已量產(chǎn)已量產(chǎn)已量產(chǎn)已量產(chǎn)申請(qǐng)中專利 3 項(xiàng)資料來源：公司招股書，中銀國(guó)際證券注：應(yīng)用和貢獻(xiàn)情況的已量產(chǎn)表示該核心技術(shù)已經(jīng)在該機(jī)臺(tái)上得到量產(chǎn)運(yùn)用圖表 3. 電容等離子體刻蝕設(shè)備核心技術(shù)具體表征名稱具體表征目前國(guó)際上的晶圓加工設(shè)備為保證加工精度，普遍采用單反應(yīng)臺(tái)方式，即每個(gè)工藝模塊只配臵一個(gè)反應(yīng)臺(tái)并一雙反

15、應(yīng)臺(tái)高產(chǎn)出率技術(shù)接觸式上電極噴淋板技術(shù)晶圓邊緣區(qū)域氣簾技術(shù)脈沖阻抗匹配技術(shù)等離子體約束技術(shù)次加工一片晶圓。公司的高輸出量等離子體反應(yīng)腔能同時(shí)加工 2 片晶圓且不干擾加工精度，有效增加產(chǎn)出率，可同時(shí)減少設(shè)備生產(chǎn)成本。公司的電極噴淋板技術(shù)采用了新型陶瓷材料、新型的加工方法并實(shí)現(xiàn)了耐腐蝕性；該技術(shù)采用噴淋板與控溫體機(jī)械接觸方式，不僅突破了受到專利保護(hù)的粘合技術(shù)，而且能實(shí)現(xiàn)相比粘合和技術(shù)更低的缺陷數(shù)和制造成本。提高晶圓加工良率的一大難點(diǎn)在于晶圓邊緣的處理，氣簾技術(shù)通過特殊的氣路和氣流通道孔徑設(shè)計(jì)，在保證刻蝕均勻度的同時(shí)在晶圓邊緣形成大流量氣體簾以達(dá)到阻礙異物顆粒從晶圓周邊進(jìn)入晶圓上方導(dǎo)致沉降式顆粒缺陷

16、的目的。高深寬比刻蝕中需要對(duì)溝槽底部積累電荷進(jìn)行去除，以改善圖形畸變問題，脈沖射頻等離子體是可采用的有效手段之一，但其挑戰(zhàn)性在于射頻阻抗匹配技術(shù)。公司自主開發(fā)的雙水平雙頻脈沖射頻等離子體阻抗匹配技術(shù)，有效解決了脈沖射頻等離子體的邊率輸出穩(wěn)定性難題，實(shí)現(xiàn)對(duì)溝槽底部積累電荷進(jìn)行去除。等離子體約束是在反應(yīng)腔中將等離子體約束在晶圓反應(yīng)區(qū)以內(nèi)，以提高刻蝕效率并降低非晶圓加工區(qū)污染的技術(shù)，公司自主研發(fā)的等離子體約束技術(shù)基于電場(chǎng)屏蔽原理，通過對(duì)約束環(huán)的通孔尺寸形狀以及射頻通路的特殊設(shè)計(jì)，實(shí)現(xiàn)了在有效約束等離子體的情況下把對(duì)反應(yīng)腔抽氣能力的影響降到最低。2019 年 4 月 9 日科創(chuàng)資料來源：公司招股書，中

17、銀國(guó)際證券圖表 4. 電感性等離子體刻蝕設(shè)備核心技術(shù)概況名稱技術(shù)來源專利及其他技術(shù)保護(hù)措施技術(shù)水平應(yīng)用和貢獻(xiàn)情況Prime nanova低電容耦合線圈技術(shù)自主研發(fā)已獲授權(quán)專利 4 項(xiàng)；申請(qǐng)中專利 1 項(xiàng)國(guó)際先進(jìn)已量產(chǎn)抗損耗氧化釔鍍膜技術(shù)自主研發(fā)已獲授權(quán)專利 8 項(xiàng)；申請(qǐng)中專利 1 項(xiàng)國(guó)際先進(jìn)已量產(chǎn)反應(yīng)腔對(duì)稱抽氣技術(shù)自主研發(fā)已獲授權(quán)專利 2 項(xiàng)國(guó)際先進(jìn)已量產(chǎn)資料來源：公司招股書，中銀國(guó)際證券圖表 5. 電感性等離子體刻蝕設(shè)備核心技術(shù)具體表征名稱具體表征公司低電容耦合線圈技術(shù)采用三維立體的線圈架構(gòu)，通過獨(dú)特的線路和連接設(shè)計(jì)以及相配合的射頻匹配優(yōu)低電容耦合線圈技術(shù)化，實(shí)現(xiàn)了在不影響射頻功率耦合效率和

