1、1電力電子技術Power Electronics21 什么是電力電子技術2 電力電子技術的發展史3 電力電子技術的應用4 教材內容簡介和使用說明緒 論31.1 電力電子與信息電子1.2 兩大分支1.3 與其他學科的關系1.4 地位和未來1 什么是電力電子技術4信息電子技術信息處理電力電子技術電力變換電子技術一般即指信息電子技術，廣義而言，也包括電力電子技術。模擬電子技術電子技術信息電子技術電力電子技術數字電子技術電力電子技術使用電力電子器件對電能進行變換和控制的技術，即 應用于電力領域的電子技術。目前電力電子器件均用半導體制成，故也稱電力半導體器件。電力電子技術變換的“電力”，可大到數百MW甚

2、至GW，也可小到數W甚至mW級。1.1 電力電子與信息電子5 變流技術（電力電子器件應用技術） 用電力電子器件構成電力變換電路和對其 進行控制的技術，以及構成電力電子裝置 和電力電子系統的技術。 電力電子技術的核心，理論基礎是電路理論。1.2 兩大分支 電力電子器件制造技術電力電子技術的基礎，理論基礎是半導體物理。6 電力交流和直流兩種 從公用電網直接得到的是交流，從蓄電池和干電池得到的是直流。 電力變換四大類 交流變直流、直流變交流、直流變直流、交流變交流表1 電力變換的種類 進行電力變換的技術稱為 變流技術。逆變直流斬波直流交流電力控制變頻、變相整流交流交流直流 輸出 輸入1.2 兩大分支

3、 變流技術7電力電子學 (Power Electronics)名稱60年代出現。1974年，美國的W. Newell用圖1的倒三角形對電力電子學進行了描述，被全世界普遍接受。電力電子學電子學電力學控制理論連續、離散 電路、器件靜止器、旋轉電機圖1 描述電力電子學的倒三角形1.3 與相關學科的關系8都分為器件和應用兩大分支。器件的材料、工藝基本相同，采用微電子技術。應用的理論基礎、分析方法、分析軟件也基本相同。信息電子電路的器件可工作在開關狀態，也可工作在放大狀態；電力電子電路的器件一般只工作在開關狀態。二者同根同源。 與電子學（信息電子學）的關系1.3 與相關學科的關系91.3 與相關學科的關

4、系電力電子技術廣泛用于電氣工程中高壓直流輸電靜止無功補償電力機車牽引交直流電力傳動電解、電鍍、電加熱、高性能交直流電源國內外均把電力電子技術歸為電氣工程的一個分支。電力電子技術是電氣工程學科中最為活躍的一個分支。 與電力學（電氣工程）的關系10控制理論廣泛用于電力電子系統中。電力電子技術是弱電控制強電的技術， 是弱電和強電的接口；控制理論是這種接口的有力紐帶。電力電子裝置是自動化技術的基礎元件和 重要支撐技術。 與控制理論（自動化技術）的關系1.3 與相關學科的關系11電力電子技術和運動控制一起，和計算機技術共同成 為未來科學技術的兩大支柱。計算機 人腦 電力電子技術 消化系統和循環系統 電力

5、電子運動控制 肌肉和四肢電力電子技術是電能變換技術,是把粗電變為精電的技術， 能源是人類社會的永恒話題，電能是最優質的能源， 因此，電力電子技術將青春永駐。 一門嶄新的技術，21世紀仍將以迅猛的速度發展。1.4 地位和未來12歷史是人類社會的一面鏡子分析過去、現在有助于把握未來科學史是科學家的一面鏡子了解一門學科的過去、現在有助于把握未來2 電力電子技術的發展史13電力電子技術的發展史是以電力電子器件的發展史為綱的。晶閘管問世，(“公元元年”)IGBT及功率集成器件出現和發展時代晶閘管時代水銀（汞?。┱髌鲿r代電子管問世全控型器件迅速發展時期史前期（黎明期）190419301947195719

6、70198019902000t(年)晶體管誕生2 電力電子技術的發展史14一般工業： 交直流電機、電化學工業、冶金工業交通運輸： 電氣化鐵道、電動汽車、航空、航海電力系統： 高壓直流輸電、柔性交流輸電、無功補償電子裝置電源： 為信息電子裝置提供動力家用電器： “節能燈”、變頻空調其他： UPS、 航天飛行器、新能源、發電裝置3 電力電子技術的應用15軋鋼機數控機床冶金工業電解鋁1）一般工業3 電力電子技術的應用162）交通運輸3 電力電子技術的應用173）電力系統SVC高壓直流裝置HVDC柔性交流輸電FACTS3 電力電子技術的應用184）電子裝置用電源程控交換機電子裝置微型計算機3 電力電子

7、技術的應用195）家用電器3 電力電子技術的應用206）其他大型計算機的UPS航天技術新型能源3 電力電子技術的應用21總之，電力電子技術的應用范圍十分廣泛，激發人們學習、研究電力電子技術并使其飛速發展。電力電子裝置提供給負載的是各種不同的電源，因此可以說，電力電子技術研究的也就是電源技術。電力電子技術對節省電能有重要意義。特別在大型風機、水泵采用變頻調速，在使用量十分龐大的照明電源等方面，因此它也被稱為是節能技術。3 電力電子技術的應用224.1 教材的內容簡介4.2 教材的使用說明4 教材的內容簡介和使用說明234.1 教材的內容簡介電力電子技術教材結構第二部分全書的主體第一部分全書的基礎

8、第三部分全書的深入第1章電力電子器件第2章整流電路第6章PWM控制技術第5章逆變電路第4章交流控制電路和交交變頻電路第3章直流斬波電路第7章軟開關技術第8章組合變流電路24每章的最后有小結，對全章的要點和重點進行總結。教材正文后附有“教學實驗”部分，精選了5個最基本的，有較高實用價值的實驗 。書末附有“術語索引”。課時分配：課內教學學時為4856學時（包含實驗，每個實驗2學時）。和其他課程的關系：電路電子技術基礎電力電子技術電力拖動自動控制系統4.2 教材的使用說明25第1章 電力電子器件1.1 電力電子器件概述1.2 不可控器件二極管1.3 半控型器件晶閘管1.4 典型全控型器件1.5 其他

