1、 熱烈歡迎浙江省商務廳、杭州市外經局、開發區招商局領導和專家蒞臨指導！ 杭州士蘭明芯科技有限公司杭州士蘭明芯科技有限公司簡簡 介介20132013年年3 3月月報告提綱報告提綱q士蘭明芯背景與現狀士蘭明芯背景與現狀q產品簡介產品簡介q士蘭明芯特點與優勢士蘭明芯特點與優勢 q士蘭明芯未來發展規劃士蘭明芯未來發展規劃o 士蘭明芯背景與現狀士蘭明芯背景與現狀成立于成立于20042004年年9 9月，位于杭州經濟技術開發區。注冊資本金月，位于杭州經濟技術開發區。注冊資本金7 7億元人民幣，由上市公司杭州士蘭微電子股份有限公司億元人民幣，由上市公司杭州士蘭微電子股份有限公司（SH.600460)SH.6

2、00460)獨資成立。獨資成立。目前產品應用：戶內外彩屏、景觀照明、通用照明。目前產品應用：戶內外彩屏、景觀照明、通用照明。現有員工現有員工500余人，其中銷售、管理、技術人員約余人，其中銷售、管理、技術人員約120余人。余人。月產能達到月產能達到6萬片萬片2英寸外延片，其中英寸外延片，其中15000片用于白光照明。片用于白光照明。 外延爐(MOCVD)主要生產設備主要生產設備德國德國AIXTRON (愛思強愛思強)公司公司-15臺臺美國美國VEECO （維易科）公司（維易科）公司 -8臺臺 v白光照明用高亮藍光白光照明用高亮藍光LED芯片芯片高亮藍光高亮藍光LED芯片芯片GaN 基 LED產

3、品Blue LEDBlue LED Epitaxial WaferEpitaxial WaferGreen LED Green LED Epitaxial WaferEpitaxial WaferBlue LED ChipGreen LED ChipAlInGaP 紅光 LED 產品High Brightness High Brightness Red LED ChipRed LED ChipHigh Power Blue LED Chip現有產品現有產品 p n 抗抗ESDESD水平高（水平高（2000V HBM2000V HBM） 電極粘附可靠電極粘附可靠 色彩分檔細致（色彩分檔細致（2.

4、5nm2.5nm） 亮度亮度10mcd10mcd分檔分檔 漏電流小，漏電流小，10V10V小于小于0.50.5AA 電流電流5mA-20mA5mA-20mA色差小于色差小于3nm3nm 芯片尺寸芯片尺寸200200m、230230m、250250m、280280mm、300300mm、320320mm任選任選n p n n 抗抗ESDESD水平高（水平高（2000V HBM2000V HBM） 電極粘附可靠電極粘附可靠 色彩分檔細致（色彩分檔細致（2.5nm2.5nm） 亮度亮度20mcd20mcd分檔分檔 漏電流小，漏電流小，10V10V小于小于0.50.5AA 電流電流5mA-20mA5m

5、A-20mA色差小于色差小于5nm5nm 芯片尺寸芯片尺寸200m、 230m、250m 、280280mm、300300mm、320320mm任選任選n n p 抗抗ESDESD水平高（水平高（2000V HBM2000V HBM） 電極粘附可靠電極粘附可靠 色彩分檔細致（色彩分檔細致（2nm2nm） 亮度亮度30mcd30mcd分檔分檔 漏電流小，漏電流小，10V10V小于小于0.50.5AA 電流電流5mA-20mA5mA-20mA色差小于色差小于1nm1nm 芯片尺寸芯片尺寸280280mm 用于白光照明的用于白光照明的LED芯片芯片小功率白光芯片小功率白光芯片8x12mil20mA-