18、分區(qū)域電流調(diào)節(jié)的情況下，最大限度地降低電容耦合成分，從而提高刻蝕的選擇性并加大工藝窗口。2019 年 4 月 9 日科創(chuàng)抗損耗氧化釔鍍膜技術(shù) 公司自主研發(fā)的基于物理氣相淀積方式的鍍膜技術(shù)在多方面超越了通用的等離子噴涂技術(shù)，其抗等離子體侵蝕的能力增加，多孔性降低從而提高了設(shè)備加工重復(fù)性并降低缺陷率。反應(yīng)腔對(duì)稱抽氣技術(shù)公司對(duì)稱抽氣技術(shù)采用了軸對(duì)稱設(shè)計(jì)，提高了徑向和切向的氣流均勻性，并有效解決了下電極射頻耦合、熱傳導(dǎo)以及射頻電流回路所遇到的問題。資料來源：公司招股書，中銀國(guó)際證券圖表 6. 深硅刻蝕設(shè)備（TSV 系列）核心技術(shù)概況名稱技術(shù)來源專利及其他技術(shù)保護(hù)措施技術(shù)水平應(yīng)用和貢獻(xiàn)情況TSV 設(shè)備雙

19、反應(yīng)臺(tái)高產(chǎn)出率技術(shù)自主研發(fā)已獲授權(quán)專利 3 項(xiàng)；申請(qǐng)中專利 1 項(xiàng)國(guó)際先進(jìn)已量產(chǎn)側(cè)引入氣體均勻化技術(shù)自主研發(fā)已獲授權(quán)專利 13 項(xiàng)；申請(qǐng)中專利 1 項(xiàng)國(guó)際先進(jìn)已量產(chǎn)高速氣體轉(zhuǎn)換技術(shù)自主研發(fā)已獲授權(quán)專利 9 項(xiàng)；申請(qǐng)中專利 1 項(xiàng)國(guó)際先進(jìn)已量產(chǎn)資料來源：公司招股書，中銀國(guó)際證券圖表 7. 深硅刻蝕設(shè)備（TSV 系列）核心技術(shù)具體表征名稱具體表征雙反應(yīng)臺(tái)高產(chǎn)出率技術(shù)公司 TSV 設(shè)備采用雙反應(yīng)臺(tái)系統(tǒng)，通過一次加工兩片晶圓有效增加產(chǎn)出率，通過共用氣系統(tǒng)和抽氣系統(tǒng)來降低設(shè)備成本。側(cè)引入氣體均勻化技術(shù)該技術(shù)是在頂部進(jìn)氣的基礎(chǔ)上，增加了從反應(yīng)腔側(cè)面供氣的通道，并配合關(guān)鍵的中心導(dǎo)流板，從而能夠滿足刻蝕均勻度

20、的需要。高速氣體轉(zhuǎn)換技術(shù)公司自主研發(fā)的高速氣體轉(zhuǎn)換技術(shù)采用高速氣流控制器、優(yōu)化和縮短氣流通道技術(shù)，以及優(yōu)化的變頻式射頻匹配技術(shù)等，可實(shí)現(xiàn)氣體快速切換，從而優(yōu)化了刻蝕形貌。資料來源：公司招股書，中銀國(guó)際證券圖表 8. MOCVD 設(shè)備核心技術(shù)概況名稱技術(shù)來源專利及其他技術(shù)保護(hù)措施技術(shù)水平應(yīng)用和貢獻(xiàn)情況Prime D-bluePrime A7雙區(qū)可調(diào)控工藝氣體噴淋頭自主研發(fā)已獲授權(quán)專利 18 項(xiàng)；申請(qǐng)中專利 1 項(xiàng)國(guó)際先進(jìn)-已量產(chǎn)高溫度均勻性加熱器和帶鎖托盤驅(qū)動(dòng)技術(shù)自主研發(fā)已獲授權(quán)專利 1 項(xiàng)；申請(qǐng)中專利 2 項(xiàng)國(guó)際先進(jìn)已量產(chǎn)已量產(chǎn)高精度可編程托盤傳輸技術(shù)自主研發(fā)已獲授權(quán)專利 4 項(xiàng)；申請(qǐng)中專利

21、1 項(xiàng)國(guó)際先進(jìn)已量產(chǎn)已量產(chǎn)智能化溫控技術(shù)自主研發(fā)已獲授權(quán)專利 16 項(xiàng)；申請(qǐng)中專利 1 項(xiàng)國(guó)際先進(jìn)已量產(chǎn)已量產(chǎn)資料來源：公司招股書，中銀國(guó)際證券2019 年 4 月 9 日科創(chuàng)圖表 9. MOCVD 設(shè)備核心技術(shù)具體表征名稱具體表征雙區(qū)可調(diào)控工藝氣體噴淋頭 更高的氣體和 MO 源利用率，可根據(jù)不同外延生長(zhǎng)材料（氮化鎵和鋁鎵氮）選擇不同區(qū) MO 源的配比更高的 MO 源利用率的同時(shí)擁有更好的厚度及組分的均勻性。高溫度均勻性加熱器和帶鎖加熱器最高溫度可達(dá) 1200，加熱片材料為高純度難熔金融及高溫合金，表面采用特殊處理方式使其托盤驅(qū)動(dòng)技術(shù)具有高熱發(fā)射率；加熱器分為多個(gè)不同的區(qū)，每區(qū)獨(dú)立控制溫度；轉(zhuǎn)

