• 現(xiàn)行
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  • 2025-03-20 頒布
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【正版授權(quán)-英語版】 IEC 62047-45:2025 EN Semiconductor devices - Micro-electromechanical devices - Part 45: Silicon based MEMS fabrication technology - Measurement method of impact resistance o_第1頁
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基本信息：

  • 標(biāo)準(zhǔn)號(hào)：IEC 62047-45:2025 EN
  • 標(biāo)準(zhǔn)名稱：半導(dǎo)體器件-微機(jī)電裝置-第45部分：基于硅的MEMS制造技術(shù)-納米結(jié)構(gòu)沖擊耐力的測量方法
  • 英文名稱：Semiconductor devices - Micro-electromechanical devices - Part 45: Silicon based MEMS fabrication technology - Measurement method of impact resistance of nanostructures
  • 標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài)：現(xiàn)行
  • 發(fā)布日期：2025-03-20

文檔簡介

硅基微機(jī)電制造技術(shù)-納米結(jié)構(gòu)沖擊耐力測量方法詳細(xì)解釋：

IEC62047系列標(biāo)準(zhǔn)是國際電工委員會(huì)（IEC）為半導(dǎo)體器件和微機(jī)電系統(tǒng)（MEMS）器件制定的一系列標(biāo)準(zhǔn)。這些標(biāo)準(zhǔn)涵蓋了半導(dǎo)體和MEMS器件的設(shè)計(jì)、制造、測試和應(yīng)用。

IEC62047-45是該系列標(biāo)準(zhǔn)的一部分，專門針對(duì)硅基微機(jī)電制造技術(shù)的納米結(jié)構(gòu)沖擊耐力測量方法。該標(biāo)準(zhǔn)提供了詳細(xì)的測試方法和要求，用于評(píng)估納米結(jié)構(gòu)在受到?jīng)_擊時(shí)的抵抗能力。

具體來說，該標(biāo)準(zhǔn)包括以下步驟和要求：

1.樣品準(zhǔn)備：選取適當(dāng)?shù)募{米結(jié)構(gòu)樣品，確保其質(zhì)量和尺寸符合標(biāo)準(zhǔn)要求。

2.沖擊設(shè)備：使用適當(dāng)?shù)臎_擊設(shè)備，確保其能夠產(chǎn)生足夠的力量和速度，以模擬實(shí)際使用中可能遇到的沖擊條件。

3.測試環(huán)境：確保測試環(huán)境穩(wěn)定，避免溫度、濕度和氣壓等外部因素對(duì)測試結(jié)果的影響。

4.沖擊次數(shù)和力度：根據(jù)標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定，確定沖擊的次數(shù)和力度，以確保測試結(jié)果的可靠性。

5.測量方法：使用適當(dāng)?shù)臏y量方法，如光學(xué)顯微鏡、電子顯微鏡等，對(duì)納米結(jié)構(gòu)的變形、斷裂等物理特性進(jìn)行測量。

6.數(shù)據(jù)分析和報(bào)告：對(duì)測試數(shù)據(jù)進(jìn)行處理和分析，形成報(bào)告，描述納米結(jié)構(gòu)的沖擊耐力性能。

在實(shí)際應(yīng)用中，通過遵循IEC62047-45標(biāo)準(zhǔn)對(duì)納米結(jié)構(gòu)進(jìn)行沖擊耐力測試，可以評(píng)估其在實(shí)際使用中的穩(wěn)定性和可靠性，為產(chǎn)品設(shè)計(jì)、制造和質(zhì)量控制提供依據(jù)。同

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