9、新型電力電子器件1.6 電力電子器件的驅動1.7 電力電子器件的保護1.8 電力電子器件的串聯和并聯使用 本章小結及作業26電子技術的基礎 電子器件：晶體管和集成電路電力電子電路的基礎 電力電子器件本章主要內容：概述電力電子器件的概念、特點和分類等問題。介紹常用電力電子器件的工作原理、基本特性、主要參數以及選擇和使用中應注意問題。第1章 電力電子器件引言271.1.1 電力電子器件的概念和特征1.1.2 應用電力電子器件的系統組成1.1.3 電力電子器件的分類1.1.4 本章內容和學習要點1.1 電力電子器件概述281）概念:電力電子器件（Power Electronic Device） 可直

10、接用于主電路中，實現電能的變換或控制的電子器件。主電路（Main Power Circuit） 電氣設備或電力系統中，直接承擔電能的變換或控制任務的電路。2）分類: 電真空器件 (汞弧整流器、閘流管) 半導體器件 (采用的主要材料硅）仍然1.1.1 電力電子器件的概念和特征電力電子器件29能處理電功率的能力，一般遠大于處理信息的電子器件。電力電子器件一般都工作在開關狀態。電力電子器件往往需要由信息電子電路來控制。電力電子器件自身的功率損耗遠大于信息電子器件，一般都要安裝散熱器。1.1.1 電力電子器件的概念和特征3）同處理信息的電子器件相比的一般特征：30通態損耗是器件功率損耗的主要成因。器件

11、開關頻率較高時，開關損耗可能成為器件功率損耗的主要因素。主要損耗通態損耗斷態損耗開關損耗關斷損耗開通損耗1.1.1 電力電子器件的概念和特征 電力電子器件的損耗31電力電子系統：由控制電路、驅動電路、保護電路 和以電力電子器件為核心的主電路組成。圖1-1 電力電子器件在實際應用中的系統組成控制電路檢測電路驅動電路RL主電路V1V2保護電路在主電路和控制電路中附加一些電路，以保證電力電子器件和整個系統正常可靠運行1.1.2 應用電力電子器件系統組成電氣隔離控制電路32半控型器件（Thyristor） 通過控制信號可以控制其導通而不能控制其關斷。全控型器件（IGBT,MOSFET) 通過控制信號既

12、可控制其導通又可控制其關 斷，又稱自關斷器件。不可控器件(Power Diode) 不能用控制信號來控制其通斷, 因此也就不需要驅動電路。1.1.3 電力電子器件的分類按照器件能夠被控制的程度，分為以下三類：33電流驅動型 通過從控制端注入或者抽出電流來實現導通或者 關斷的控制。電壓驅動型 僅通過在控制端和公共端之間施加一定的電壓信號就可實現導通或者關斷的控制。1.1.3 電力電子器件的分類 按照驅動電路信號的性質，分為兩類：34本章內容:介紹各種器件的工作原理、基本特性、主要參數以及選擇和使用中應注意的一些問題。集中講述電力電子器件的驅動、保護和串、并聯使用這三個問題。學習要點:最重要的是掌

13、握其基本特性。掌握電力電子器件的型號命名法，以及其參數和特性曲線的使用方法。可能會主電路的其它電路元件有特殊的要求。1.1.4 本章學習內容與學習要點351.2.1 PN結與電力二極管的工作原理1.2.2 電力二極管的基本特性1.2.3 電力二極管的主要參數1.2.4 電力二極管的主要類型1.2 不可控器件電力二極管36 Power Diode結構和原理簡單，工作可靠，自20世紀50年代初期就獲得應用?？旎謴投O管和肖特基二極管，分別在中、高頻整流和逆變，以及低壓高頻整流的場合，具有不可替代的地位。1.2 不可控器件電力二極管引言整流二極管及模塊37基本結構和工作原理與信息電子電路中的二極管一

14、樣。由一個面積較大的PN結和兩端引線以及封裝組成的。從外形上看，主要有螺栓型和平板型兩種封裝。圖1-2 電力二極管的外形、結構和電氣圖形符號 a) 外形 b) 結構 c) 電氣圖形符號1.2.1 PN結與電力二極管的工作原理AKAKa)IKAPNJb)c)AK38 狀態參數正向導通反向截止反向擊穿電流正向大幾乎為零反向大電壓維持1V反向大反向大阻態低阻態高阻態二極管的基本原理就在于PN結的單向導電性這一主要特征。 PN結的反向擊穿（兩種形式)齊納擊穿雪崩擊穿均可能導致熱擊穿1.2.1 PN結與電力二極管的工作原理 PN結的狀態39PN結的電荷量隨外加電壓而變化，呈現電容效應，稱為結電容CJ，又

15、稱為微分電容。結電容按其產生機制和作用的差別分為勢壘電容CB和擴散電容CD。電容影響PN結的工作頻率，尤其是高速的開關狀態。1.2.1 PN結與電力二極管的工作原理 PN結的電容效應：40主要指其伏安特性門檻電壓UTO，正向電流IF開始明顯增加所對應的電壓。與IF對應的電力二極管兩端的電壓即為其正向電壓降UF 。承受反向電壓時，只有微小而數值恒定的反向漏電流。圖1-4 電力二極管的伏安特性1.2.2 電力二極管的基本特性1) 靜態特性IOIFUTOUFU412) 動態特性 二極管的電壓-電流特性隨時 間變化的 結電容的存在1.2.2 電力二極管的基本特性b)UFPuiiFuFtfrt02Va)

