電力電子技術知識考核題庫

一、單選題

1、（）出現前的時期可稱為電力電子技術的史前期或黎明期。［單選題］*

A、電力二極管

B、水銀整流器

C、晶閘管V

D、IGBT

2、（）屬于全控型器件，它是MOSFET和BJT的復合。其性能十分優越，使之成為現代電力電子技術

的主導器件。［單選題］*

A、電力二極管

B、晶閘管

C、GTO

D、IGBTV

3、（）是MOSFET和GTO的復合。其目前也取得了相當的成功,已經獲得大量應用。［單選題］*

A、SIT

B、晶閘管

C.IGBT

DxIGCTV

4、晶閘管屬于半控型器件，它的觸發信號加在（）之間。［單選題］*

A、陽極與陰極

B、門極與陰極V

C、柵極與集電極

D、柵極與發射極

5、IGBT屬于電壓驅動型器件，它的驅動控制信號加在（）之間。［單選題］*

A、陽極與陰極

B、門極與陰極

C、柵極與集電極

D、柵極與發射極V

6、隨著全控型電力電子器件的不斷進步，電力電子電路的工作頻率也不斷提高，電力電子器件的（）

也隨之增大。［單選題］*

A、通態損耗

B、斷態損耗

C、開關損耗V

D、開通損耗

7、電化學工業大量使用直流電源，電解鋁、電解食鹽水等都需要大容量（X［單選題］*

A、整流電源V

B、逆變電源

C、直流斬波電源

D、變頻器

8、以前的電梯大都采用直流調速系統，而近年來（）調速已成為主流。［單選題］*

A、斬波

B、交流變相

C、交流調壓

D、交流變頻V

9、輕型直流輸電主要采用（）器件。［單選題］*

A、晶閘管

B、電力MOSFET

C、GTO

DvIGBTV

10、通信設備中的程控交換機所用的直流電源以前用晶閘管整流電源，現在已改為采用全控型器件的

I［單選題］*

A、逆變電源

B、直流斬波電源

C、線性穩壓電源

D、高頻開關電源V

11、逆導IGBT相當于將一個IGBT兩端反并聯一個（）。［單選題］*

A、快速二極管V

B、晶閘管

C、電力MOSFET

D、GTO

12、下列器件中，（）與SIT速度相當。［單選題］*

A、晶閘管

B、GTO

C、電力MOSFETV

D、IGBT

13、以下器件中,開關速度達幾百kHZ,甚至高達1MHZ的是（X［單選題］*

A、GTO

B、GTR

C、電力MOSFETV

D、IGBT

14、下列器件中，兆瓦級以上場合可采用的全控器件是（X［單選題］*

A、SCR

B、GTOV

C、電力MOSFET

D、IGBT

15、PN結具有的（），使得電力二極管導通時，雖然通過很大電流，但正向導通壓降很低，只有IV左

右。［單選題］*

A、電容效應

B、電導調制效應V

C、電感效應

D、滯后施

16、某電力二極管在電路中需要流過實際電流的有效值為314A,那么考慮1.5倍裕量，選擇額定電

流為（）的二極管。［單選題］*

A、314A

B、300M

C、471A

D、740A

17、某電力二極管額定電流為300A,那么考慮1.5倍裕量，在電路中允許長期流過的實際電流的有效

值I為（［［單選題］*

A、200A

B、300A

C、314AV

D、450A

18、某電路中需要承受的最高反向峰值電壓為220V,考慮2倍裕量，選擇額定電壓U為（）V的二

極管。［單選題］*

A、220

B、440

C、500V

D、1000

19、以下器件中，（）可以保證控制電路與主電路之間的良好絕緣而應用于高壓電力設備中。［單選題］

*

A、快速晶閘管

B、雙向晶閘管

C、逆導晶閘管

D、光控晶閘管V

20、要使原來導通的晶閘管關斷，須將流過晶閘管的電流降到（）以下。［單選題］*

A、額定電流；

