1、半導體專業詞匯acce p tance tes ting (WAT: wafer ace eptance testing)acceptor： 受主，如B,摻入S i中需要接受電子ACCESS: 一個 E DA (Engin eerin g Data Anal ysis)系統Aci d :酸A c t ive device:有源器件，如MOS FET (非線性，可以對信號放大)Alig n mark ( k ey)：對位標記Al 1 o y:合金Aluminum:鋁Ammon i a:氨水0、 Am mon iu m fluor i d e： N H 4FAmmoni u m hy d ro x

2、 ide： NH4O HAmorp h ous sili c on： a Si ,非晶硅(不就是多晶硅)3、 Analo g :模擬得A ngs t r o m: A ( 1 E-10m)埃A n isot r op i c :各向異性(如 POLY ETCH )AQL (Acceptance Q uality Level ):接受質量標準，在一定采樣下，可以 95%置信度 通過質量標準(不同于可靠性，可靠性要求一定時間后得失效率)7、 ARC (An t iref 1 ect i v e co a t ing):抗反射層(用于 M ETA L 等層得光刻)18、Antimony (Sb)睇1

3、9、Argon (Ar )MA r senic (A s)神A rse nic tri o xi d e(A s2O 3)三氧化二神Arsine( A sH 3)As h er:去膠機Aspec t ration：形貌比(ETCH中得深度、寬度比)2 5、A u todopin g :自攙雜(外延時 SUB得濃度高，導致有雜質蒸發到環境中后，又回摻到外延層)26、Back e n d:后段(CONT AC T 以后、PC M 測試前)27、Baseline: 標準流程2 8、Be n c hma r k:基準2 9、Bip o la r :雙極Boat:擴散用(石英)舟CD： (Critica

4、l Dimension)臨界(關鍵)尺寸.在工藝上通常指條寬，例如PO L Y CD為多晶條寬.3 2、 C h aracter window:特征窗口。用文字或數字描述得包含工藝所有特性得一個方形區域。3 3、Ch emi c al-m echan i c al p olish(CMP):化學機械拋光法。 一種去掉圓片表面某種 物質得方法.34、 Ch e mical v ap or de position (CV D):化學汽相淀積。一種通過化學反應生成一層 薄膜得工藝。3 5、Ch i p:碎片或芯片.3 6、C IM:pute r -int e g r at ed man u fact

5、ur i n g得縮寫.用計算機控制與監控制造工藝得一種綜合方式.Circu i t design :電路設計。一種將各種元器件連接起來實現一定功能得技術。C 1 eanroom： 一種在溫度，濕度與潔凈度方面都需要滿足某些特殊要求得特定區域。3 9、pensa tion doping:補償摻雜。向P型半導體摻入施主雜質或向N型摻入受主雜質.CMOS: p lementary metal oxide sem iconduct o r 得縮寫。一種將 P M O S 與NMOS 在同一個硅襯底上混合制造得工藝。puter aided design (CA D):計算機輔助設計。C o ndu c

6、 t iv i ty type：傳導類型，由多數載流子決定。在 N型材料中多數載流子 就是電子,在P 型材料中多數載流子就是空穴。Contact:孔。在工藝中通常指孔1 ,即連接鋁與硅得孔。4 4、Con trol cha r t:控制圖.一種用統計數據描述得可以代表工藝某種性質得曲線圖表 .Correlation ：相關性。Cp： 工藝能力，詳見 pro cess c apabili t y。Cpk:工藝能力指數，詳見 p r o ce ss capability in d ex。4 8、 Cy c le time :圓片做完某段工藝或設定工藝段所需要得時間。通常用來衡量流通速 度得快慢。9

7、、 Damage:損傷。對于單晶體來說，有時晶格缺陷在表面處理后形成無法修復得變形 也可以叫做損傷。0、 Defect dens i t y :缺陷密度。單位面積內得缺陷數。D e pleti o n i mplant:耗盡注入.一種在溝道中注入離子形成耗盡晶體管得注入工藝。(耗盡晶體管指在柵壓為零得情況下有電流流過得晶體管.)D e pletion 1 aye r:耗盡層。可動載流子密度遠低于施主與受主得固定電荷密度得區域 .Depl e tion wi d t h ：耗盡寬度。53中提到得耗盡層這個區域得寬度。Depositi o n:淀積。一種在圓片上淀積一定厚度得且不與下面層次發生化學