16、IFUFtFt0trrtdtft1t2tURURPIRPdiFdtdiRdt圖1-5 電力二極管的動態過程波形 a) 正向偏置轉換為反向偏置 b) 零偏置轉換為正向偏置延遲時間：td= t1- t0, 電流下降時間：tf= t2- t1反向恢復時間：trr= td+ tf恢復特性的軟度：下降時間與延遲時間 的比值tf /td，或稱恢復系數，用Sr表示。42正向壓降先出現一個過沖UFP，經過一段時間才趨于接近穩態壓降的某個值（如 2V）。正向恢復時間tfr。電流上升率越大，UFP越高 。UFPuiiFuFtfrt02V圖1-5(b)開通過程1.2.2 電力二極管的基本特性 開通過程： 關斷過程須

17、經過一段短暫的時間才能重新獲得反向阻斷能力，進入截止狀態。關斷之前有較大的反向電流出現，并伴隨有明顯的反向電壓過沖。IFUFtFt0trrtdtft1t2tURURPIRPdiFdtdiRdt圖1-5(b)關斷過程43額定電流在指定的管殼溫度和散熱條件下，其允許流過的最大工頻正弦半波電流的平均值。IF(AV)是按照電流的發熱效應來定義的，使用時應按有效值相等的原則來選取電流定額，并應留有一定的裕量。1.2.3 電力二極管的主要參數1) 正向平均電流IF(AV)44在指定溫度下，流過某一指定的穩態正向電流時對應的正向壓降。3） 反向重復峰值電壓URRM對電力二極管所能重復施加的反向最高峰值電壓。

18、使用時，應當留有兩倍的裕量。 4）反向恢復時間trr trr= td+ tf1.2.3 電力二極管的主要參數2）正向壓降UF45結溫是指管芯PN結的平均溫度，用TJ表示。TJM是指在PN結不致損壞的前提下所能承受的最高平均溫度。TJM通常在125175C范圍之內。6) 浪涌電流IFSM指電力二極管所能承受最大的連續一個或幾個工頻周期的過電流。 1.2.3 電力二極管的主要參數5）最高工作結溫TJM461) 普通二極管（General Purpose Diode）又稱整流二極管（Rectifier Diode）多用于開關頻率不高（1kHz以下）的整流電路其反向恢復時間較長正向電流定額和反向電壓定

19、額可以達到很高DATASHEET按照正向壓降、反向耐壓、反向漏電流等性能，特別是反向恢復特性的不同介紹。1.2.4 電力二極管的主要類型47簡稱快速二極管快恢復外延二極管 （Fast Recovery Epitaxial DiodesFRED），其trr更短（可低于50ns）， UF也很低（0.9V左右），但其反向耐壓多在1200V以下。從性能上可分為快速恢復和超快速恢復兩個等級。前者trr為數百納秒或更長，后者則在100ns以下，甚至達到2030ns。DATASHEET 1 2 31.2.4 電力二極管的主要類型2) 快恢復二極管 （Fast Recovery DiodeFRD）48肖特基二

20、極管的弱點反向耐壓提高時正向壓降會提高，多用于200V以下。反向穩態損耗不能忽略，必須嚴格地限制其工作溫度。肖特基二極管的優點反向恢復時間很短（1040ns）。正向恢復過程中也不會有明顯的電壓過沖。反向耐壓較低時其正向壓降明顯低于快恢復二極管。效率高，其開關損耗和正向導通損耗都比快速二極管還小。1.2.4 電力二極管的主要類型3. 肖特基二極管(DATASHEET) 以金屬和半導體接觸形成的勢壘為基礎的二極管稱為肖特基勢壘二極管（Schottky Barrier Diode SBD）。491.3 半控器件晶閘管1.3.1 晶閘管的結構與工作原理1.3.2 晶閘管的基本特性1.3.3 晶閘管的主

21、要參數1.3.4 晶閘管的派生器件501.3 半控器件晶閘管引言1956年美國貝爾實驗室發明了晶閘管。1957年美國通用電氣公司開發出第一只晶閘管產品。1958年商業化。開辟了電力電子技術迅速發展和廣泛應用的嶄新時代。20世紀80年代以來，開始被全控型器件取代。能承受的電壓和電流容量最高，工作可靠，在大容量的場合具有重要地位。晶閘管（Thyristor）：晶體閘流管，可控硅整流器（Silicon Controlled RectifierSCR）51圖1-6 晶閘管的外形、結構和電氣圖形符號a) 外形 b) 結構 c) 電氣圖形符號1.3.1 晶閘管的結構與工作原理外形有螺栓型和平板型兩種封裝。

22、有三個聯接端。螺栓型封裝，通常螺栓是其陽極，能與散熱器緊密聯接且安裝方便。平板型晶閘管可由兩個散熱器將其夾在中間。521.3.1 晶閘管的結構與工作原理常用晶閘管的結構螺栓型晶閘管晶閘管模塊平板型晶閘管外形及結構531.3.1 晶閘管的結構與工作原理式中1和2分別是晶體管V1和V2的共基極電流增益；ICBO1和ICBO2分別是V1和V2的共基極漏電流。由以上式可得 ：圖1-7 晶閘管的雙晶體管模型及其工作原理a) 雙晶體管模型 b) 工作原理 按晶體管的工作原理 ，得：（1-2）（1-1）（1-3）（1-4）（1-5）541.3.1 晶閘管的結構與工作原理在低發射極電流下 是很小的，而當發射極

