1、第四章 習題答案1.設(shè)計4個寄存器堆。解：2. 設(shè)計具有4個寄存器的隊列。解：3設(shè)計具有4個寄存器的堆棧解：可用具有左移、右移的移位寄存器構(gòu)成堆棧。4SRAM、DRAM的區(qū)別解：DRAM表示動態(tài)隨機存取存儲器，其基本存儲單元是一個晶體管和一個電容器，是一種以電荷形式進行存儲的半導體存儲器，充滿電荷的電容器代表邏輯“1”，“空”的電容器代表邏輯“0”。數(shù)據(jù)存儲在電容器中，電容存儲的電荷一般是會慢慢泄漏的，因此內(nèi)存需要不時地刷新。電容需要電流進行充電，而電流充電的過程也是需要一定時間的，一般是微秒（由于內(nèi)存工作環(huán)境所限制，不可能無限制的提高電流的強度），在這個充電的過程中內(nèi)存是不能被訪問的。DRA

2、M擁有更高的密度，常常用于PC中的主存儲器。 SRAM是靜態(tài)的，存儲單元由4個晶體管和兩個電阻器構(gòu)成，只要供電它就會保持一個值，沒有刷新周期，因此SRAM 比DRAM要快。SRAM常常用于高速緩沖存儲器，因為它有更高的速率；5. 為什么DRAM采用行選通和列選通解：DRAM存儲器讀/寫周期時，在行選通信號RAS有效下輸入行地址，在列選通信號CAS有效下輸入列地址。如果是讀周期，此位組內(nèi)容被讀出；如果是寫周期，將總線上數(shù)據(jù)寫入此位組。由于DRAM需要不斷刷新，最常用的是“只有行地址有效”的方法，按照這種方法，刷新時，是在RAS有效下輸入刷新地址，存儲體的列地址無效，一次選中存儲體中的一行進行刷新

3、。每當一個行地址信號RAS有效選中某一行時，該行的所有存儲體單元進行刷新。6. 用ROM實現(xiàn)二進制碼到余3碼轉(zhuǎn)換解： 真值表如下： 8421碼余三碼BB B BGGGG0 0 0 00 0 0 10 0 1 00 0 1 10 1 0 00 1 0 10 1 1 00 1 1 11 0 0 01 0 0 10 0 1 10 1 0 0 0 1 0 10 1 1 00 1 1 11 0 0 01 0 0 11 0 1 01 0 1 11 1 0 0最小項表達式為：G= G= G= G=陣列圖為： 7. 用ROM實現(xiàn)8位二進制碼到8421碼轉(zhuǎn)換解：輸入為8位二進制數(shù)，輸出為3位BCD碼，12位二進

4、制數(shù)，所以，所需ROM的容量為：2*12=30728.ROM、EPROM和EEPROM的區(qū)別解：ROM 指的是“只讀存儲器”，即Read-Only Memory。這是一種線路最簡單半導體電路，通過掩模工藝， 一次性制造，其中的代碼與數(shù)據(jù)將永久保存(除非壞掉)，不能進行修改。EPROM 指的是“可擦寫可編程只讀存儲器”，即Erasable Programmable Read-Only Memory。是采用浮柵技術(shù)生產(chǎn)的可編程存儲器，它的存儲單元多采用N溝道疊柵MOS管，信息的存儲是通過MOS管浮柵上的電荷分布來決定的，編程過程就是一個電荷注入過程。編程結(jié)束后，由于絕緣層的包圍，注入到浮柵上的電荷

5、無法泄漏，因此電荷分布維持不變，EPROM也就成為非易失性存儲器件了。當外部能源（如紫外線光源）加到EPROM上時，EPROM內(nèi)部的電荷分布才會被破壞，此時聚集在MOS管浮柵上的電荷在紫外線照射下形成光電流被泄漏掉，使電路恢復到初始狀態(tài)，從而擦除了所有寫入的信息。這樣EPROM又可以寫入新的信息。EEPROM 指的是“電可擦除可編程只讀存儲器”，即Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory。也是采用浮柵技術(shù)生產(chǎn)的可編程ROM，但是構(gòu)成其存儲單元的是隧道MOS管，隧道MOS管也是利用浮柵是否存有電荷來存儲二值數(shù)據(jù)的，不同的是隧道MOS管

6、是用電擦除的，并且擦除的速度要快的多（一般為毫秒數(shù)量級）。它的最大優(yōu)點是可直接用電信號擦除，也可用電信號寫入。E2PROM的電擦除過程就是改寫過程，它具有ROM的非易失性，又具備類似RAM的功能，可以隨時改寫（可重復擦寫1萬次以上）。目前，大多數(shù)E2PROM芯片內(nèi)部都備有升壓電路。因此，只需提供單電源供電，便可進行讀、擦除/寫操作，這為數(shù)字系統(tǒng)的設(shè)計和在線調(diào)試提供了極大方便。9. flash存儲器的特點解： Flash也是一種非易失性的內(nèi)存，屬于EEPROM的改進產(chǎn)品。FLASH是結(jié)合EPROM和EEPROM技術(shù)達到的，F(xiàn)LASH使用雪崩熱電子注入方式來編程。主要特點是，F(xiàn)LASH對芯片提供大

7、塊或整塊的擦除，而EEPROM則可以一次只擦除一個字節(jié)(Byte)。這就降低了設(shè)計的復雜性，它可以不要EEPROM單元里多余的晶體管，所以可以做到高集成度，大容量，另FLASH的浮柵工藝上也不同，寫入速度更快。10. 用256K×8芯片實現(xiàn)256K×32的ROM解：需要4片256K×8的存儲器，進行位擴展。11. 用1M×4芯片實現(xiàn)1M×16的SRAM解：需要4片1M×4的存儲器，進行位擴展。 12 用256K×4芯片實現(xiàn)1M×8的DRAM解：需8片1M×4的存儲器，進行字位同時擴展。13用1M×8芯片實現(xiàn)4M×8的DRAM解：需4片1M×8的存儲器，進行字擴展。14用64