1、文件名稱：富臨蒸發(fā)臺蒸發(fā)ITO作業(yè)指導(dǎo)書文件編號：版本號：A/0富臨蒸發(fā)臺蒸發(fā)ITO作業(yè)指導(dǎo)書制訂單位：研發(fā)部制訂日期：2018年6月20日發(fā)行日期：年 月日修訂日期：年 月日核準審核制作文件名稱：富臨蒸發(fā)臺蒸發(fā)ITO作業(yè)指導(dǎo)書文件編號：版本號：A/0.目的：ITO）蒸鍍的程序用于定義LED芯片（或其他光電產(chǎn)品）在富臨蒸發(fā)臺進行透明導(dǎo)電金屬（.范圍：描述在LED芯片進行透明導(dǎo)電金屬ITO蒸鍍過程所使用的材料，設(shè)備和程序.定義或縮寫詞：ITO:氧化鈿錫.參考文件：無.權(quán)責(zé)：產(chǎn)線員工及相關(guān)的工程技術(shù)人員嚴格按本文要求進行操作并記錄。工藝工程師負責(zé)處理生產(chǎn)中的工藝異常及對本作業(yè)指導(dǎo)書的更新。由設(shè)備工

2、程師對機臺進行周期性保養(yǎng)。.作業(yè)內(nèi)容：日常點檢每天早上點檢水壓、氧氣壓力、壓縮機壓力，并將數(shù)據(jù)記錄在ITO蒸鍍?nèi)粘｜c檢表里；裝片：在人機界面中切換到“半自動模式”，點擊“破真空”鍵，出現(xiàn)對話框再點擊“開 始”鍵（如圖1）將腔體破真空；破真空完成蜂鳴器響后，按下腔體門的開關(guān)（如 圖2）;圖1圖2文件名稱：富臨蒸發(fā)臺蒸發(fā)ITO作業(yè)指導(dǎo)書文件編號：版本號：A/0圖3圖4將腔體門打開，并固定在腔體門的上方支撐條，將門固定住； （如圖3）一只手用手柄卡住行星盤的支撐軸， 另一只手拉出固定片，將行星盤取下，放置在 桌面的專用行星盤固定座上；裝載芯片。陪片管理與使用：a、將陪片（1片雙拋玻璃片與1片雙拋硅片

3、）按“已清洗”、“遮擋片”、“待測試” 與“已測試”分別放在固定芯片盒中。b 、蒸發(fā)前將已清洗的雙拋玻璃片和硅片裝載在 Domes 3圈；在人機界面上開啟遮板（如圖5）將用過的ITO廢料從培竭里取出；用吸塵器將培 圾內(nèi)的廢渣吸起，同時吸除腔體其它地方的贓物；清潔行星軌道和行星爪；待清潔完成后將ITO新料放培竭之內(nèi)，并在人機界面中關(guān)閉遮板待裝片完成之后將行星盤重新放置到行星爪上插固定片固定住；把“AUTO改為“ MANUAL啟動行星盤旋轉(zhuǎn)電機，待行星盤試運行 30S無異常后 改回“AUTO停止行星盤（如圖6）將腔體門的固定條拉開，緩緩關(guān)閉腔體門；一手壓住門另一手按一下腔門的開關(guān)， 扣住腔門；圖5

4、圖6圖7圖8程序運行：在CRTM900膜厚計面板右邊按“ Mend進入主菜單界面（如圖7）在“Mend主菜單界面按“ 2”進入Program Menu界面（如圖8）在 “Program Menu” 菜單界面按 “ 3” 進入 Process Program 界面，在 Layer 1 輸 入流程單上的程序名按“ Enter”確定后；按兩次“ Menu后返回主菜單界面（如 圖7）按“1”進入常置界面（如圖9）圖9圖10檢查TEMPCONTROLLE端度300c是否為流程單所要求的溫度，若不對通知工程在運行程序前將電子槍鑰匙打到“ REMOTE狀態(tài)（如圖12）在人機界面上點擊“半自動模式”再選擇“停

5、止” （如圖10）然后在人機界面上點 擊“自動鍍膜”進入自動鍍膜模式（如圖11）,出現(xiàn)自動鍍膜界面后點擊“開始”： 程序開始運行；程序運行到“。2”項變紅時會發(fā)出“ BB報警聲，此時在ITO蒸鍍記錄表上記 錄本底真空值（如圖13之CH 3的數(shù)值）；待6.3.7完成后點擊“。2”進入通氧工序；通氧120S后系統(tǒng)會自動的進入鍍膜工序，鍍膜開始時在ITO蒸鍍記錄表上記 錄此時的真空值，CH TEMP 1 CH TEMP 2 CH TEMP 3 TEMP CONTROLLER值。 當鍍膜20min后再次記錄真空度值；在設(shè)備操作面的腔體觀察鏡上觀察電子束狀況，若有偏移時請用“電子束控制器”（如圖14）及

6、時的調(diào)整電子束的位置，（轉(zhuǎn)動X-AXIS及Y-AXIS POSIION）文件名稱：富臨蒸發(fā)臺蒸發(fā)ITO作業(yè)指導(dǎo)書文件編號：版本號：A/0調(diào)整電子束位置6.3.11 在鍍膜完成后，在人機界面上會顯示整個鍍膜時各個工序所用的時間及晶體片讀 值，請如實在ITO蒸鍍記錄表記錄(晶體片讀值不能小于 4.908,低于止匕值 請更換晶體片)。6.3.12將電子槍鑰匙由 REMOTE改為LOCK圖11圖12卸片開啟腔體時 CH TEMP 1 CH TEMP 2 CH TEMP 3 TEMP CONTROLL.ER值必須低 于 80 c。待腔體溫度低于80c后，緩緩的將腔體門打開，并將門固定住；從架子上拉出周

