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1、第三十一講 隨機存取存儲器第三十一講 隨機存取存儲器9.3 隨機存取存儲器9.3.1 RAM 的基本結(jié)構(gòu)和工作原理9.3.2 RAM 的存儲單元一、靜態(tài)隨機存取存儲器（SRAM）的存儲單元9.3.3 集成隨機存儲器 2114A、2116 介紹一、集成靜態(tài)存儲器 2114A二、集成動態(tài)存儲器 21169.3.4 RAM 的擴展一、RAM 的位擴展二、RAM 的字擴展三、RAM 的字、位擴展9.3 隨機存取存儲器9.3.1 RAM 的基本結(jié)構(gòu)和工作原理優(yōu)點：讀寫方便，使用靈活。缺點：掉電丟失信息。一、 RAM 的結(jié)構(gòu)和讀寫原理9.3.2 RAM 的存儲單元一、靜態(tài)隨機存取存儲器（SRAM）的存儲單

2、元電路1存儲單元存儲單元由 V1V6 組成。兩個穩(wěn)定狀態(tài)，分別存儲數(shù)據(jù) 1 和 0。2列選擇線 Y 和讀寫控制電路圖中 V5、 V6 為受列選擇線 Y 控制的門控管，G4、G5 和三態(tài)門 G1G3 構(gòu)成讀寫控制電路。當列選擇線為低9.3.3 集成隨機存儲器 2114A、2116 介紹采用數(shù)字電路網(wǎng)絡(luò)課程或 PowerPoint一、集成靜態(tài)存儲器 2114AIntel2114A 是單片 1 K4 位（即有 1 K 個字，每個字 4 位）的靜態(tài)存儲器（SRAM），它是雙列直插 18 腳封裝器件，采用 5V 供電，與 TTL 電平完全兼容。二、集成動態(tài)存儲器 2116Intel 2116 單片 16 K1 位動態(tài)存儲器（DRAM），是典型的單管動態(tài)存儲芯片。它是雙列直插 16 腳封裝器件，采用+12V 和 5V 三組9.3.4 RAM 的擴展 （采用數(shù)字電路網(wǎng)絡(luò)課程或 PowerPoint 并進行討論。）當單片 RAM 不能滿足存儲容量的要求時，這時可把多個單片 RAM 進行組合，擴展成大容量存儲器。一、RAM 的位擴展二、RAM 的字擴展字擴展就是把幾片相同 RAM 的數(shù)據(jù)線并接在一起作為共用輸入輸出端（即位不變），讀/寫控制線也接在一起，把地址線加以擴展，用擴展的地址線去控制各片 RAM 的片選線 。三、RAM

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