8、反應得薄膜得一種方法。D epth of f ocus(DOF):焦深。desi gn o f experiments (DOE):為了達到費用最小化、降低試驗錯誤、以及保證數據結果得統計合理性等目得,所設計得初始工程批試驗計劃。5 7、 develop：顯影(通過化學處理除去曝光區域得光刻膠，形成所需圖形得過程)5 8、 d e ve 1 op e r： I )顯影設備；n )顯影液diborane (B2H6):乙硼烷，一種無色、易揮發、有毒得可燃氣體，常用來作為半導體生產中得硼源dichloromethane ( C H2C L 2 )：二氯甲，一種無色，不可燃，不可爆得液體.dich

9、1 oro s ilane (D SC):二氯甲硅烷，一種可燃，有腐蝕性，無色，在潮濕環境下易水解得物質，常用于硅外延或多晶硅得成長, 以及用在沉積二氧化硅、氮化硅時得化學氣氛中。6 2、die:硅片中一個很小得單位，包括了設計完整得單個芯片以及芯片鄰近水平與垂直方 向上得部分劃片槽區域。6 3、 dielectric : I)介質，一種絕緣材料；n)用于陶瓷或塑料封裝得表面材料，可以提供電絕緣功能。d i ffu s e d laye r ：擴散層，即雜質離子通過固態擴散進入單晶硅中，在臨近硅表 面得區域形成與襯底材料反型得雜質離子層。d i si l a ne (Si 2H 6 ):乙硅烷

10、，一種無色、無腐蝕性、極易燃得氣體，燃燒時能產生高火焰，暴露在空氣中會自燃.在生產光電單元時,乙硅烷常用于沉積多晶硅薄膜。dr i ve-i n :推阱，指運用高溫過程使雜質在硅片中分布擴散。6 7、 dry et ch:干刻，指采用反應氣體或電離氣體除去硅片某一層次中未受保護區域得 TOC o 1-5 h z 混合了物理腐蝕及化學腐蝕得工藝過程.e f f e ctive l a y er thickness：有效層厚，指在外延片制造中，載流子密度在規定范圍內得硅錠前端得深度.EM： e 1 ectrom i g ration ,電子遷移，指由通過鋁條得電流導致電子沿鋁條連線進行得自擴散過程

11、。70、epitaxial la y er：外延層.半導體技術中，在決定晶向得基質襯底上生長一層單晶半導體材料 ,這一單晶半導體層即為外延層。equ i pm e nt down t ime：設備狀態異常以及不能完成預定功能得時間。etch:腐蝕，運用物理或化學方法有選擇得去除不需得區域expo sure：曝光，使感光材料感光或受其她輻射材料照射得過程fab:常指半導體生產得制造工廠。feature s iz e :特征尺寸，指單個圖形得最小物理尺寸。7 6、 fiel d - effect tran s i stor(FET):場效應管.包含源、漏、柵、襯四端，由源經柵到漏 得多子流驅動而工

12、作,多子流由柵下得橫向電場控制。film :薄膜，圓片上得一層或多層迭加得物質。78、f 1 at :平邊f 1 atba n d ca p aci t anse：平帶電容flat band volt age：平帶電壓8 1、 flow co e f f ic i ce nt:流動系數f lo w veloc i ty:流速計flow vol u me:流量計flux ：單位時間內流過給定面積得顆粒數fo r bidde n ener gy gap：禁帶6、 f o urpoi nt probe:四點探針臺8 7、 fun ctiona 1 ar ea :功能區8 8、 gate oxid e

13、 :柵氧glass tr ansition tem p e ratu re：玻璃態轉換溫度g o wnin g :凈化服gray ar e a :灰區g r az i ng inc i d e n ce i nte r f e r ometer：切線入射干涉儀9 3、 ha r d b a k e:后烘h ete r o epi t axy ：單晶長在不同材料得襯底上得外延方法high curren t impl a nt e r:束電流大于 3ma得注入方式，用于批量生產hig n -e f f i c i ency par t i c u 1 ate air ( HE P A) filte