22、軸與托盤接口的肩托卡槽式設(shè)計(jì)高精度可編程托盤傳輸技術(shù) 獨(dú)立的石墨盤雙層冷卻系統(tǒng)，具有冷卻效果好、生產(chǎn)效率高以及更好的耐高溫性等有限；與先進(jìn)機(jī)械手廠商合作機(jī)械手；肩托卡槽式設(shè)計(jì)使托盤的傳輸定位更加準(zhǔn)確。智能化溫控技術(shù)調(diào)節(jié)范圍大（溫度控制范圍達(dá)到 450-1200）；動(dòng)態(tài)響應(yīng)快（響應(yīng)范圍寬至 0.01/秒-3/秒）；穩(wěn)態(tài)精度高（最大超調(diào)范圍0.5%，穩(wěn)態(tài)精度0.5%）。資料來源：公司招股書，中銀國(guó)際證券2019 年 4 月 9 日科創(chuàng)獲中國(guó)政府大力支持1、公司先后承擔(dān)了五個(gè)國(guó)家科技發(fā)展重大專項(xiàng)研發(fā)項(xiàng)目，是執(zhí)行國(guó)家科技發(fā)展重大專項(xiàng)的標(biāo)桿單位。公司已順利完成四個(gè)等離子體刻蝕設(shè)備的開發(fā)和產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目。目前

23、正在執(zhí)行的第五個(gè)研發(fā)項(xiàng)目已提前兩年達(dá)到預(yù)定技術(shù)指標(biāo)。圖表 10. 中微重大專項(xiàng)研發(fā)項(xiàng)目序號(hào)項(xiàng)目類別重大科研項(xiàng)目名稱項(xiàng)目時(shí)間1國(guó)家科技重大專項(xiàng)65-45nm 介質(zhì)刻蝕機(jī)研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化2009.1-2012.72上海市高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)化重大項(xiàng)目計(jì)劃高端 MOCVD 設(shè)備研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化2018.8-2013.123國(guó)家科技重大專項(xiàng)32-22nm 介質(zhì)刻蝕機(jī)研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化2011.1-2014.9420120 年度上海市戰(zhàn)略新興產(chǎn)業(yè)項(xiàng)目450mm 大尺寸刻蝕機(jī)研發(fā)2013.1-2015.125國(guó)家科技重大專項(xiàng)22-14nm 介質(zhì)刻蝕機(jī)開發(fā)及關(guān)鍵零部件國(guó)產(chǎn)化2013.1-2016.126國(guó)家科技重大專項(xiàng)14-7n

24、m 介質(zhì)刻蝕機(jī)研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化2016.1-至今7國(guó)家科技重大專項(xiàng)刻蝕工藝零部件驗(yàn)證與應(yīng)用2017.1 至今資料來源：公司招股書，中銀國(guó)際證券2、國(guó)家集成電路大基金持股比例為 19.39%，大基金通過巽鑫投資間接持股。3、享受行業(yè)政策紅利。例如，2014 年 6 月出臺(tái)的國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進(jìn)綱要強(qiáng)調(diào)，進(jìn)一步突出企業(yè)的主體地位，以需求為導(dǎo)向，以技術(shù)創(chuàng)新、模式創(chuàng)新和體制機(jī)制創(chuàng)新為動(dòng)力，突破集成電路關(guān)鍵裝備和材料瓶頸，推動(dòng)產(chǎn)業(yè)整體提升，實(shí)現(xiàn)跨越式發(fā)展。國(guó)家高度重視和大力支持行業(yè)發(fā)展， 相繼出臺(tái)了多項(xiàng)政策，推動(dòng)中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展和加速國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程，將半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展提升到國(guó)家戰(zhàn)略的高度，充分顯示出國(guó)家發(fā)

25、展半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的決心。2018 年國(guó)務(wù)院政府工作報(bào)告亦強(qiáng)調(diào)“加快制造強(qiáng)國(guó)建設(shè)。推動(dòng)集成電路、第五代移動(dòng)通信、飛機(jī)發(fā)動(dòng)機(jī)、新能源汽車、新材料等產(chǎn)業(yè)發(fā)展”。公司所處的設(shè)備制造業(yè)是集成電路產(chǎn)業(yè)的制高點(diǎn)，在現(xiàn)代電子信息產(chǎn)業(yè)中占有極其重要的地位。一系列支持法規(guī)和政策的推出，為公司提供了難能可貴的發(fā)展機(jī)遇。2019 年 4 月 9 日科創(chuàng)專注刻蝕和薄膜沉積設(shè)備公司定位高端半導(dǎo)體設(shè)備制造，主要業(yè)務(wù)是開發(fā)加工微觀器件的大型真空工藝設(shè)備，包括等離子體刻蝕設(shè)備和薄膜沉積設(shè)備。等離子體刻蝕設(shè)備、薄膜沉積設(shè)備與光刻機(jī)是制造集成電路、LED 芯片等微觀器件的最關(guān)鍵設(shè)備。自 2004 年成立伊始，中微公司首先開發(fā)甚高頻去耦