23、電流建立起來之后， 迅速增大。 阻斷狀態：IG=0，1+2很小。流過晶閘管的漏電流稍大于兩個晶體管漏電流之和。開通狀態：注入觸發電流使晶體管的發射極電流增大以致1+2趨近于1的話，流過晶閘管的電流IA，將趨近于無窮大，實現飽和導通。IA實際由外電路決定。551.3.1 晶閘管的結構與工作原理陽極電壓升高至相當高的數值造成雪崩效應陽極電壓上升率du/dt過高結溫較高光觸發光觸發可以保證控制電路與主電路之間的良好絕緣而應用于高壓電力設備中，稱為光控晶閘管（Light Triggered ThyristorLTT）。只有門極觸發是最精確、迅速而可靠的控制手段。其他幾種可能導通的情況：561.3.2

24、晶閘管的基本特性（1）正向特性IG=0時，器件兩端施加正向電壓，只有很小的正向漏電流，為正向阻斷狀態。正向電壓超過正向轉折電壓Ubo，則漏電流急劇增大，器件開通。隨著門極電流幅值的增大，正向轉折電壓降低。晶閘管本身的壓降很小，在1V左右。正向導通雪崩擊穿O+UA-UA-IAIAIHIG2IG1IG=0UboUDSMUDRMURRMURSM1） 靜態特性圖1-8 晶閘管的伏安特性IG2IG1IG571.3.2 晶閘管的基本特性反向特性類似二極管的反向特性。反向阻斷狀態時，只有極小的反向漏電流流過。當反向電壓達到反向擊穿電壓后，可能導致晶閘管發熱損壞。圖1-8 晶閘管的伏安特性IG2IG1IG正向

25、導通雪崩擊穿O+UA-UA-IAIAIHIG2IG1IG=0UboUDSMUDRMURRMURSM（2）反向特性581.3.2 晶閘管的基本特性承受反向電壓時，不論門極是否有觸發電流，晶閘管都不會導通。承受正向電壓時，僅在門極有觸發電流的情況下晶閘管才能開通。晶閘管一旦導通，門極就失去控制作用。要使晶閘管關斷，只能使晶閘管的電流降到接近于零的某一數值以下 。DATASHEET晶閘管正常工作時的特性總結如下：591.3.2 晶閘管的基本特性1) 開通過程延遲時間td (0.51.5s)上升時間tr (0.53s)開通時間tgt以上兩者之和， tgt=td+ tr （1-6）100%90%10%u

26、AKttO0tdtrtrrtgrURRMIRMiA2) 關斷過程反向阻斷恢復時間trr正向阻斷恢復時間tgr關斷時間tq以上兩者之和tq=trr+tgr （1-7)普通晶閘管的關斷時間約幾百微秒2） 動態特性圖1-9 晶閘管的開通和關斷過程波形601.3.3 晶閘管的主要參數斷態重復峰值電壓UDRM 在門極斷路而結溫為額定值時，允許重復加在器件上的正向峰值電壓。反向重復峰值電壓URRM 在門極斷路而結溫為額定值時，允許重復加在器件上的反向峰值電壓。通態（峰值）電壓UT 晶閘管通以某一規定倍數的額定通態平均電流時的瞬態峰值電壓。通常取晶閘管的UDRM和URRM中較小的標值作為該器件的額定電壓。選

27、用時，一般取額定電壓為正常工作時晶閘管所承受峰值電壓23倍。使用注意：1）電壓定額611.3.3 晶閘管的主要參數通態平均電流 IT(AV）在環境溫度為40C和規定的冷卻狀態下，穩定結溫不超過額定結溫時所允許流過的最大工頻正弦半波電流的平均值。標稱其額定電流的參數。使用時應按有效值相等的原則來選取晶閘管。維持電流 IH 使晶閘管維持導通所必需的最小電流。擎住電流 IL 晶閘管剛從斷態轉入通態并移除觸發信號后， 能維持導通所需的最小電流。對同一晶閘管來說，通常IL約為IH的24倍。浪涌電流ITSM指由于電路異常情況引起的并使結溫超過額定結溫的不重復性最大正向過載電流 。2）電流定額621.3.3

28、 晶閘管的主要參數 除開通時間tgt和關斷時間tq外，還有：斷態電壓臨界上升率du/dt 指在額定結溫和門極開路的情況下，不導致晶閘管從斷態到通 態轉換的外加電壓最大上升率。 電壓上升率過大，使充電電流足夠大，就會使晶閘管誤導通 。 通態電流臨界上升率di/dt 指在規定條件下，晶閘管能承受而無有害影響的最大通態電流上升率。 如果電流上升太快，可能造成局部過熱而使晶閘管損壞。3）動態參數631.3.4 晶閘管的派生器件有快速晶閘管和高頻晶閘管。開關時間以及du/dt和di/dt耐量都有明顯改善。普通晶閘管關斷時間數百微秒，快速晶閘管數十微秒，高頻晶閘管10s左右。高頻晶閘管的不足在于其電壓和電

29、流定額都不易做高。由于工作頻率較高，不能忽略其開關損耗的發熱效應。DATASHEET1）快速晶閘管（Fast Switching Thyristor FST)641.3.4 晶閘管的派生器件2）雙向晶閘管（Triode AC SwitchTRIAC或Bidirectional triode thyristor）圖1-10 雙向晶閘管的電氣圖形符號和伏安特性a) 電氣圖形符號 b) 伏安特性a)b)IOUIG=0GT1T2可認為是一對反并聯聯接的普通晶閘管的集成。有兩個主電極T1和T2，一個門極G。在第和第III象限有對稱的伏安特性。不用平均值而用有效值來表示其額定電流值。DATASHEET65

30、1.3.4 晶閘管的派生器件逆導晶閘管（Reverse Conducting ThyristorRCT）a)KGAb)UOIIG=0圖1-11 逆導晶閘管的電氣圖形符號和伏安特性a) 電氣圖形符號 b) 伏安特性將晶閘管反并聯一個二極管制作在同一管芯上的功率集成器件。具有正向壓降小、關斷時間短、高溫特性好、額定結溫高等優點。661.3.4 晶閘管的派生器件光控晶閘管（Light Triggered ThyristorLTT）AGKa)AK光強度強弱b)OUIA圖1-12 光控晶閘管的電氣圖形符號和伏安特性a) 電氣圖形符號 b) 伏安特性又稱光觸發晶閘管，是利用一定波長的光照信號觸發導通的晶閘

