1、1Array基板Process flow2 LSGEILDSDM3P+PVITO 2ITO 1PolyPLNCDFrom：LTPS training 20140425 8th3PEP1 （LS）NMOSPMOS Pada-Si沉膜前清洗，去除Particle LS (遮光層)：材料可為a-Si，metal等吸遮光材料。防止Poly受到強光照射產生光生載流子，導致器件漏電流增大。LS作用：遮蔽背光，減少其對半導體電性的影響。LTPS 采取Top Gate設計（頂柵結構，TN產品為Bottom Gate，頂柵結構）LTPS受背光源影響，會產生光電漏電，影響Device性能4PEP2(poly)NM

2、OSPMOS Pada-SiPolyPoly3Layer的作用：緩沖層，防止玻璃基板中的雜質在熱制程中擴散到LTPS中，降低漏電流。 （SiNx隔絕離子的能力較強與玻璃接觸的應力較小，SiOx與多晶硅界面潤濕角比較好，故采用SiNx/SiOx的堆疊方式). ELA：Excimer Laser Annealing 即準分子激光退火，指通過準分子激光對a-Si進行照射，實現a-Si薄膜向多晶硅薄膜（Poly-Si）的轉變SiO2SiNx5PEP3(NCD)NMOSPMOS Pada-SiPolyNCDPolyNCD:N Channel doping，調整TFT Vth閾值電壓。所用氣體為BF3.

3、Ash目的: 由于implant導致PR表面發生碳化，膜質變的致密難剝離。通過對PR表面轟擊&蝕刻將硬化膜Ash。利于PR剝離。6PEP4(NP)NMOSPMOS Pada-SiPolyPRN+ dopingPolyN+ Doping：高濃度P離子注入，控制形成NMOS源漏極區，所用氣體為PH3. NMOS(N-Mental-Oxide-Semiconductor)意思為N型金屬-氧化物-半導體，擁有這種結構的晶體管我們稱之為NMOS晶體管。 PMOS即為P型，CMOS為同時存在NMOS與PMOS的晶體管7PEP5(GE)NMOSPMOS Pada-SiPolyGEPRGIN+N+N-N-N-

4、 dopingP+PolyP+GI： SiOx/SiNx （連接&隔絕）：SiNx具有高的擊穿電壓可做為柵極絕緣層，但其與多晶硅界面存在過多的缺陷，故采用SiOx與SiNx堆疊的方式，同時SiOx與多晶硅表面的晶界匹配、應力匹配及具有良好的臺階覆蓋性特優點。8PEP6(PP)PolyNMOSPMOS Pada-SiP+PRP+P+ dopingPRPolyPolyGIP+ Doping: 高濃度B離子注入?？刂菩纬蒔MOS源漏極區域。使用BF3氣體9PEP7(ILD)NMOSPMOS Pada-SiPolyGEGIN+ILDN-N+N-RTA：活化（修復受損晶格，讓雜質進行活性位置）&氫化（多

5、晶硅晶粒間存在粒界態，多晶硅與氧化層間存在界面態，影響晶體管電性。氫化處理以氫原子填補多晶硅原子的未結合鍵或未飽和鍵，粒界態，氧化層缺陷，以及界面態，來減少不穩態數目，提升電特性：遷移率，閾值電壓均勻性等10PEP8(SD)NMOSPMOS Pada-SiPolyGEGIN+ILDN-N+SDSDN-DHF CLN：除去poly表面的氧化層，降低M2 poly接觸阻抗。Anneal：熱退火，形成Mo/Si固溶體，發生歐姆接觸，提高電子遷移率。 11PEP9(PLN)PLNMOSPMOS Pada-SiPolyGIN+ILDN-N+SDSDN-GEPLN：平坦層目的：1. 平坦化，使配向更均勻；2. 減小couple電容，降低data line loading12PEP10(BITO)PLNMOSPMOS Pada-SiPolyGIN+ILDN-N+SDSDN-GEM3Anneal目的：提高ITO膜層的穩定性，ITO晶化，增加導電率。低溫成膜，多數是低價的銦錫氧化物，在高溫環境下會繼續與氧發生反應，形成高價的氧化物。為了讓膜質穩定，要進行熱處理。13PEP11(PV)PLNMOSPMOS a-SiPolyGIILDN-SDSDN-GEM3N