14、r ：高效率空氣顆粒過濾器，去掉99、9 7%得大于0、3um得顆粒9 7、 host:主機9 8、 hot carr i e rs：熱載流子9 9、 h y d rop h ilic :親水性h y drop h o b i c :疏水性impurity:雜質10 2、 indu c tive c oupled p 1 asma (ICP):感應等離子體10 3、 iner t gas：惰性氣體104、ini tial ox i d e： 一氧10 5、 i n su 1 a t o r:絕緣106、isola t ed li ne:隔離線10 7、 i m plant :注入imp u r

15、i t y n :摻雜j un c ti o n :結junct ion s p i k ing n :鋁穿刺kerf :劃片槽1 a n di n g p ad n : P AD1 i th o g r aphy n 制版ma in tai nab ility, equi p me n t : 設備產能main t e n a n ce n :保養m a jor i t y ca r r ie r n ：多數載流子ma sks, devi c e s eries o f n : 一成套光刻版m aterial n :原料matrix n 1 :矩陣mea n n :平均值meas ured

16、leak ra te n :測得漏率medi a n n ：中間值memory n :記憶體meta l n :金屬25、 n a nometer (nm) n : 納米126、nano seco n d (ns) n :納秒127、nitr ide e tch n ：氮化物刻蝕12 8、 n itrogen (N2 ) n:氮氣，一種雙原子氣體12 9、 n-type adj : n 型ohm s per square n:歐姆每平方：方塊電阻orientation n：晶向,一組晶列所指得方向o v er 1 a p n :交迭區o x idat i on n :氧化，高溫下氧氣或水蒸氣與

17、硅進行得化學反應13 4、 pho s pho r u s ( P) n :磷，一種有毒得非金屬元素135、 photomask n :光刻版，用于光刻得版1 36、 p hot o ma s k, n e gat i v e n：反刻i m age s :去掉圖形區域得版photomask, pos iti v e n：正亥 Upil o t n :先行批，用以驗證該工藝就是否符合規格得片子14 0、 plasma n :等離子體，用于去膠、刻蝕或淀積得電離氣體141、 p 1 asma-e nha n ce d chemical vap or deposition (PECVD) n：等離

18、子體化學氣相淀積，低溫條件下得等離子淀積工藝1 4 2、 pla s ma-e nha nced T EO S ox i de depositi o n n :T E O S 淀積，淀積 T EOS 得一種工藝14 3、 p n junction n： pn結14 4、 pock e dbead n:麻點，在20X下觀察到得吸附在低壓表面得水珠14 5、 po 1 ariza t ion n ：偏振，描述電磁波下電場矢量方向得術語6、 polycid e n：多晶硅/金屬硅化物，解決高阻得復合柵結構、polycry sta 1 li n e si licon ( pol y )n：多晶硅，高濃

19、度摻雜(5E1 9 )得硅，能導電。、po 1 ym o rp hism n:多態現象，多晶形成一種化合物以至少兩種不同得形態結晶得現象9、 prober n :探針。在集成電路得電流測試中使用得一種設備，用以連接圓片與檢測設備。0、 proc ess control n :過程控制。半導體制造過程中，對設備或產品規范得控制能力 .p r ox i mit y X r ay n :近X射線：一種光刻技術，用X射線照射置于光刻膠 上方得掩 膜版，從而使對應得光刻膠暴光.pu re wate r n :純水.半導體生產中所用之水 .quantum devic e n :量子設備.一種電子設備結構，

20、其特性源于電子得波動性。quartz carrier n :石英舟。15 5、 random accessmem ory(RAM) n :隨機存儲器。random logic device n :隨機邏輯器件。rapid thermal processing (RTP) n :快速熱處理(RTP)。react ive io n etch (RIE) n :反應離子刻蝕(RIE)。15 9、 reactor n :反應腔。反應進行得密封隔離腔160、 recipe n :菜單。生產過程中對圓片所做得每一步處理規范。16 1、 res i st n ：光刻膠。sc anning el e ctro

21、 n m i cro s cop e (SEM) n :電子顯微鏡(SEM )。sched ule d downtime n :(設備)預定停工時間 .16 4、 Sc ho t tky b arrier d iod e s n 哨特基二極管。1 65、 sc r i be line n :劃片槽。16 6、 sacrificial etc h back n :犧牲腐蝕。16 7、 sem i conductor n :半導體。電導性介于導體與絕緣體之間得元素16 8、 s hee t re s istance (Rs) (or per s qu a re)n :薄層電阻。一般用以衡量半導體表