26、合等離子體刻蝕設(shè)備 Primo D-RIE，到目前為止已成功開發(fā)了雙反應(yīng)臺(tái) Primo D-RIE、雙反應(yīng)臺(tái) PrimoAD-RIE 和單反應(yīng)臺(tái) Primo SSC AD-RIE 三代刻蝕設(shè)備， 涵蓋 65 納米、45 納米、32 納米、28 納米、22 納米、14 納米、7 納米和 5 納米微觀器件的眾多刻蝕應(yīng)用。2012 年中微公司開發(fā)電感性等離子體刻蝕設(shè)備，到目前為止已成功開發(fā)單反應(yīng)臺(tái) Primo nanova 刻蝕設(shè)備，并同時(shí)開發(fā)雙反應(yīng)臺(tái)電感性等離子體刻蝕設(shè)備，主要涵蓋 14 納米以下微觀器件的刻蝕應(yīng)用。中微公司還針對(duì)集成電路先進(jìn)封裝和 MEMS 傳感器產(chǎn)業(yè)發(fā)展的市場(chǎng)需求，開發(fā)了廣泛應(yīng)

27、用于這些領(lǐng)域的電感性等離子體深硅刻蝕設(shè)備。薄膜沉積設(shè)備方面，2010 年中微公司開始開發(fā)用于 LED 器件加工中最關(guān)鍵的設(shè)備MOCVD 設(shè)備。公司已開發(fā)了三代 MOCVD 設(shè)備，該設(shè)備是一種高端薄膜沉積設(shè)備，主要用于藍(lán)綠光 LED 和功率器件等生產(chǎn)加工，包括第一代設(shè)備 Prismo D-Blue、第二代設(shè)備 Prismo A7 及第三代更大尺寸設(shè)備。圖表 11. 中微主要產(chǎn)品演變資料來源：公司招股書，中銀國(guó)際證券隨著公司持續(xù)的技術(shù)創(chuàng)新和市場(chǎng)開拓，公司核心競(jìng)爭(zhēng)力持續(xù)提升并取得了良好的經(jīng)營(yíng)成果。公司的半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)品線逐漸擴(kuò)充并實(shí)現(xiàn)規(guī)模化銷售，已經(jīng)形成刻蝕設(shè)備和 MOCVD 設(shè)備并重的收入結(jié)構(gòu)， 新

28、一代產(chǎn)品也逐漸進(jìn)入市場(chǎng)。圖表 12. Semicon China 展會(huì)新產(chǎn)品統(tǒng)計(jì)公司產(chǎn)品類別2019 年主打產(chǎn)品備注DISCO晶圓加工設(shè)備等離子體切割設(shè)備北方華創(chuàng)沉積、刻蝕、清洗、氧化擴(kuò)散等ALD、ALE、銅互連 PVDSi 拋光到 Oxide，到 STI，到現(xiàn)在的 Cu CMP。2015年進(jìn)入中芯國(guó)際，2018 年進(jìn)入上海華力Universal-300Plus、Universal-300DualCMP華海清科針對(duì) 5G, 汽車電子和人工智能領(lǐng)域的芯片測(cè)試的組合解決方案ATETeradyneAdvantestATEV93000 人工智能(AI)測(cè)試解決方案2018 年推出 T2000 AiR

29、系統(tǒng)、EVA100 量測(cè)系統(tǒng)能表面處理設(shè)備）盛美半導(dǎo)體單片清洗設(shè)備 多陽(yáng)極局部電鍍銅設(shè)備，先進(jìn)封裝拋銅設(shè)備，以及 Tahoe 高溫硫酸清洗設(shè)備等三款最新產(chǎn)品屹唐（Mattson）去膠設(shè)備HydrilisTM（真空傳送平臺(tái)）和 NovykaTM（高性北京華峰測(cè)控ATESTS8300，可實(shí)現(xiàn) ALL-in-ONE，針對(duì)更多管腳、更多工位的模擬、電源管理及混合信號(hào) IC 測(cè)試成立于 1993 年封裝自動(dòng)化、測(cè)試機(jī)解決方案、傳感器測(cè)試機(jī)成立于 2014 年，集成電路制程設(shè)備項(xiàng)目、自動(dòng)化宏實(shí)自動(dòng)化ATE晶盛機(jī)電硅片加工、長(zhǎng)晶爐械手、紫外線硅片記憶抹除機(jī)、濕制程濃度分析儀拋光機(jī)系統(tǒng)集成項(xiàng)目、智能工廠系統(tǒng)集