B、維持電流；V

C、擎住電流；

D、觸發電流。

二、多選題（共20題，每題2分，共40分）

1、PWM控制在電力電子變流技術中占有十分重要的位置，它在（）等電力電子電路中均可應用。

A、整流，

B、逆變V

C、直流斬波V

D、交流-交流控制V

2、目前電力電子集成電路的功率都比較小、電壓也較低，它面臨著（）等幾大難題。*

A、電壓隔離V

B、熱隔離V

C、光隔離

D、電磁干擾V

3、為了減小開關損耗，軟開關技術便應運而生，（）就是軟開關的最基本形式。*

A、ZVSV

B、ZCSV

C、TSC

D、TCR

4、工業中大量應用各種交直流電動機。其中直流電動機有良好的調速性能，為其供電可以是下面的（\

A、整流電源V

B、逆變電源

C、直流斬波電源V

D、變頻器

5、高頻開關電源具有（）的優點，現在已逐漸取代了線性電源。*

A、體積小V

B、重量輕V

C、效率高V

D、不產生諧波

6、（）和（）受環境的制約，發出的電力質量較差，常需要儲能裝置緩沖，需要改善電能質量，這就需要

電力電子技術。*

A、火力發電

B、核能發電

C、太陽能發電V

D、風力發電V

7、同處理信息的電子器件相比，電力電子器件一般具有如下特征：（）*

A、處理電功率的能力比較大；V

B、工作在放大狀態；

C、由信息電子電路來控制；V

D、需要安裝散熱器V

8、以下器件中，（）屬于全控型器件。*

A、電力二極管

B、晶閘管

C、電力MOSFETV

DsIGBTV

9、以下器件中，（）屬于單極型器件。*

A、晶閘管

B、SITV

C、電力MOSFETV

D、IGBT

10、以下器件中，（）屬于復合型器件。*

AsIGCTV

B、MCTV

C、電力MOSFET

D、IGBTV

11、電力電子器件可以按照器件內部電子和空穴兩種載流子參與導電的情況分為。（）*

A、單極型器件V

B、雙極型器件V

C、復合型器件V

D、反極型器件

12、按照控制端和公共端之間信號的性質，可以將電力電子器件分為。（）*

A、電流驅動型V

B、電壓驅動型V

C、電平驅動型

D、脈沖驅動型

13、電力電子器件的開關損耗包括。（）*

A、通態損耗

B、斷態損耗

C、開通損耗V

D、關斷損耗V

14、IGBT是哪兩種器件的復合。（）*

A、GTO

B、SCR

C、MOSFETV

D、GTRV

15、以下器件屬于全控型器件的是（）*

A、晶閘管

B、門極可關斷晶體管V

C、電力雙極型晶體管V

D、電力場效應晶體管。

16、電力電子學是由（）學科交叉而形成的。*

A、電力學V

B、電子學V

C、控制理論V

D、電機學

17、目前用于電力電子器件制造的寬禁帶半導體材料主要有（）。

A、硅

B、碳化硅V

C、氮化錢V

D、楮

18、電力MOSFET具有（）特點。*

A、驅動電路簡單，需要的驅動功率小V

B、開關速度快。

C、電流容量小，耐壓低，多用于功率不超過10kW的電力電子裝置V

D、電流容量大，耐壓高，多用于功率大于10kW的電力電子裝置

19、與相控整流電源相比，開關電源具有（）特點。*

A、需要的濾波器更大

B、采用了高頻變壓器V

C、體積小V

D、重量輕V

20、下列換流方式中，（）是針對晶閘管而言的*

A、器件換流

B、電網換流V

C、負載換流V

D、強迫換流V

三、判斷題（共20題，每題1分，共20分）

1、電力電子器件總是工作在開關狀態。（）［單選題］*

A、正確V

B、錯誤

2、為了減小通態損耗，軟開關技術便應運而生。（）［單選題］

A、正確

B、錯誤V