6、6lm8x20mil20mA-7lm10 x16mi20mAl-7lm10 x23mil20mA-8lm中功率白光芯片中功率白光芯片14x28mil100mA-40lm20 x40mil150mA-50lm大功率白光芯片大功率白光芯片45x45mil350mA-130-140lm藍色發光二極管芯片藍色發光二極管芯片S SL L- -NWIT0812NWIT0812-V-V#WW#I I# 藍色發光二極管芯片藍色發光二極管芯片描述描述尺寸尺寸發光區面積178 x 278芯片面積200 x 300 (10)芯片厚度83 (5)N電極=80P電極=80電極間距15電極材料Al*說明：2000V是ES

7、D測試基于統計測量方法得到的ESD水平，每顆芯片按ESD水平為800V全測合格 。項項目目符符號號條條件件最小最小值值典型典型值值最大最大值值單單位位正向電壓VFIF=20mAV12.83.0伏特V23.03.2V33.23.4反向漏電IRVR=10V-0.5微安主波長DIF=20mAW1445-447.5納米W2447.5-450-W 6457.5-460W 7460-462.5光功率 pIF=20mAP11416毫瓦P21618P31820P42022 封裝成封裝成白光達白光達到到6lm以上以上描述描述尺寸尺寸發光區面積234 x 387芯片面積254 x 407 (10)芯片厚度100

8、(5)N電極=75P電極=75電極間距15電極材料Al*說明：6000V是ESD測試基于統計測量方法得到的ESD水平，每顆芯片按ESD水平為4000V全測合格 。S SL L- -N NWIT1016WIT1016-V-V#WW#I I# 項項目目符符號號條條件件最小最小值值典型典型值值最大最大值值單單位位正向電壓VFIF=20mAV12.83.4伏特反向漏電IRVR=10V-0.5微安主波長DIF=20mAW1445-447.5納米W2447.5-450-W 6457.5-460W 7460-462.5光功率 pIF=20mA-毫瓦P324-26P426-28P528-30 封裝成封裝成白光

9、達白光達到到7lm以上以上描述描述尺寸尺寸發光區面積180 x 485芯片面積203 x 508 (10)芯片厚度100 (5)N電極=75P電極=75電極間距15電極材料Al*說明：6000V是ESD測試基于統計測量方法得到的ESD水平，每顆芯片按ESD水平為4000V全測合格 。S SL L- -N NWIT0820WIT0820-V-V#WW#I I# 項項目目符符號號條條件件最小最小值值典型典型值值最大最大值值單單位位正向電壓VFIF=20mAV12.83.4伏特反向漏電IRVR=10V-0.5微安主波長DIF=20mAW1445-447.5納米W2447.5-450-W 6457.5

10、-460W 7460-462.5光功率 pIF=20mA-毫瓦P324-26P426-28P528-30 封裝成封裝成白光達白光達到到7lm以上以上描述描述尺寸尺寸發光區面積228 x 555芯片面積250 x 577 (10)芯片厚度100 (5)N電極=75P電極=75電極間距15電極材料Al*說明：6000V是ESD測試基于統計測量方法得到的ESD水平，每顆芯片按ESD水平為4000V全測合格 。S SL L- -N NWIT1023WIT1023-V-V#WW#I I# 項項目目符符號號條條件件最小最小值值典型典型值值最大最大值值單單位位正向電壓VFIF=20mAV12.83.4伏特反

11、向漏電IRVR=10V-0.5微安主波長DIF=20mAW1445-447.5納米W2447.5-450-W 6457.5-460W 7460-462.5光功率 pIF=20mA-毫瓦P426-28P528-30P630-32 封裝成封裝成白光達白光達到到8lm以上以上描述描述尺寸尺寸發光區面積330 x 690芯片面積357 x 712 (10)芯片厚度120 (10)N電極=90P電極=90電極間距20電極材料Al*說明：2000V是ESD測試基于統計測量方法得到的ESD水平，每顆芯片按ESD水平為1000V全測合格 。S SL L- -MMWIT1428WIT1428-V-V#WW#I