31、管。光觸發保證了主電路與控制電路之間的絕緣，且可避免電磁干擾的影響。因此目前在高壓大功率的場合。671.4 典型全控型器件1.4.1 門極可關斷晶閘管1.4.2 電力晶體管1.4.3 電力場效應晶體管1.4.4 絕緣柵雙極晶體管681.4 典型全控型器件引言門極可關斷晶閘管在晶閘管問世后不久出現。20世紀80年代以來，電力電子技術進入了一個嶄新時代。典型代表門極可關斷晶閘管、電力晶體管、電力場效應晶體管、絕緣柵雙極晶體管。691.4 典型全控型器件引言常用的典型全控型器件電力MOSFETIGBT單管及模塊701.4.1 門極可關斷晶閘管晶閘管的一種派生器件。可以通過在門極施加負的脈沖電流使其關

32、斷。GTO的電壓、電流容量較大，與普通晶閘管接近，因而在兆瓦級以上的大功率場合仍有較多的應用。DATASHEET門極可關斷晶閘管（Gate-Turn-Off Thyristor GTO）711.4.1 門極可關斷晶閘管結構：與普通晶閘管的相同點： PNPN四層半導體結構，外部引出陽極、陰極和門極。和普通晶閘管的不同點：GTO是一種多元的功率集成器件。圖1-13 GTO的內部結構和電氣圖形符號 a) 各單元的陰極、門極間隔排列的圖形 b) 并聯單元結構斷面示意圖 c) 電氣圖形符號1）GTO的結構和工作原理721.4.1 門極可關斷晶閘管工作原理：與普通晶閘管一樣，可以用圖1-7所示的雙晶體管模

33、型來分析。 圖1-7 晶閘管的雙晶體管模型及其工作原理 1+2=1是器件臨界導通的條件。由P1N1P2和N1P2N2構成的兩個晶體管V1、V2分別具有共基極電流增益1和2 。731.4.1 門極可關斷晶閘管GTO能夠通過門極關斷的原因是其與普通晶閘管有如下區別：設計2較大，使晶體管V2控 制靈敏，易于GTO。導通時1+2更接近1，導通時接近臨界飽和，有利門極控制關斷，但導通時管壓降增大。 多元集成結構，使得P2基區橫向電阻很小，能從門極抽出較大電流。 圖1-7 晶閘管的工作原理741.4.1 門極可關斷晶閘管GTO導通過程與普通晶閘管一樣，只是導通時飽和程度較淺。GTO關斷過程中有強烈正反饋使

34、器件退出飽和而關斷。多元集成結構還使GTO比普通晶閘管開通過程快，承受di/dt能力強 。 由上述分析我們可以得到以下結論：751.4.1 門極可關斷晶閘管開通過程：與普通晶閘管相同關斷過程：與普通晶閘管有所不同儲存時間ts，使等效晶體管退出飽和。下降時間tf 尾部時間tt 殘存載流子復合。通常tf比ts小得多，而tt比ts要長。門極負脈沖電流幅值越大，ts越短。Ot0tiGiAIA90%IA10%IAtttftstdtrt0t1t2t3t4t5t6 圖1-14 GTO的開通和關斷過程電流波形GTO的動態特性761.4.1 門極可關斷晶閘管GTO的主要參數 延遲時間與上升時間之和。延遲時間一般

35、約12s，上升時間則隨通態陽極電流的增大而增大。 一般指儲存時間和下降時間之和，不包括尾部時間。下降時間一般小于2s。（2） 關斷時間toff（1）開通時間ton 不少GTO都制造成逆導型，類似于逆導晶閘管，需承受反壓時，應和電力二極管串聯 。 許多參數和普通晶閘管相應的參數意義相同，以下只介紹意義不同的參數。771.4.1 門極可關斷晶閘管（3）最大可關斷陽極電流IATO（4） 電流關斷增益off off一般很小，只有5左右，這是GTO的一個主要缺點。1000A的GTO關斷時門極負脈沖電流峰值要200A 。 GTO額定電流。 最大可關斷陽極電流與門極負脈沖電流最大值IGM之比稱為電流關斷增益

36、。（1-8）781.4.2 電力晶體管電力晶體管（Giant TransistorGTR，直譯為巨型晶體管） 。耐高電壓、大電流的雙極結型晶體管（Bipolar Junction TransistorBJT），英文有時候也稱為Power BJT。DATASHEET 1 2應用20世紀80年代以來，在中、小功率范圍內取代晶閘管，但目前又大多被IGBT和電力MOSFET取代。術語用法：79與普通的雙極結型晶體管基本原理是一樣的。主要特性是耐壓高、電流大、開關特性好。通常采用至少由兩個晶體管按達林頓接法組成的單元結構。采用集成電路工藝將許多這種單元并聯而成 。1.4.2 電力晶體管1）GTR的結構和

37、工作原理圖1-15 GTR的結構、電氣圖形符號和內部載流子的流動 a) 內部結構斷面示意圖 b) 電氣圖形符號 c) 內部載流子的流動801.4.2 電力晶體管在應用中，GTR一般采用共發射極接法。集電極電流ic與基極電流ib之比為（1-9） GTR的電流放大系數，反映了基極電流對集電極電流的控制能力 。當考慮到集電極和發射極間的漏電流Iceo時，ic和ib的關系為 ic= ib +Iceo （1-10）單管GTR的 值比小功率的晶體管小得多，通常為10左右，采用達林頓接法可有效增大電流增益?？昭麟娮恿鱟)EbEcibic=bibie=(1+b )ib1）GTR的結構和工作原理811.4.2