22、面雜質摻雜水平。side load:邊緣載荷，被彎曲后產生得應力。s i 1 icon o n sap ph ire (SOS) epit a xial wafer：外延就是藍寶石襯底硅得原片s mall scale int e grati o n (SSI):小規模綜合,在單一模塊上由 2至0個圖案得布 局。17 2、 sou r c e code：原代碼，機器代碼編譯者使用得，輸入到程序設計語言里或編碼器得代碼。1 73、spec tral li n e:光譜線，光譜鐐制機或分光計在焦平面上捕捉到得狹長狀得圖形。spin webbing： 旋轉帶，在旋轉過程中在下表面形成得細絲狀得剩余物s

23、putter e tch:濺射刻蝕，從離子轟擊產生得表面除去薄膜。17 6、 stacking fau 1 t:堆垛層錯，原子普通堆積規律得背離產生得2次空間錯誤 17 7、 st eam bath：蒸汽浴，一個大氣壓下，流動蒸汽或其她溫度熱源得暴光。178、 st ep re spon se time：瞬態特性時間，大多數流量控制器實驗中，普通變化時段到氣流剛 到達特定地帶得那個時刻之間得時間 .17 9、 st e pper： 步進光刻機(按 BLOCK來曝光)s tress t est :應力測試，包括特定得電壓、溫度、濕度條件。surface pro f i 1 e:表面輪廓，指與原片

24、表面垂直得平面得輪廓(沒有特指得情況下).1 82、s y m p tom :征兆，人員感覺到在一定條件下產生變化得弊病得主觀認識。18 3、 tack weld:間斷焊，通常在角落上尋找預先有得地點進行得點焊(用于連接蓋子).Tay 1 or tra y :泰勒盤，褐拈土組成得高膨脹物質temperature cy c ling:溫度周期變化，測量出得重復出現相類似得高低溫循環。18 6、 t e stability :易測性，對于一個已給電路來說，哪些測試就是適用它得18 7、 therm al deposition :熱沉積，在超過9 5 0度得高溫下，硅片引入化學摻雜物得過 程。18

25、8、 thin film :超薄薄膜，堆積在原片表面得用于傳導或絕緣得一層特殊薄膜。1 89、 t itan i um (T i ):鈦。1 90、to lu ene (C6H5 C H 3 ):甲苯.有毒、無色易燃得液體，它不溶于水但溶于酒精與大 氣。191、1,1,1 -tri c hl o roe t hane (TCA) (CL 3 CCH3): 有毒、不易燃、有刺激性氣味得液態溶劑。這種混合物不溶于水但溶于酒精與大氣。1 92、 tung s ten (W):鴇.t ungs ten hexafluoride (WF6):氟化鴇.無色無味得氣體或者就是淡黃色液體。在CVD中W F6用

26、于淀積硅化物，也可用于鴇傳導得薄膜。ti n ni n g :金屬性表面覆蓋焊點得薄層。19 5、 total fixed char ge densi t y(Nt h )：下列就是硅表面不可動電荷密度得總與 氧化層固定電荷密度(Nf)、氧化層俘獲得電荷得密度(N ot)、界面負獲得電荷密度(Nit)。19 6、 watt(W):瓦.能量單位.wafer flat ： 從晶片得一面直接切下去,用于表明自由載流子得導電類型與晶體表面得晶向，也可用于在處理與雕合過程中得排列晶片。wafer pr oces s ch a m b e r(WP C):對晶片進行工藝得腔體 .well: 阱.w e t

27、 c h em ical et c h: 濕法化學腐蝕。2 0 1、 tre n ch :深腐蝕區域，用于從另一區域隔離出一個區域或者在硅晶片上形成存儲電容器.202、vi a:通孔。使隔著電介質得上下兩層金屬實現電連接。2 0 3、 w in d ow :在隔離晶片中，允許上下兩層實現電連接得絕緣得通道。2 0 4、 torr : 托.壓力得單位。2 0 5、 vapor pressure：當固體或液體處于平衡態時自己擁有得蒸汽所施加得壓力 縈 汽壓力就是與物質與溫度有關得函數。2 06、v a cuum:真空.207、tra nsitio n meta ls: 過渡金屬Y i eld良率P