12、I# 項項目目符符號號條條件件最小最小值值典型典型值值最大最大值值單單位位正向電壓VFIF=100mAV12.83.4伏特反向漏電IRVR=5V-0.5微安主波長DIF=100mAW1445-447.5納米W2447.5-450-W 6457.5-460W 7460-462.5光功率 pIF=100mA - 毫瓦P5100-110P6110-120P7120-130P8130140 封裝成封裝成白光達白光達到到40lm以上以上描述描述尺寸尺寸發光區面積493 x 1001芯片面積508 x 1016 (10)芯片厚度120 (5)N電極=100P電極=100電極間距60 電極材料Al*說明：2

13、000V是ESD測試基于統計測量方法得到的ESD水平，每顆芯片按ESD水平為1000V全測合格 。S SL L- -MMWIT2040WIT2040-V-V#WW#I I# 項項目目符符號號條條件件最小最小值值典型典型值值最大最大值值單單位位正向電壓VFIF=150mAV12.83.4伏特反向漏電IRVR=5V-0.5微安主波長DIF=150mAW1445-447.5納米W2447.5-450-W 6457.5-460W 7460-462.5光功率 pIF=150mA - 毫瓦P5120-130P6130-140P7140-150P8150160 封裝成封裝成白光達白光達到到50lm以上以上描

14、述描述尺寸尺寸發光區面積1102 x 1102芯片面積1133 x 1133 (10)芯片厚度150 (5)N電極=110P電極=110電極間距120電極材料Al*說明：2000V是ESD測試基于統計測量方法得到的ESD水平，每顆芯片按ESD水平為500V全測合格 。S SL L- -MMWIT4545WIT4545-V-V#WW#I I# 項項目目符符號號條條件件最小最小值值典型典型值值最大最大值值單單位位正向電壓VFIF=350mAV12.83.0伏特V23.03.2V33.23.4反向漏電IRVR=5V-2微安主波長DIF=350mAW1445-447.5納米W2447.5-450-W

15、6457.5-460W 7460-462.5光功率 pIF=350mA毫瓦P2260280P3280300P4300320封裝成封裝成白光達白光達到到130lm以上以上垂直結構垂直結構LEDLED功率芯片功率芯片可以實現可以實現10W/mm2輸入，輸入電流最大可以達到輸入，輸入電流最大可以達到3A，光效達到，光效達到120lm/W。研發成果獲得研發成果獲得2012年度年度“杭州市科技進步一等獎杭州市科技進步一等獎”及及“浙江省科技進步三浙江省科技進步三等獎等獎” 。研發產品研發產品知識產權情況知識產權情況授權：授權：發明專利發明專利8項項實用新型專利實用新型專利4項項外觀專利外觀專利2項項申請

16、：申請：中國發明專利中國發明專利69項項國際發明專利國際發明專利2項項主要客戶主要客戶深圳九州深圳九州 JiuZhou Optoelectronics Co., Ltd深圳雷曼深圳雷曼 Ledman Optoelectronics Co., Ltd深圳艾比森深圳艾比森 ShenZhen Absen Industry Co., Ltd佛山國星佛山國星 Foshan Nationstar Optoelectronics Co., Ltd上海三思上海三思 Shanghai Sansi technology Co., LTD深圳國冶星深圳國冶星 Shenzhen Guoyexing Optoelect

17、ronics Co., Ltd長春希達長春希達 Changchun Cedar Electronics Technology Co., LTD 深圳洲明深圳洲明 Shenzhen unilumin Group Co., Ltd深圳瑞豐深圳瑞豐 Shenzhen Refond Optoelectronics Co., Ltd佛山藍箭佛山藍箭 Foshan Blue Rocket Electronics Co., Ltd深圳銳拓深圳銳拓 Shenzhen Retop LED Display Co., LTD 深圳日上深圳日上 Shenzhen Rishang Optoelectronics Co., Ltdo士蘭明芯特點與優勢士蘭明芯特點與優勢l豐富的集成電路產業經驗，嚴格監控生產流程，保證產品質量豐富的集成電路產業經驗，嚴格監控生產流程，保證產品質量 l良好的基礎