38、 電力晶體管 (1) 靜態特性共發射極接法時的典型輸出特性：截止區、放大區和飽和區。在電力電子電路中GTR工作在開關狀態。在開關過程中，即在截止區和飽和區之間過渡時，要經過放大區。截止區放大區飽和區OIcib3ib2ib1ib1ib2 BUcex BUces BUcer Buceo。實際使用時，最高工作電壓要比BUceo低得多。3）GTR的主要參數841.4.2 電力晶體管通常規定為hFE下降到規定值的1/21/3時所對應的Ic 。實際使用時要留有裕量，只能用到IcM的一半或稍多一點。 3) 集電極最大耗散功率PcM最高工作溫度下允許的耗散功率。產品說明書中給PcM時同時給出殼溫TC，間接表示

39、了最高工作溫度 。 2)集電極最大允許電流IcM851.4.2 電力晶體管一次擊穿：集電極電壓升高至擊穿電壓時，Ic迅速增大。只要Ic不超過限度，GTR一般不會損壞，工作特性也不變。 二次擊穿：一次擊穿發生時，Ic突然急劇上升，電壓陡然下降。常常立即導致器件的永久損壞，或者工作特性明顯衰變 。安全工作區（Safe Operating AreaSOA）最高電壓UceM、集電極最大電流IcM、最大耗散功率PcM、二次擊穿臨界線限定。SOAOIcIcMPSBPcMUceUceM圖1-18 GTR的安全工作區GTR的二次擊穿現象與安全工作區861.4.3 電力場效應晶體管分為結型和絕緣柵型通常主要指絕

40、緣柵型中的MOS型（Metal Oxide Semiconductor FET）簡稱電力MOSFET（Power MOSFET）結型電力場效應晶體管一般稱作靜電感應晶體管（Static Induction TransistorSIT）特點用柵極電壓來控制漏極電流驅動電路簡單，需要的驅動功率小。開關速度快，工作頻率高。熱穩定性優于GTR。電流容量小，耐壓低，一般只適用于功率不超過10kW的電力電子裝置 。電力場效應晶體管871.4.3 電力場效應晶體管電力MOSFET的種類按導電溝道可分為P溝道和N溝道。 耗盡型當柵極電壓為零時漏源極之間就存在導電溝道。 增強型對于N（P）溝道器件，柵極電壓大于

41、（小于）零時才存在導電溝道。電力MOSFET主要是N溝道增強型。DATASHEET1）電力MOSFET的結構和工作原理881.4.3 電力場效應晶體管電力MOSFET的結構是單極型晶體管。導電機理與小功率MOS管相同，但結構上有較大區別。采用多元集成結構，不同的生產廠家采用了不同設計。圖1-19 電力MOSFET的結構和電氣圖形符號891.4.3 電力場效應晶體管小功率MOS管是橫向導電器件。電力MOSFET大都采用垂直導電結構，又稱為VMOSFET（Vertical MOSFET）。按垂直導電結構的差異，分為利用V型槽實現垂直導電的VVMOSFET和具有垂直導電雙擴散MOS結構的VDMOSF

42、ET（Vertical Double-diffused MOSFET）。這里主要以VDMOS器件為例進行討論。電力MOSFET的結構901.4.3 電力場效應晶體管截止：漏源極間加正電源，柵源極間電壓為零。P基區與N漂移區之間形成的PN結J1反偏，漏源極之間無電流流過。導電：在柵源極間加正電壓UGS當UGS大于UT時，P型半導體反型成N型而成為反型層，該反型層形成N溝道而使PN結J1消失，漏極和源極導電 。圖1-19 電力MOSFET的結構和電氣圖形符號電力MOSFET的工作原理911.4.3 電力場效應晶體管(1) 靜態特性漏極電流ID和柵源間電壓UGS的關系稱為MOSFET的轉移特性。ID

43、較大時，ID與UGS的關系近似線性，曲線的斜率定義為跨導Gfs。010203050402468a)10203050400b)1020305040飽和區非飽和區截止區ID/AUTUGS/VUDS/VUGS=UT=3VUGS=4VUGS=5VUGS=6VUGS=7VUGS=8VID/A圖1-20 電力MOSFET的轉移特性和輸出特性 a) 轉移特性 b) 輸出特性2）電力MOSFET的基本特性921.4.3 電力場效應晶體管截止區（對應于GTR的截止區）飽和區（對應于GTR的放大區）非飽和區（對應GTR的飽和區）工作在開關狀態，即在截止區和非飽和區之間來回轉換。漏源極之間有寄生二極管，漏源極間加反

44、向電壓時器件導通。通態電阻具有正溫度系數，對器件并聯時的均流有利。圖1-20電力MOSFET的轉移特性和輸出特性 a) 轉移特性 b) 輸出特性MOSFET的漏極伏安特性：010203050402468a)10203050400b)1020305040飽和區非飽和區截止區ID/AUTUGS/VUDS/VUGS=UT=3VUGS=4VUGS=5VUGS=6VUGS=7VUGS=8VID/A931.4.3 電力場效應晶體管開通過程開通延遲時間td(on) 上升時間tr開通時間ton開通延遲時間與上升時間之和關斷過程關斷延遲時間td(off)下降時間tf關斷時間toff關斷延遲時間和下降時間之和a）

45、b)RsRGRFRLiDuGSupiD信號+UEiDOOOuptttuGSuGSPuTtd(on)trtd(off)tf圖1-21 電力MOSFET的開關過程a) 測試電路 b) 開關過程波形up脈沖信號源，Rs信號源內阻，RG柵極電阻，RL負載電阻，RF檢測漏極電流(2) 動態特性941.4.3 電力場效應晶體管 MOSFET的開關速度和Cin充放電有很大關系。可降低驅動電路內阻Rs減小時間常數，加快開關速度。不存在少子儲存效應，關斷過程非常迅速。開關時間在10100ns之間，工作頻率可達100kHz以上，是主要電力電子器件中最高的。場控器件，靜態時幾乎不需輸入電流。但在開關過程中需對輸入電