28、 aramete r 參數PAC感光化合物ASIC 特殊應用集成電路Solvent 溶劑C a rbi d e 碳Ref r act ive 折射Ex p a n s ion 膨脹Strip濕式刻蝕法得一種TM ： top mental 頂層金屬層WEE 周邊曝光PS G硼硅玻璃MFG 制造部Runcard 運作卡POD 裝晶舟與晶片得盒子Scra t c h 刮傷Ret i cle 光罩Sp utte r 濺射Spin 旋轉Merge合并A/D 軍 Ana 1 og、Dig i ta 1 ,模擬/數字AC Mag n itud e交流幅度AC Ph a s e交流相位A c curacy 精

29、度Ac t ivity ModelA c tivity Model活動模型Addit i v e Pro ces s 加成工藝Adhesion 附著力Agg r essor干擾源Analog Sou r ce 模擬源AO I, A ut o m a te d Op t i c al Inspection 自動光學檢查Ass e mbl y V ari a nt不同得裝配版本輸出Attribute s 屬性AX I, Automated X-ray Inspection 自動 X光檢查BIST, Built-in Self Test 內建得自測試B us Route總線布線Cir c uit電路

30、基準cir c uit diagr a m 電路圖Clemen tine專用共形開線設計Clus t er Placement 簇布局CM合約制造商mon Im p edanc e共模阻抗Co n cu r rent 并行設計C onstant Sour c e 恒壓源Co op er Pour智能覆銅Crosstal k 串擾CVT , p onent Ver i fication and Track i n g 元件確認與跟蹤DC Mag n i tu d e 直流幅度D e lay延時D e lay s 延時Desi g n for Te s ting可測試性設計Des igna t o

31、r 標識DFC, Desi n n for Cost面向成本得設計DF M,Design f or Man u f act u ring面向制造過程得設計D F R,D e sign for Re 1 i a bility 面向可靠性得設計D F T ,Design for T e st面向測試得設計D FX,D e sig n for X 面向產品得整個生命周期或某個環節得設計DSM, Dy nami c Setup Manag em ent 動態設定管理Dy n am i c Ro ute動態布線ED I F ,T h e Elec t ronic Desig n I nte r c ha

32、 n g e Fo rm a t電子設計交互格式E I A,Electro n ic I n dustr i es Assoc iation電子工業協會El e ct r o D y nam i c C h eck 動態電性能分析Electroma g netic Di s turba n ce 電磁干擾E lectro m agnetic Noise 電磁噪聲EMC,E 1 c t r omagn e t ic p a t i bi 1 t 電磁兼容EMI, Ele ctromag n etic I nterfe r e n ce 電磁干擾Emulation 硬件仿真Engineering

33、Ch ange Ord e r原理圖與PCB版圖得自動對應修改Ensemb 1 e 多層平面電磁場仿真ESD 靜電釋放Fal 1 Ti m e下降時間F a 1 se Clo c k i ng 假時鐘FEP 氟化乙丙烯FFT, Fast Fou rier T ran s form 快速傅里葉變換F loat Li c en se 網絡浮動Frequ e ncy Domain 頻域Gaus s ia n Di s trib u tion 高斯分布Global fl d ucia 1 板基準Ground Bounce 地彈反射GUI, G r a ph i cal U s er In terfac

34、e 圖形用戶界面H a rm on i c a射頻微波電路仿真HF S S三維高頻結構電磁場仿真IBIS , I nput/O utput B u ffe r Info r mati o n Spec if i cation 模型ICAM,Integra ted p u t er Aided Manufa c turi n g 在 E CCE 項目里就就是指制作 PC B IEEE, The I n sti t ut e of E 1 ect r i cal a nd Electr o nic En g i neers 國際電氣與 電子工程師協會IGES,I n iti a l Gra p h

35、 i cs E xchan g e S p e ci f i ca t i on 三維立體幾何模型與工程描 述得標準Image F i due ia 1 電路基準I m p edance 阻抗In-Circ u itT est 在線測試Init i a 1 Vol t age 初始電壓Inpu t Rise T i me輸入躍升時間IP C ,The Ins t i tut e for Packaging and I n ter c onnec t 封裝與互連協會IPO, Interact i ve Process O ptimiz a t on 交互過程優化ISO,The Int e rn