30、成項(xiàng)目京創(chuàng)先進(jìn)半導(dǎo)體劃片設(shè)備 AR9000 全自動(dòng)設(shè)備和 AC8000 改進(jìn)型清洗機(jī)2018 年推出 AR3000、AR7000、AR8000中科信離子注入機(jī)重點(diǎn)展示離子注入機(jī)2018 年推出新一代的 CI P900HP 中束流離子注入機(jī)上海精測(cè)工藝流程控制首次展出膜厚設(shè)備等光力科技晶圓加工設(shè)備GDS6230 雙軸半自動(dòng)切割機(jī)不久將會(huì)推向市場(chǎng)應(yīng)用于 IC 前道制造的 600 系列光刻機(jī)、應(yīng)用于2002 年成立。2018 年展出新一代超高產(chǎn)率、高精光刻設(shè)備、曝光 IC 后道先進(jìn)封裝的 500 系列投影光刻機(jī)、應(yīng)用度 LED 步進(jìn)投影光刻機(jī)SSB380/10A 光刻機(jī)；上海微電子機(jī)于 LED/ME

31、MS/ Power Devices 制造的 300 系列投影應(yīng)用于 IC 前道制造的 600 系列光刻機(jī)、應(yīng)用于 IC光刻機(jī)、應(yīng)用于 FPD 面板制造的 200 系列投影光刻機(jī)、SOI 晶圓缺陷自動(dòng)檢測(cè)設(shè)備中微刻蝕設(shè)備7nm 刻蝕設(shè)備 Prismo A7長(zhǎng)川科技ATE探針臺(tái)、晶圓表面缺陷檢測(cè)設(shè)備無(wú)錫微導(dǎo)沉積、刻蝕原子層沉積團(tuán)簇系統(tǒng) Dragon 3000、半導(dǎo)體全自動(dòng)晶圓蝕刻設(shè)備、半導(dǎo)體精密打標(biāo)設(shè)備資料來源：Semicon China 2019，中銀國(guó)際證券后道先進(jìn)封裝的 500 系列光刻機(jī)2019 年 4 月 9 日科創(chuàng)公司營(yíng)業(yè)收入保持高增長(zhǎng)，從 2016 年的 6.10 億元增長(zhǎng)至 201

32、8 年的 16.39 億元，年均復(fù)合增長(zhǎng)率達(dá) 64%， 成長(zhǎng)性突出。2019 年 4 月 9 日科創(chuàng)圖表 13. 國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備企業(yè)收入規(guī)模對(duì)比 單位：億元資料來源：公司招股書，中銀國(guó)際證券在 2018 年收入結(jié)構(gòu)中，刻蝕設(shè)備銷售收入達(dá)到 5.66 億元，占比 35%，MOCVD 設(shè)備銷售收入 8.32 億元， 占比 51%，備品備件收入 2.27 億元，占比 14%。圖表 14. 中微半導(dǎo)體近三年收入結(jié)構(gòu)2016占比(%)2017占比(%)2018占比(%)營(yíng)業(yè)總收入專用設(shè)備4.88808.268513.9885MOCVD 設(shè)備0.1635.30558.3251刻蝕設(shè)備4.70772.893

33、05.6635其他設(shè)備0.0200.0710備品備件1.16191.35142.2714設(shè)備維護(hù)0.0610.1110.141其他業(yè)務(wù)-00.0000.010總 計(jì)6.101009.7210016.39100資料來源：公司招股書，中銀國(guó)際證券刻蝕設(shè)備：2016-2018 年銷售數(shù)量分別為 56、33、71 個(gè)腔室，均價(jià)分別為 840、876、797 萬(wàn)元/腔。MOCVD：2016-2018 年銷售數(shù)量分別為 3、57、106 個(gè)腔室，均價(jià)分別為 519、930、785 萬(wàn)元/腔。2019 年 4 月 9 日科創(chuàng)行業(yè)前景：市場(chǎng)規(guī)模500 億美元，刻蝕設(shè)備占比上升半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)規(guī)模中樞從 300

34、億抬升到 600 億美元。據(jù) SEMI 統(tǒng)計(jì)，2018 年全球半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模 605 億美元，相比 2017 年 552 億美元同比增長(zhǎng) 9.6%。SEMI 預(yù)計(jì) 2019 年全球半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模達(dá)到 558 億美元，同比下滑 7.8%，但 2020 年全球半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模重返 600 億美元以上。圖表 15. 2018-2019 年全球半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模的最新預(yù)測(cè)2017同比(%)2018同比(%)2019同比(%)北美5419.7048(10.50)503.00中國(guó)大陸662.5012284.30120(2.00)歐洲4083.004511.8043(5.60)日本6438.408

35、736.3086(1.00)韓國(guó)198157.30185(6.50)121(34.70)東南亞190.002637.6024(4.60)中國(guó)臺(tái)灣111(8.90)92(17.30)11424.20全球合計(jì)55233.906059.60558(7.80)資料來源：SEMI，中銀國(guó)際證券中長(zhǎng)期看，半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)增長(zhǎng)的三大動(dòng)因可持續(xù)性強(qiáng)動(dòng)因 1：人工智能大數(shù)據(jù)時(shí)代等將成為芯片新需求，從而推動(dòng)半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)規(guī)模整體上升。2000-2010年是全球 PC 互聯(lián)網(wǎng)時(shí)代，半導(dǎo)體制程設(shè)備行業(yè)的市場(chǎng)規(guī)模位于 250 億美元平均水平（制程設(shè)備占道半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)整體的 70%-80%）。到了 2010-2017 年