46、容充放電，仍需一定的驅動功率。開關頻率越高，所需要的驅動功率越大。MOSFET的開關速度951.4.3 電力場效應晶體管3) 電力MOSFET的主要參數 電力MOSFET電壓定額(1)漏極電壓UDS (2)漏極直流電流ID和漏極脈沖電流幅值IDM電力MOSFET電流定額(3) 柵源電壓UGS UGS20V將導致絕緣層擊穿 。 除跨導Gfs、開啟電壓UT以及td(on)、tr、td(off)和tf之外還有： (4)極間電容極間電容CGS、CGD和CDS961.4.4 絕緣柵雙極晶體管兩類器件取長補短結合而成的復合器件Bi-MOS器件絕緣柵雙極晶體管（Insulated-gate Bipolar

47、TransistorIGBT或IGT）(DATASHEET 1 2 )GTR和MOSFET復合，結合二者的優點。1986年投入市場，是中小功率電力電子設備的主導器件。繼續提高電壓和電流容量，以期再取代GTO的地位。 GTR和GTO的特點雙極型，電流驅動，有電導調制效應，通流能力很強，開關速度較低，所需驅動功率大，驅動電路復雜。 MOSFET的優點單極型，電壓驅動，開關速度快，輸入阻抗高，熱穩定性好，所需驅動功率小而且驅動電路簡單。971.4.4 絕緣柵雙極晶體管1) IGBT的結構和工作原理三端器件：柵極G、集電極C和發射極E圖1-22 IGBT的結構、簡化等效電路和電氣圖形符號a) 內部結構

48、斷面示意圖 b) 簡化等效電路 c) 電氣圖形符號981.4.4 絕緣柵雙極晶體管圖1-22aN溝道VDMOSFET與GTR組合N溝道IGBT。IGBT比VDMOSFET多一層P+注入區，具有很強的通流能力。簡化等效電路表明，IGBT是GTR與MOSFET組成的達林頓結構，一個由MOSFET驅動的厚基區PNP晶體管。RN為晶體管基區內的調制電阻。圖1-22 IGBT的結構、簡化等效電路和電氣圖形符號a) 內部結構斷面示意圖 b) 簡化等效電路 c) 電氣圖形符號 IGBT的結構991.4.4 絕緣柵雙極晶體管 驅動原理與電力MOSFET基本相同，場控器件，通斷由柵射極電壓uGE決定。導通：uG

49、E大于開啟電壓UGE(th)時，MOSFET內形成溝道，為晶體管提供基極電流，IGBT導通。通態壓降：電導調制效應使電阻RN減小，使通態壓降減小。關斷：柵射極間施加反壓或不加信號時，MOSFET內的溝道消失，晶體管的基極電流被切斷，IGBT關斷。 IGBT的原理100a)b)O有源區正向阻斷區飽和區反向阻斷區ICUGE(th)UGEOICURMUFMUCEUGE(th)UGE增加1.4.4 絕緣柵雙極晶體管2) IGBT的基本特性 (1)IGBT的靜態特性圖1-23 IGBT的轉移特性和輸出特性a) 轉移特性 b) 輸出特性轉移特性IC與UGE間的關系(開啟電壓UGE(th)輸出特性分為三個區

50、域：正向阻斷區、有源區和飽和區。1011.4.4 絕緣柵雙極晶體管ttt10%90%10%90%UCEIC0O0UGEUGEMICMUCEMtfv1tfv2tofftontfi1tfi2td(off)tftd(on)trUCE(on)UGEMUGEMICMICM圖1-24 IGBT的開關過程IGBT的開通過程 與MOSFET的相似開通延遲時間td(on) 電流上升時間tr 開通時間tonuCE的下降過程分為tfv1和tfv2兩段。 tfv1IGBT中MOSFET單獨工作的電壓下降過程； tfv2MOSFET和PNP晶體管同時工作的電壓下降過程。 (2)IGBT的動態特性1021.4.4 絕緣柵

51、雙極晶體管圖1-24 IGBT的開關過程關斷延遲時間td(off）電流下降時間 關斷時間toff電流下降時間又可分為tfi1和tfi2兩段。tfi1IGBT器件內部的MOSFET的關斷過程，iC下降較快。tfi2IGBT內部的PNP晶體管的關斷過程，iC下降較慢。 IGBT的關斷過程ttt10%90%10%90%UCEIC0O0UGEUGEMICMUCEMtfv1tfv2tofftontfi1tfi2td(off)tftd(on)trUCE(on)UGEMUGEMICMICM1031.4.4 絕緣柵雙極晶體管3) IGBT的主要參數正常工作溫度下允許的最大功耗 。(3) 最大集電極功耗PCM包

52、括額定直流電流IC和1ms脈寬最大電流ICP 。 (2) 最大集電極電流由內部PNP晶體管的擊穿電壓確定。(1) 最大集射極間電壓UCES1041.4.4 絕緣柵雙極晶體管IGBT的特性和參數特點可以總結如下：開關速度高，開關損耗小。 相同電壓和電流定額時，安全工作區比GTR大，且 具有耐脈沖電流沖擊能力。通態壓降比VDMOSFET低。輸入阻抗高，輸入特性與MOSFET類似。與MOSFET和GTR相比，耐壓和通流能力還可以進一步提高，同時保持開關頻率高的特點 。 1051.4.4 絕緣柵雙極晶體管擎住效應或自鎖效應： IGBT往往與反并聯的快速二極管封裝在一起，制成模塊，成為逆導器件 。最大集