36、a tio n al Standards O r ganiz a tion 國際標準化組織J u mper跳線L inear Desi gn S uit線性設計軟件包Loc a l Fiducial 個別基準manufac t ur i ng 制造業MCM s , Multi C hip Modules 多芯片組件MDE, Maxwell D esign Env i ro n mentN o nli n e ar Design Su it非線性設計軟件包ODB+ Open Data Base 公開數據庫OEM原設備制造商OLE Automa t ion目標連接與嵌入On -line DR C

37、在線設計規則檢查O p tim etric s優化與參數掃描Ov e r shoot 過沖Pan e 1 f i ducial 板基準PCB PC Boar d Layout Tool s電路板布局布線PCB， Printed Circuit Board 印制電路板P eri o d周期Periodic Pu 1 se S our c e 周期脈沖源Physical De sign Re use 物理設計可重復PI,P o wer Integ r ity 電源完整性Piece Wise 1 in e ar Source 分段線性源Pre v ie w輸出預覽Pul se Wid t h脈沖寬度

38、P ulsed V o ltag e 脈沖電壓Q u i e scent Li n e 靜態線Radi a l Array Plac e men t極坐標方式得元件布局R e f l e ct i on 反射Reu se實現設計重用Ris e Time上升時間Rnging 振蕩，信號得振鈴Ro u ndin g環繞振蕩R u les Dr i v en規則驅動設計Sax Basic Engin e設計系統中嵌入S D E , Serenade De s i gn E nvironm e ntSDT, S ch ematic Desi gn Tool s電路原理設計工具Se t ting 設置S

39、ett 1 i n g T ime建立時間Shape Base以外形為基礎得無網格布線Shove 元器件得推擠布局SI , Signa 1 In t egrit y 信號完整性S i mu 1 ati o n軟件仿真Sket c h 草圖法布線Skew 偏移S lew Rat e 斜率S PC ,S t atic t i ca 1 Process Co n t rol 統計過程控制SPI, Signal - Power Inte g r i t y將信號完整性與電源完整性集成于一體得分析工具S P IC E , S im u 1 ation Pro gram with I ntegra t e

40、d Circui t Em phasi s 集成電路 模擬得仿真程序Split/Mixed L a ye r 多電源/地線得自動分隔S S O同步交換STEP, Stan da r d f o r the E xchange of Product Model DataSymphony 系統仿真Time domain 時域Time s t e p Setti n g步進時間設置UH D L , VH SIC Hardw a re Des c ripti o n Langu age 硬件描述語言Un d e rshoot 下沖Unif orm Distrib ution 均勻分布Variant 派

41、生VIA Vend o r Int e grat i on Al 1 i a n ce 程序框架聯盟V ictim被干擾對象Virt u a l Sys t e m Pro totype 虛擬系統原型VST,Verfic a tion and Sim u 1 a t ion T o ols 驗證與仿真工具Wizard 智能建庫工具，向導專業術語術語 英文意義 中文解釋LCD L iquid Cry st al Dis p lay 液晶顯示L CM Liquid Crystal Module液晶模塊TN Tw i sted Ne matic扭曲向列.液晶分子得扭曲取向偏轉9 0度STN Supe

42、 r Tw i sted Nematic 超級扭曲向列。約1 80270度扭曲向列FSTN Form u lat e d Super Tw i sted Nematic格式化超級扭曲向列。一層光程補償偏 甲于S TN,用于單色顯示TFT Th i n Fi 1 m T ra n si s tor 薄膜晶體管Ba c k 1 i g ht -背光Inverter 逆變器OSD 0ns creen Disp 1 ay在屏上顯示DV I Digital Visual Int e rface (VGA )數字接口TMDS Tra n s i t ion Min i m iz e d Different

43、ial S i ngnalingLVDS Low V oltage D i ffe r en t i a l Si g na lin g 低壓差分信號Panel i nk 一IC I n tegrate C i rc u i t 集成電路TC P Ta p e Car r ie r Pack age 柔性線路板COB Chip O n B o ard通過綁定將IC裸偏固定于印刷線路板上COF Chip On FPC將IC固定于柔性線路板上COG Chip On Glass 將芯偏固定于玻璃上Duty 占空比，高出點亮得閥值電壓得部分在一個周期中所占得比率LED L ight Emittin g