36、，人類進(jìn)入了智能手機(jī)社交媒體時(shí)代，半導(dǎo)體制程設(shè)備行業(yè)的市場(chǎng)規(guī)模上升到 320 億美元的平均線上。2017-2020 年，人類將進(jìn)入了人工智能和物聯(lián)網(wǎng)時(shí)代，半導(dǎo)體制程設(shè)備的市場(chǎng)規(guī)模增加到 450 億美元的數(shù)量級(jí)。圖表 16. AI 大數(shù)據(jù)時(shí)代的半導(dǎo)體制程設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模再上臺(tái)階資料來源： HYPERLINK / 、中銀國(guó)際證券2019 年 4 月 9 日科創(chuàng)動(dòng)因 2：半導(dǎo)體新的工藝節(jié)點(diǎn)，需要更多更復(fù)雜的刻蝕、薄膜工藝、清洗工藝、檢測(cè)工藝等等，這也會(huì)帶動(dòng)每萬(wàn)片晶圓產(chǎn)能的投資額大幅增加。邏輯芯片從 65nm 工藝發(fā)展到 28nm，等離子刻蝕工藝步驟從 20 步增加到 40 步，而從 20nm 工藝發(fā)展到

37、 7nm 工藝時(shí)，等離子刻蝕工藝步驟從 40 步增加到140 步，全部工藝步驟也從不到 1000 步增加到 1500 個(gè)步驟，相同晶圓產(chǎn)能的投資額將增加 1 倍左右， 而 memory 的投資額增幅更大。圖表 17. 等離子刻蝕工藝步驟隨制程微縮而大幅增加Logic 器件65 納米45 納米28 納米20 納米14 納米10 納米7 納米5 納米頭發(fā)絲的直徑1/30001/50001/70001/100001/14000等離子蝕刻機(jī)20304055 步驟65 步驟115 步驟140 步驟160 步驟全工藝步驟1000 步驟1100 步驟1400 步驟1500 步驟2000 步驟資料來源：中微半

38、導(dǎo)體, 中銀國(guó)際證券動(dòng)因 3：集成電路新的圖形技術(shù)，導(dǎo)致每萬(wàn)片晶圓產(chǎn)能的投資額大幅增加。例如 3D NAND 工藝替代2D NAND 工藝，每萬(wàn)片晶圓產(chǎn)能的投資額將增加 60%；平板顯示技術(shù) OLED 的投資額較相同世代的TFT-LCD 產(chǎn)線投資增加 400%以上。圖表 18. 線寬微縮和 3D 化拉動(dòng)晶圓制造設(shè)備投資劇增資料來源： HYPERLINK / 、中銀國(guó)際證券刻蝕設(shè)備占比 15%-20%，且占比逐年上升晶圓制造設(shè)備從類別上講可以分為刻蝕、光刻、薄膜沉積、檢測(cè)、涂膠顯影等十多類，其合計(jì)投資總額通常占整個(gè)晶圓廠投資總額的 75%左右，其中刻蝕設(shè)備、光刻設(shè)備、薄膜沉積設(shè)備是集成電路前道生

39、產(chǎn)工藝中最重要的三類設(shè)備。根據(jù) SEMI 統(tǒng)計(jì)，2017 年按全球晶圓制造設(shè)備銷售金額占比類推，目前刻蝕設(shè)備、光刻機(jī)和薄膜沉積設(shè)備分別占晶圓制造設(shè)備價(jià)值量約 24%、23%和 18%。2019 年 4 月 9 日科創(chuàng)圖表 19. 2017 年集成電路行業(yè)各類設(shè)備銷售額占比資料來源：SEMI、中銀國(guó)際證券隨著集成電路芯片制造工藝的進(jìn)步，線寬不斷縮小、芯片結(jié)構(gòu) 3D 化，晶圓制造向 7 納米、5 納米以及更先進(jìn)的工藝發(fā)展。由于普遍使用的浸沒式光刻機(jī)受到波長(zhǎng)限制，14 納米及以下的邏輯器件微觀結(jié)構(gòu)的加工將通過等離子體刻蝕和薄膜沉積的工藝組合多重模板效應(yīng)來實(shí)現(xiàn)，使得相關(guān)設(shè)備的加工步驟增多。刻蝕設(shè)備和薄