7、定片將行星盤取下，放置于專用行星盤固定座上然后把門關(guān)上，并將芯片與陪片從行星盤卸下；卸片完成后將行星盤放置到腔體的架子上固定住，若連續(xù)作業(yè)時將重復(fù)6.2.4-6.2.8 裝片流程，即開啟連續(xù)作業(yè)流程；將腔體門的固定條拉開，緩緩關(guān)閉腔體門；一手壓住門另一手按一下腔門的開關(guān)， 扣住腔門；在人機界面的“半自動模式”中點擊“抽真空”“開始”把腔體抽真空(如圖15);陪片的測量a，蒸發(fā)完成后，BK7采用透射模式測量u 用干凈 BK7做 Baseline , Baseline 完成 后使用 “ TransmittanceBK7 ” 程序測試校正區(qū)域，在 455nm(455.12)波長處透 射率為100 0

8、.5則繼續(xù)下一步，否則重做 Baseline 。b使用鍍膜中間位置測量 BK7上ITO的透射率，并記錄 455nm(455.12)波長處的 讀值。c，測阻時在桌上固定位置測量阻系，測量時邊緣探針須莊在標記點正上方。d、-BK7仆金后需要再次測量其穿透率和電阻值，測量方法與中金前相同。e、雙拋硅片采用反射模式測量，使用標準硅片做Baseline，然后使用“ITO on Si” 程序測量ITO鍍膜中間位置膜厚，當“ Goodness of fit ” 0.98時記錄膜厚 讀值。f、所測試的結(jié)果包括膜厚，合金前后的片電阻值都要在相應(yīng)記錄表中記錄監(jiān)控， 每爐產(chǎn)品需合金測試結(jié)果合格后方可出站。ITO 蒸

9、鍍 SPCfe準：1000?:a、監(jiān)控波長為455nmb 、蒸發(fā)后：透射方85,電阻0 30。文件名稱：富臨蒸發(fā)臺蒸發(fā)ITO作業(yè)指導(dǎo)書文件編號：版本號：A/0c 、合金后：透射95,電阻0 100。d 、每爐產(chǎn)品需合金檢驗合格后方可出站注意事項根據(jù)蒸鍍要求的厚度編輯選擇程序，若不清楚蒸鍍厚度請找工程師確認在運行程序過程中出現(xiàn)任何的異常報警（如停電，設(shè)備異常）,請及時通知工藝工程師或設(shè)備工程師。從裝片到試轉(zhuǎn)完成期間若有芯片掉落，則需將掉落的芯片沖水甩干后重新裝片。在裝片或卸片的過程須小心，行星盤注意不要碰到三個溫度感應(yīng)頭（如圖 13）;圖13在鍍膜的過程中，下列工序所用的時間發(fā)生異常請及時通知工

10、藝工程師進行處理： 粗抽+主閥+加熱+高真空（O2工序前的時間）：超過65min屬于異常，鍍膜工序的 時間：超過55min屬于異常。天早上時要清理火山口，并在處理火山口時需佩戴護目鏡。每一個RUNO要清潔行星軌道和行星爪，加熱鏡每18-20個RUN!行更換，反光鏡每8-10個RUN!行更 換（更換下來的加熱鏡用王水清洗5-10分鐘，反光鏡清洗1-3分鐘）。機臺關(guān)門前確認機臺內(nèi)無異物。每次使用ITO源之前需確認其真空包裝袋是否破損，若有破損現(xiàn)象需更換，并將問題ITO源與正常ITO源隔離。自動鍍膜前確認晶體片頻率大于 4.908MHZ自動鍍膜預(yù)熔時請確認電壓，電流指針偏轉(zhuǎn)正常。腔門時注意，小心壓傷

11、。保養(yǎng)每天早上時要清理火山口，并在處理火山口時需佩戴護目鏡。每一個RUNO要清潔行星軌道和行星爪，以及電子槍燈絲下方雜質(zhì)；加熱鏡每18-20個RUN!行更換，反光鏡每8-10個RUN!行更換（更換下來的加熱鏡用王水清洗5-10分鐘， 反光鏡清洗1-3分鐘）。每40 Run（MAX）更換1次電子槍燈絲，并記錄于ITO蒸鍍記錄表。每125個RUNt進行行星盤更換和腔體大保養(yǎng) （更換擋板、行星盤、底部清潔及蒸 鍍到的部件拿去噴砂等）。做完大保養(yǎng)后，至第50次做小保養(yǎng)。此后每做完25爐 后做一次小保養(yǎng)，直到總次數(shù)達到125次。但如果保養(yǎng)間期出現(xiàn)來自腔體污染的情 形，由工藝工程師判斷是否執(zhí)行相應(yīng)的清機動作（滿腔需在作業(yè)記錄表單上作滿腔記錄。）行星盤更換過程中，不允許任何人觸摸側(cè)壁；（大小保養(yǎng)由設(shè)備工程師做）。滿腔或更換行星盤完成后，將加熱溫度改為340C,在“半自動”模式下點擊“抽文件名稱：富臨蒸發(fā)臺蒸發(fā)ITO作業(yè)指導(dǎo)書文件編號：版本號：A/0真空”待主閥打開時點“腔體烘烤”；待腔體烘烤完成將溫度改為300c直接空Run 一次，