44、 Diode 發光二極管EL Elextr o L umi n e s cence電致發光。EL層由高分子量薄片構成CCFL(CCFT) Cold Cathode Fluorescent Li g h t /T ude 冷陰極熒光燈PDP P 1 asma Di sp 1 y y Panel 等離子顯示屏CRT Cathode Radial Tude 陰極射線管VGA Video Graphic Anay 視頻圖形陳列PCB Pri n ted C ircuit B oard 印刷電路板p osi t e v i deo 一 復合視頻ponen t video 一 分量視頻S vide。- S

45、端子，與復合視頻信號比，將對比與顏色分離傳輸NTSC Natio n al T e 1 e vi s i o n Syst e m s mi t te e NT SC制式。全國電視系統委員 會制式Phase Alrernatin g Line PAL 制式（逐行倒相制式）SE quenti a 1 Cou 1 e ur Avec Me m oi r e S ECAM 制式（順序與存儲彩色電視系統）Video On Dem and 視頻點播DPI Dot Per In c h 點每英寸A、M、U 原子質量數ADI A f ter dev e lop inspect i on 顯影后檢視AEI 蝕

46、科后檢查Align m e n t 排成一直線，對平Alloy融合：電壓與電流成線性關系，降低接觸得阻值ARC: a n t i r e f 1 ec t coating 防反射層ASHE R :一種干法刻蝕方式ASI 光阻去除后檢查Backside 晶片背面Back side Etch 背面蝕刻Be a m-C u r r en t 電子束電流BPSG:含有硼磷得硅玻璃B reak中斷,ste p pe r機臺內中途停止鍵C assette裝晶片得晶舟C D:c r iti c a l di men s i o n 關鍵性尺寸Chamber 反應室C ha rt 圖表2 0、 Chi 1 d

47、 lo t 子批2 1、 Chip （die）晶粒2 2、CMP化學機械研磨Coater 光阻覆蓋（機臺）Co a ting涂布，光阻覆蓋Co n t act H o 1 e 接觸窗C o n t ro 1 W a fe r 控片C riti c al layer 重要層2 8、 CVD化學氣相淀積C y cl e time生產周期Defe c t 缺陷3 1、 DEP: d eposit 淀積Descu m預處理Dev e loper顯影液；顯影（機臺）3 4、 D e v e lopm e n t 顯影DG : du a l g a te 雙門DI water 去離子水Diffusi o

48、n 擴散Doping 摻雜Dos e劑量D o wngr a de 降級DRC: d esign rul e ch ec k 設計規則檢查D ry Clean 干洗Due date 交期Dum my wa f e r 擋片E/R： etch rate 蝕刻速率E E設備工程師End Point 蝕刻終點ESD: e lectrosta t ic d i scha r g e /e 1 ec trost a ti c d a m a ge 靜電離子損傷ET: etch 蝕刻5 0、 E x h a ust排氣(將管路中得空氣排除)Exp osure 曝光FAB 工廠FIB: f o cu s e

49、 d i on bea m 聚焦離子束Field Ox i d e 場氧化層Flat ness 平坦度5 6、 Focu s 焦距F o u ndry代工FSG： 含有氟得硅玻璃F u rnace爐管6 0、 GO I: g a te oxide i ntegri t y 門氧化層完整性H、M、D、S He xamethy 1 di s il a z an e ,經去水烘烤得晶片 ，將涂上一層增 加光阻與晶片表面附著力得化合物，稱H、M、D、SHCI ： hot car r i er i n jection 熱載流子注入HDP: h igh de n s it y p 1 asma 高密度等離

50、子體High V oltage 高壓6 5、 H o t bake 烘烤66、I D 辨認，鑒定6 7、 I mpl ant 植入6 8、 La yer 層次69、L D D : 1 ightl y doped drain 輕摻雜漏7 0、 L o cal defocus局部失焦因機臺或晶片造成之臟污7 1、 L OCO S : l o cal o x i dat i on of s i licon 局部氧化72、L oop 巡路7 3、 Lo t 批M a sk(re t icle)光罩M e rge 合并Metal Via金屬接觸窗M FG制造部7 8、Mid-C u r ren t 中電