40、膜沉積設(shè)備有望正成為更關(guān)鍵且投資占比最高的設(shè)備。根據(jù) SEMI 的統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)，截至 2017 年各類晶圓制造設(shè)備的市場(chǎng)規(guī)模占比變化趨勢(shì)如下：圖表 20. 2017 年各類晶圓制造設(shè)備的市場(chǎng)規(guī)模占比變化趨勢(shì)資料來源：SEMI、中銀國(guó)際證券2019 年 4 月 9 日科創(chuàng)行業(yè)集中度高，中微介質(zhì)刻蝕市占率不足 5%全球半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)市場(chǎng)集中度高，前三家 AMAT、ASML、Lam 的市場(chǎng)份額合計(jì)約占 1/2，前五家 AMAT、 ASML、Lam、TEL、KLA-Tencor 市占率合計(jì)為 2/3。圖表 20. 全球半導(dǎo)體設(shè)備企業(yè)市占率資料來源：公司公告，Gartner, 中銀國(guó)際證券各項(xiàng)半導(dǎo)體設(shè)備的競(jìng)

41、爭(zhēng)格局：前五家基本壟斷。前道設(shè)備也就是指 PVD、光刻機(jī)、顯影設(shè)備、刻蝕機(jī)、離子注入機(jī)、膜厚檢測(cè)設(shè)備等。多數(shù)設(shè)備被 AMAT、TEL、ASML、Lam、KLA-Tencor 壟斷。圖表 21. 各類制程設(shè)備的行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)格局WaferDepositionPhotoresistLithographyDoping/themalEtchingCMPProcess controlSolicon WafersCVD/PVDSpin CoaterStepper, developerIon implantation,Diffusion,RTPEthcer,Wet bench,Clean toolsCMP too

42、lMetrology,Wafer inspection1SUMCO:30%AMAt:40%TEL:90%ASML:95%AMAT:60%Lam Reaserch:40%AMAT:70%KLA Tencor:50%2ShinEtsu:10-15%Lam Research:15%Screen:5%Nikon:10%Axcelis:10%TEL:20%Ebara:25%AMAT:10-15%3Siltronic:10-15%TEL:15%KingsemiKingsemiHitachi Kokusai:7%AMAT:15%HwatsingHitachi High-tech:10%4ASML:8%SME

43、EBeijing NMCAsceen:10%CETC5Hitachi Kokusai:7%MattsonAMEC6Beijing NMCCETCBeijing NMC7PiotechMattson資料來源：Gartner, 中銀國(guó)際證券隨著集成電路中器件互連層數(shù)增多，刻蝕設(shè)備的使用量不斷增大，泛林半導(dǎo)體由于其刻蝕設(shè)備品類齊全，從 65 納米、45 納米設(shè)備市場(chǎng)起逐步超過應(yīng)用材料和東京電子，成為行業(yè)龍頭。2017 年全球干法刻蝕設(shè)備市場(chǎng)中，Lam、TEL、AMAT 市占率分別為 47%、26%、18.5%，合計(jì)市占率為 92%。2019 年 4 月 9 日科創(chuàng)圖表 22. 中微在干法刻蝕及介質(zhì)刻

44、蝕設(shè)備的全球市占率資料來源： HYPERLINK / 、中銀國(guó)際證券2017 年，中微在全球介質(zhì)刻蝕市場(chǎng)的市占率為 2.5%；在全球干法刻蝕市場(chǎng)的市占率為 0.6%；2018 年， 鑒于中微集成電路收入增長(zhǎng) 1 倍，而全球半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)增長(zhǎng) 9.6%，我們估計(jì) 2018 年中微在全球介質(zhì)刻蝕市場(chǎng)的市占率為 4.5%；在全球干法刻蝕市場(chǎng)的市占率為 1%。公司在國(guó)內(nèi)刻蝕設(shè)備市場(chǎng)中有突出市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力，近期兩家國(guó)內(nèi)知名存儲(chǔ)芯片制造企業(yè)采購(gòu)的刻蝕設(shè)備臺(tái)數(shù)中，中微市占率達(dá)到 15%-17%。表明公司自主研發(fā)的刻蝕設(shè)備正逐步打破國(guó)際領(lǐng)先企業(yè)在國(guó)內(nèi)市場(chǎng)的壟斷，已被海內(nèi)外主流集成電路廠商接受。圖表 23. 中微在

45、國(guó)內(nèi)某兩個(gè)存儲(chǔ)廠商刻蝕設(shè)備的訂單份額資料來源：中國(guó)國(guó)際招標(biāo)網(wǎng)、中銀國(guó)際證券2017 年以前 MOCVD 設(shè)備主要由維易科和愛思強(qiáng)兩家國(guó)際廠商壟斷。2017 年以來公司的 MOCVD 設(shè)備逐步打破上述企業(yè)的壟斷。根據(jù) IHS Markit 的統(tǒng)計(jì)，2018 年公司在全球氮化鎵基 LED MOCVD 設(shè)備市場(chǎng)占據(jù)主導(dǎo)地位。2019 年 4 月 9 日科創(chuàng)圖表 24. 國(guó)內(nèi) MOCVD 設(shè)備行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)格局資料來源：2017 年第 20 屆中國(guó)集成電路制造年會(huì)，中銀國(guó)際證券2019 年 4 月 9 日科創(chuàng)中微競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)關(guān)鍵性能參數(shù)公司 Prime AD-RIE單位時(shí)間生產(chǎn)效率達(dá)到國(guó)際同類設(shè)備水平腔體維護(hù)時(shí)