53、電極電流、最大集射極間電壓和最大允許電壓上升率duCE/dt確定。 反向偏置安全工作區（RBSOA）最大集電極電流、最大集射極間電壓和最大集電極功耗確定。 正偏安全工作區（FBSOA）動態擎住效應比靜態擎住效應所允許的集電極電流小。擎住效應曾限制IGBT電流容量提高，20世紀90年代中后期開始逐漸解決。NPN晶體管基極與發射極之間存在體區短路電阻，P形體區的橫向空穴電流會在該電阻上產生壓降，相當于對J3結施加正偏壓，一旦J3開通，柵極就會失去對集電極電流的控制作用，電流失控。1061.5 其他新型電力電子器件1.5.1 MOS控制晶閘管MCT1.5.2 靜電感應晶體管SIT1.5.3 靜電感應

54、晶閘管SITH1.5.4 集成門極換流晶閘管IGCT1.5.5 功率模塊與功率集成電路1071.5.1 MOS控制晶閘管MCTMCT結合了二者的優點：承受極高di/dt和du/dt，快速的開關過程，開關損耗小。高電壓，大電流、高載流密度，低導通壓降。一個MCT器件由數以萬計的MCT元組成。每個元的組成為：一個PNPN晶閘管，一個控制該晶閘管開通的MOSFET，和一個控制該晶閘管關斷的MOSFET。其關鍵技術問題沒有大的突破，電壓和電流容量都遠未達到預期的數值，未能投入實際應用。MCT（MOS Controlled Thyristor）MOSFET與晶閘管的復合(DATASHEET)1081.5

55、.2 靜電感應晶體管SIT多子導電的器件，工作頻率與電力MOSFET相當，甚至更高，功率容量更大，因而適用于高頻大功率場合。在雷達通信設備、超聲波功率放大、脈沖功率放大和高頻感應加熱等領域獲得應用。缺點：柵極不加信號時導通，加負偏壓時關斷，稱為正常導通型器件，使用不太方便。通態電阻較大，通態損耗也大，因而還未在大多數電力電子設備中得到廣泛應用。SIT（Static Induction Transistor）結型場效應晶體管1091.5.3 靜電感應晶閘管SITHSITH是兩種載流子導電的雙極型器件，具有電導調制效應，通態壓降低、通流能力強。其很多特性與GTO類似，但開關速度比GTO高得多，是大

56、容量的快速器件。SITH一般也是正常導通型，但也有正常關斷型。此外，電流關斷增益較小，因而其應用范圍還有待拓展。SITH（Static Induction Thyristor）場控晶閘管（Field Controlled ThyristorFCT）1101.5.4 集成門極換流晶閘管IGCT20世紀90年代后期出現，結合了IGBT與GTO的優點，容量與GTO相當，開關速度快10倍?？墒∪TO復雜的緩沖電路，但驅動功率仍很大。目前正在與IGBT等新型器件激烈競爭，試圖最終取代GTO在大功率場合的位置。DATASHEET 1 2IGCT（Integrated Gate-Commutated Th

57、yristor） GCT（Gate-Commutated Thyristor）1111.5.5 功率模塊與功率集成電路20世紀80年代中后期開始，模塊化趨勢，將多個器件封裝在一個模塊中，稱為功率模塊。可縮小裝置體積，降低成本，提高可靠性。對工作頻率高的電路，可大大減小線路電感，從而簡化對保護和緩沖電路的要求。將器件與邏輯、控制、保護、傳感、檢測、自診斷等信息電子電路制作在同一芯片上，稱為功率集成電路（Power Integrated CircuitPIC）。DATASHEET基本概念1121.5.5 功率模塊與功率集成電路高壓集成電路（High Voltage ICHVIC）一般指橫向高壓器件

58、與邏輯或模擬控制電路的單片集成。智能功率集成電路（Smart Power ICSPIC）一般指縱向功率器件與邏輯或模擬控制電路的單片集成。智能功率模塊（Intelligent Power ModuleIPM）則專指IGBT及其輔助器件與其保護和驅動電路的單片集成，也稱智能IGBT（Intelligent IGBT）。實際應用電路1131.5.5 功率模塊與功率集成電路功率集成電路的主要技術難點：高低壓電路之間的絕緣問題以及溫升和散熱的處理。以前功率集成電路的開發和研究主要在中小功率應用場合。智能功率模塊在一定程度上回避了上述兩個難點,最近幾年獲得了迅速發展。功率集成電路實現了電能和信息的集成，

59、成為機電一體化的理想接口。發展現狀1141.6 電力電子器件器件的驅動1.6.1 電力電子器件驅動電路概述1.6.2 晶閘管的觸發電路1.6.3 典型全控型器件的驅動電路1151.6.1 電力電子器件驅動電路概述使電力電子器件工作在較理想的開關狀態，縮短開關時間，減小開關損耗。對裝置的運行效率、可靠性和安全性都有重要的意義。一些保護措施也往往設在驅動電路中，或通過驅動電路實現。驅動電路的基本任務：按控制目標的要求施加開通或關斷的信號。對半控型器件只需提供開通控制信號。對全控型器件則既要提供開通控制信號，又要提供關斷控制信號。驅動電路主電路與控制電路之間的接口1161.6.1 電力電子器件驅動電

60、路概述 驅動電路還要提供控制電路與主電路之間的電氣隔離環節，一般采用光隔離或磁隔離。光隔離一般采用光耦合器磁隔離的元件通常是脈沖變壓器圖1-25 光耦合器的類型及接法a) 普通型 b) 高速型 c) 高傳輸比型1171.6.1 電力電子器件驅動電路概述按照驅動信號的性質分，可分為電流驅動型和電壓驅動型。驅動電路具體形式可為分立元件的，但目前的趨勢是采用專用集成驅動電路。雙列直插式集成電路及將光耦隔離電路也集成在內的混合集成電路。為達到參數最佳配合，首選所用器件生產廠家專門開發的集成驅動電路。分類1181.6.2 晶閘管的觸發電路作用：產生符合要求的門極觸發脈沖，保證晶閘管在需要的時刻由阻斷轉為