51、流Mod ule 部門NIT: Si3N4 氮化硅1、 Non c r i t i cal 非重要NP: n -dop e d p l u s(N+) N 型重摻雜NW： n-d o pe d well N 阱8 4、O D ： o xide d efi n i t i on 定義氧化層8 5、O M : o ptic mi c roscope 光學顯微鏡OOC 超出控制界線OOS 超出規格界線8、 O v er Et c h 過蝕刻9、Over flow 溢出0、O ver 1 ay測量前層與本層之間曝光得準確度OX: Si 0 2 二氧化硅P、R、 Pho t o r esi s i t

52、光阻P1: poly 多晶硅PA; passiv at i on 鈍化層P a rent 1 ot 母批Partic 1 e含塵量/微塵粒子PE: 1、 process e n gineer； 2、 plasm a enhance 1、工藝工程師 2、 茬子體增強9 8、PH: p hoto黃光或微影99、 Pilot實驗得1 00、 Pla s ma 電漿10 1、 Pod裝晶舟與晶片得盒子10 2、 Po 1 ymer 聚合物POR Process o f recordPP: p doped plus(P +) P 型重摻雜PR： photo resist 光阻PVD物理氣相淀積PW: p

53、-dop e d well P 阱Queue tim e 等待時間R/C: runcard 運作卡Rec ip e 程式Release 放行Resistan c e 電阻1 1 3、 Reti c le 光罩RF 射頻R M: remo v e、消除Ro t a t ion 旋轉RTA: rapid thermal anneal 迅速熱退火RTP： rap i d thermal pr o c e s s迅速熱處理SA ： salicide 硅化金屬1 20、SAB : salicide b 1 o ck硅化金屬阻止區1 21、SAC: sa cri f i c e layer 犧牲層12 2

54、、 Sc r ate h 刮傷12 3、 S elect i vi t y 選擇比12 4、 S EM:sca n n ing e le c t r on mic r osco pe 掃描式電子顯微鏡Slot 槽位Source-Head 離子源SPC 制程統計管制1 28、 Sp i n 旋轉Spin Dry 旋干Sputter 濺射13 1、SRO: S i rich oxide 富氧硅13 2、 Stock r 倉儲Stress 內應力STRIP: 一種濕法刻蝕方式.作 LP CTEOS - (CH3CH2O) 4 Si四乙氧基硅烷/正硅酸四乙酯，常溫下液態VD /PECV D生長S i

55、O2得原料。又指用 TEOS生長得到得SiO2層.Ti 鈦7、 TiN 氮化鈦8、 TM: top met al頂層金屬層139、 TOR Tool o f record14 0、 Under Etch 蝕刻不足14 1、USG : undoped 硅玻璃W (Tungsten)鴇WEE周邊曝光m ainfra m e 主機14 5、 c a ssett e 晶片盒14 6、 amplifier 放大器14 7、 e nclosure 外殼1 48、wrench 扳手swagelo k接頭鎖緊螺母clamp 夾子act ua t o r 激勵1 52、 STI sha 1 low tren c

56、 h isol a ntion 淺溝道隔離層15 3、 SAB硅鋁塊1 5 4、UBM球下金屬層鍍模工藝15 5、 RDL金屬連線重排工藝15 6、 RIE rea c t i nv i o n etch 反應離子 etc hIC P i nductive c oup 1 e plasma 感應等離子體TFT thin f i lm tra n sistor 薄模晶體管9、 A L D a t o mic 1 aye r de pos i ti o n 原子層淀積160、B GA ball g r id ar r ay 高腳封裝16 1、 AA S ato mic a bsorptions s

57、pectroscopy 原子吸附光譜16 2、 AFM atomic force m icrosc o py 原子力顯微1 63、 A S IC特定用途集成電路ATE自動檢測設備SI P s e If-ionized plasma自電離電漿IGBT絕緣門雙極晶體管16 7、PM D p r emet:a 1 diele c tr i c 電容16 8、T C U temper ature control unit 溫度控制設備169、 ar c chamber 起弧室17 0、vap orizer 蒸發器filamen t 燈絲r epel 1 e r 反射板E LS e x t e nded lif e s ourc e 高壽命離子源analyzer magnet磁分析器17 5、 p o st ace e l 后加速器quad rupole lens 磁聚焦透鏡disk/f lag f araday 束流測量器e-shower中性化電子子發生器extrantio