46、間達(dá)到國(guó)際同類設(shè)備水平顆粒污染率達(dá)到國(guó)際同類設(shè)備水平關(guān)鍵尺寸穩(wěn)定性達(dá)到國(guó)際同類設(shè)備水平產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)：多項(xiàng)刻蝕技術(shù)達(dá)到國(guó)際水平圖表 25. 中微電容性等離子體刻蝕設(shè)備競(jìng)爭(zhēng)力資料來源：中微招股書、中銀國(guó)際證券圖表 26. 中微電感性等離子體刻蝕設(shè)備競(jìng)爭(zhēng)力關(guān)鍵性能參數(shù)公司 Prime nanova關(guān)鍵尺寸均勻性達(dá)到國(guó)際同類設(shè)備水平關(guān)鍵尺寸穩(wěn)定性達(dá)到國(guó)際同類設(shè)備水平結(jié)構(gòu)邊緣的粗糙度達(dá)到國(guó)際同類設(shè)備水平結(jié)構(gòu)形貌變形達(dá)到國(guó)際同類設(shè)備水平結(jié)構(gòu)的邊角侵蝕達(dá)到國(guó)際同類設(shè)備水平雜質(zhì)微粒達(dá)到國(guó)際同類設(shè)備水平機(jī)臺(tái)占地面積達(dá)到國(guó)際同類設(shè)備水平資料來源：中微招股書、中銀國(guó)際證券圖表 27. 中微深硅刻蝕設(shè)備（TSV 系列

47、）競(jìng)爭(zhēng)力關(guān)鍵性能參數(shù)公司 Prime TSV設(shè)備平臺(tái)最大裝載能力優(yōu)于國(guó)際同類設(shè)備200 毫米/200 毫米晶圓通用機(jī)臺(tái)支持 200 毫米和 300 毫米切換，國(guó)際同類設(shè)備一般不可產(chǎn)出率雙反應(yīng)臺(tái)的 TSV 優(yōu)于單反應(yīng)臺(tái)的產(chǎn)出率機(jī)臺(tái)占地面積優(yōu)于國(guó)際同類設(shè)備兼容硅和氧化硅刻蝕達(dá)到國(guó)際同類設(shè)備水平兼容硅和玻璃襯底達(dá)到國(guó)際同類設(shè)備水平資料來源：中微招股書、中銀國(guó)際證券圖表 28. 中微 MOCVD 設(shè)備競(jìng)爭(zhēng)力關(guān)鍵性能參數(shù)公司 PrimeA7產(chǎn)能（片/爐次）達(dá)到國(guó)際同類設(shè)備水平MO 源區(qū)輸入優(yōu)于國(guó)際同類設(shè)備控溫方式達(dá)到國(guó)際同類設(shè)備水平波長(zhǎng)均勻性達(dá)到國(guó)際同類設(shè)備水平厚度均勻性達(dá)到國(guó)際同類設(shè)備水平資料來源：中

48、微招股書、中銀國(guó)際證券管理優(yōu)勢(shì)：?jiǎn)T工持股+獨(dú)特的管理理念和管理體系。公司擁有獨(dú)特的管理理念和管理體系，歸納起來主要有以下七個(gè)方面：（1）目標(biāo)管理和綜合評(píng)分制；（2）關(guān)鍵指標(biāo)管理；（3）矩陣管理；（4）全員持股激勵(lì)制度；（5）充分發(fā)揮員工積極性；（6） 兼顧各方利益；（7）打造學(xué)習(xí)型組織。截至本招股說明書簽署日，845 名發(fā)行人在職、離職員工直接或間接合計(jì)持有發(fā)行人 94,509,140 股股份，占發(fā)行人股份總數(shù)的 19.63%，包括員工通過境內(nèi)員工持股平臺(tái)（南昌智微、勵(lì)微投資和芃徽投資）和境外員工持股平臺(tái)（Bootes、Grenade 和中微亞洲）的間接持股以及 8 名自然人的直接持股。2019 年 4 月 9 日科創(chuàng)重視研發(fā)技術(shù)的產(chǎn)業(yè)化。在成立初期就為設(shè)備的產(chǎn)業(yè)化確立了十項(xiàng)設(shè)計(jì)和開發(fā)的基本原則：為達(dá)到工藝加工的最高要求和產(chǎn)品的最好性能而設(shè)計(jì)；為實(shí)現(xiàn)工藝過程的重復(fù)性和穩(wěn)定性而設(shè)計(jì)；為確保設(shè)備的可靠性和耐用性而設(shè)計(jì)；為保障設(shè)備的高輸出量和高效率而設(shè)計(jì)；為設(shè)備安全性和減少環(huán)境污染而設(shè)計(jì)；為設(shè)備