1、說明：AEC-Q200的環(huán)境試驗條件，主要是依據(jù)MIL-STD-202與JEDEC22A-104規(guī)范來制定的，不同零件的試驗溫度除了不一樣之外，其施加電源(電壓、電流、負載)要求也會有所不同，高溫儲存屬于不施加偏壓與負載，但是在高溫工作壽命就需要，溫度循環(huán)與溫度沖擊，其試驗目的與手法不一樣，在溫度循環(huán)中高低溫變化需控制溫變率，溫沖擊則不用，偏高濕度就是俗稱的高溫高濕試驗，而濕度抵抗就是濕冷凍試驗試驗條件注意事項：1000h試驗過程需在250h、500h進行間隔量測高溫儲存(MIL-STD-202-108)：適用設備：THS 薄膜電容、網(wǎng)絡低通濾波器、網(wǎng)絡電阻、熱敏電阻、可變電容、可變電阻、陶瓷

2、共鳴器、EMI干擾抑制器、EMI干擾過濾器：85/1000h電感、變壓器、電阻：125/1000h變阻器：150/1000h鉭電容、陶瓷電容、鋁電解電容：最大額定溫度/1000h 高溫工作壽命(MIL-STD-202-108)：適用設備：THS   網(wǎng)絡低通濾波器、網(wǎng)絡電阻：85/1000hEMI干擾抑制器、EMI干擾過濾器：85/1000h/施加額定IL鉭電容、陶瓷電容：最大額定溫度/1000h/ (2/3)負載/額定電壓 鋁電解電容、電感、變壓器：105/1000h薄膜電容：1000h/(85/125%額定電壓、105&125/100%額定電壓)自恢復

3、保險絲：125/1000h電阻、熱敏電阻、可變電容：125/1000h/額定電壓可變電阻：125/1000h/額定功率變阻器：125/1000h/額定電壓85+ma電流陶瓷共鳴器：85/1000h/額定VDD+1M，并聯(lián)逆變器，在每個晶體腳和地之間有2X的晶體CL電容石英震蕩器：125/1000h/額定VDD+1M，并聯(lián)逆變器，在每個晶體腳和地之間有2X的晶體CL電容溫度循環(huán)(JEDEC22A-104)：適用設備：TSR、ESS  薄膜電容、可變電容、可變電阻、陶瓷共鳴器、EMI干擾抑制器、EMI干擾過濾器：-55(30min)85(30min)/RAMP(15/min)/1000c

4、ycles鉭電容、陶瓷電容、電阻、熱敏電阻： -55(30min)125(30min) /RAMP(15/min)/1000cycles鋁電解電容：-40(30min)105(30min) /RAMP(15/min)/1000cycles電感、變壓器、變阻器、石英震蕩器、自恢復保險絲：-40(30min)125(30min)/RAMP(15/min)/1000cycles網(wǎng)絡低通濾波器、網(wǎng)絡電阻：-55(30min)125(30min) /RAMP(15/min)/1000cycles溫度沖擊(MIL-STD-202-107)：適用設備：TC、TSK自恢復保險絲：-40(15min)125(1

5、5min)/300cycles 偏高濕度(MIL-STD-202-103)：適用設備：THS 鉭電容、陶瓷電容：85/85%R.H./1000h/電壓1.31.5V電感&變壓器：85/85%R.H./1000h/不通電鋁電解電容：85/85%R.H./1000h/額定電壓EMI干擾抑制器、EMI干擾過濾器：85/85%R.H./1000h/額定電壓電流電阻、熱敏電阻：85/85%R.H./1000h/工作電源10%自恢復保險絲：85/85%R.H./1000h/額定電流10%可變電容、可變電阻：85/85%R.H./1000h/額定功率10%網(wǎng)絡低通濾波器&網(wǎng)絡電阻：85/85

6、%R.H./1000h/電壓網(wǎng)絡電容(額定電壓)、網(wǎng)絡電阻(10%額定功率)變阻器：85/85%R.H./1000h/額定電壓85+ma電流石英震蕩器、陶瓷共鳴器：85/85%R.H./1000h/額定VDD+1M，并聯(lián)逆變器，在每個晶體腳和地之間有2X的晶體CL電容薄膜電容：40/93%R.H./1000h/額定電壓濕度抵抗(MIL-STD-202-106)：適用設備：THS薄膜電容：(2565/90%R.H.*2cycle)/18h-10/3h，每一cycle共24h，step7a&7b不通電AEC-Q200專有名詞整理：簡稱中文英文說明8D解決問題方法  AE

7、C汽車電子設備協(xié)會Automotive Electronic Council由車廠克賴斯勒(Chrysler)、福特(Ford)、通用汽車(GM)發(fā)起并創(chuàng)立于1994年，目前會員遍及全球各大汽車廠、汽車電子與半導體廠商。AEC-Q001零件平均測試指導原則  AEC-Q002統(tǒng)計式良品率分析的指導原則  AEC-Q003芯片產(chǎn)品的電性表現(xiàn)特性化的指導原則  AEC-Q005無鉛測試要求  AEC-Q100基于集成電路應力測試認證的失效機理 規(guī)范了零件供貨商所必須達成的產(chǎn)品質(zhì)量與可靠度，試驗條件多仍以JED

8、EC或MIL-STD為主，外加上其它獨立建置的測試手法。AEC-Q100-001邦線切應力測試  AEC-Q100-002人體模式靜電放電測試  AEC-Q100-003機械模式靜電放電測試  AEC-Q100-004集成電路閂鎖效應測試  AEC-Q100-005可寫可擦除的永久性記憶的耐久性、數(shù)據(jù)保持及工作壽命的測試  AEC-Q100-006熱電效應引起的寄生閘極漏電流測試  AEC-Q100-007故障仿真和測試等級  AEC-Q100-008早期

9、壽命失效率（ELFR）  AEC-Q100-009電分配評估  AEC-Q100-010錫球剪切測試  AEC-Q100-011帶電器件模式的靜電放電測試  AEC-Q100-01212V系統(tǒng)靈敏功率設備的短路可靠性描述  AEC-Q101汽車級半導體分立器件應力測試認證  AEC-Q200無源器件應力測試標準  AEC-Q200-001阻燃測試  AEC-Q200-002人體模式靜電放電測試  AEC-Q200-0

10、03橫梁負載、斷裂強度  AEC-Q200-004自恢復保險絲測量程序  AEC-Q200-005板彎曲度測試  AEC-Q200-006表面貼裝后的剪切強度測試  AEC-Q200-007電涌測試   汽車等級認證Automotive Grade Qualification DWV耐壓  DPM百萬缺陷數(shù)defect per million半導體組件的缺陷率EIA-469破壞性的物理分析  EIA-198陶瓷電介質(zhì)電容器 &

11、#160;EIA-535鉭電容  ESD靜電放電  EWS電性晶圓測試Eletrical Wafer Sort FIT故障時間  HRCF高可靠性認證流程High Reliability Certified Flow IEC 10605靜電放電人體模式  ISO-26262車輛機能安全  ISO-7637-1道路車輛電子干擾  JEDEC-STD-002可焊性規(guī)格  JEDEC-STD-121測量錫和錫合金表面涂層的錫須生長測試方法  JEDEC-STD-201錫和錫合金表面涂層的錫須環(huán)境驗收要求  JEDEC22A-104溫度循環(huán)  MIL-PRF-27電感/變壓器的測試方法  MIL-STD-202國防部標準電子及電氣組件測試方法  NEMI東京錫須會議  PPAT參數(shù)零件平均測試Parametric Part Avera