3、在系統開關頻率較低的情況下，開關損耗是電力電子器件功率損耗的主要成因。（）［單選題］*

A、正確

B、錯誤V

4、雙向晶閘管的額定電流是以能流過的最大正弦半波電流的平均值來定義的（1［單選題］*

A、正確

B、錯誤。

5、電力二極管內部PN結的電導調制效應影響PN結的工作頻率。（）［單選題］*

A、正確

B、錯誤，

6、從外形上來看，晶閘管主要有螺栓形和平板形兩種封裝結構。其中電流大的做成螺栓形，電流小的

做成平板形。（）［單選題］*

A、正確

B、錯誤V

7、當晶閘管承受正向電壓時，晶閘管開通；晶閘管承受反向電壓時，晶閘管關斷。（）［單選題］*

A、正確

B、錯誤V

8、若要使已導通的晶閘管關斷，需要將晶閘管兩端的電壓降到零。（）［單選題］*

A、正確

B、錯誤V

9、晶閘管的電壓定額中有反向重復峰值電壓URRM和斷態重復峰值電壓UDRM,通常取晶閘管的

UDRM和URRM中較大的標值作為該器件的額定電壓。（）［單選題］*

A、正確

B、錯誤V

10、GTO導通時飽和程度比晶閘管導通時飽和程度深。（）［單選題］*

A、正確

B、錯誤V

11、如果將電力電子器件與邏輯、控制、保護、傳感、檢測、自診斷等信息電子電路制作在同一芯片

上,則稱為功率模塊。（）［單選題］*

A、正確

B、錯誤V

12、通過控制觸發脈沖的相位來控制輸出電壓大小的方式稱為斬波控制方式。（）［單選題］*

A、正確

B、錯誤V

13、阻感負載的特點是負載電流的變化超前于負載電壓。（）［單選題］*

A、正確

B、錯誤V

14、三相全控橋式整流電路，為變壓器副邊相電壓有效值，帶純電阻負載。晶閘管承受的最大正向和

最大反向電壓均為變壓器二次線電壓峰值，即。（）［單選題］*

A、正確

B、錯誤V

15、三相全控橋整流電路，為變壓器副邊相電壓有效值，帶阻感負載。晶閘管承受的最大正向和最大

反向電壓均為變壓器二次線電壓峰值，即。（）［單選題］

A、正確V

B、錯誤

16、逆變角太小會造成逆變失敗。（）［單選題］*

A、正確V

B、錯誤

17、電流驅動型器件的特點是輸入阻抗高，所需驅動功率小，驅動電路簡單。（）［單選題］*

A、正確

B、錯誤。

18、無源逆變電路，是把直流電能逆變成交流電能送給電網（）［單選題］*

A、正確

B、錯誤，

19、三相橋式全控整流電路,輸出電壓波形的脈動頻率是150Hz。（）［單選題］*

A、正確

B、錯誤V

20、三相橋式全控整流電路，共陰極組VT1、VT3、VT5的脈沖依次差120°,同一相的上下兩個橋臂,

脈沖相差180°（）［單選題］*

A、正確V

B、錯誤

B

1.在共發射極放大電路中，增大基極電流時，三極管的集電極電流和電位將（）。［單選題］*

A集電極電流增大，集電極電位升高

B集電極電流增大，集電極電位降低V

C集電極電流減小，集電極電位升高

D集電極電流減小，集電極電位降低

2.在共發射極放大電路中，減小基極電流時，三極管的集電極電流和電位將（）。［單選題］*

A集電極電流減小，集電極電位升高V

B集電極電流減小，集電極電位降低

C集電極電流增大，集電極電位升高

D集電極電流增大，集電極電位降低

3.交流放大電路中，改變RC的電阻值，將會使放大電路的（X［單選題］*

A電壓放大倍數改變

B靜態工作點改變，IC減小

C靜態工作點改變，IC增大

D電壓放大倍數改變，同時也改變了靜態值UCEV

4.在共發射極放大電路中，若發射極經一電阻RE和一電容并聯再接地。那么電阻RE的作用是（X

［單選題］*

A穩定靜態工作點的作用V

B起負反饋作用

C減小發射極電流IE的作用

D不確定

5.在共發射極電路中，減小負載電阻RL將使放大器放大倍數（X［單選題］*

A降低

B升高V

C不變

D不一定

6.電路如圖6所示,敘述正確的是（X［單選題］*

A.電流源吸收功率，電壓源發出功率

B.電流源和電壓源都吸收功率

C.電流源發出功率，電壓源吸收功率V

D.電流源和電壓源都發出功率

7.若將同一白熾燈分別接入到直流電源和有效值為的交流電源上，則（I［單選題］*

A.接至直流電源時較亮

B.接至交流電源時較亮

C.兩者亮度相同V

8.下列說法中不符合R、L、C串聯諧振特征的是（I［單選題］*

A.電路對電源呈現電阻性

B.電路的阻抗模最大V

C.1

D.電流最大

9.三相異步電動機轉動的原理是（X［單選題］*

A.定子磁場與定子電流的相互作用

B.轉子磁場與轉子電流的相互作用

C.旋轉磁場與轉子電流的相互作用V

D.旋轉磁場與定子電流的相互作用

10.時序邏輯電路的輸出狀態的改變（X［單選題］*

A.僅與該時刻輸入信號的狀態有關；

B.僅與時序電路的原狀態有關；

C.與A.、B.皆有關V

D.輸出信號的次態

11.射極輸出器的輸出電壓與輸入電壓的相位（X［單選題］*

A反相

B同相V

C相位差為900

D不確定

12.在共發射極電路中，增大負載電阻RL將使放大器放大倍數（）。［單選題］

A降低

B升高V

C不變

D無法確定

13.組合邏輯電路通常由（）組合而成。［單選題］*

A.門電路；V

B.觸發器；

C.計數器；

D.寄存器

14.用8421碼表示的十進制數65,可以寫成（X［單選題］*

A.65

B.［1000001］BCD

C.[01100101]BCDV

D.［1000001］2

15.電流的真實方向是（X［單選題］*

A從電源正極流出來的方向

B正電荷移動的方向V

C從電源負極流出來的方向

D負電荷移動的方向

16.電壓的真實方向是（I［單選題］*

A從高電壓到低電壓方向

B高電位指向低電位方向V

C從正極指向負極的方向

D不確定

17.電源電動勢的實際方向是（\［單選題］*

A從低電位指向高電位V

B從高電位指向低電位方向

C從電源正極指向負極的方向

D不確定

18.在直流電路的計算中，若選擇了某一方向為電流的參考方向。求解出來的電流或電壓是正值。則表

示參考方向與實際方向（\［單選題］*

A相同V

B相反

C不一定

19.在直流電路的計算中，若選擇了某一方向為電流的參考方向。求解出來的電流或電壓是負值。則表

示參考方向與實際方向（\［單選題］*

A相反V

B相同

C不一定

20.在列寫回路電壓方程時，若選擇了電路圖中電流的參考方向。問：電壓、電動勢的方向應（I［單

選題］*

A與電流的參考方向一致V

B電壓與電流一致，電動勢與電流相反

C與電流的參考方向相反

D以上均不是

21.任何一個有源二端線性網絡的戴維南等效電路是（）［單選題］*

A一個理想電流源和一個電阻的并聯電路

B一個理想電流源和一個理想電壓源的并聯電路

C一個理想電壓源和一個理想電流源的串聯電路

D一個理想電壓源和一個電阻的串聯電路V

22.下面關于理想電壓源說法錯誤的是（X［單選題］*

A端電壓不隨輸出電流的大小而改變

B輸出電流的大小由外部負載決定

C可以用一個內阻為0的電動勢來表示

D輸出電流不隨端電壓的大小而改變V

23.將一個實際的電壓源等效為一個實際的電流源以后，電流源的電流方向是（）*

A從原來電壓源的正極指向負極

B從原來電壓源的負極指向正極V

C不變

D以上都不是

24.將一個實際電流源等效為一個實際電壓源。等效后的電壓源其端電壓是（X*

A等于電流源原來的端電壓

B等于原來的電流源電流乘以并聯的內阻V

C等于原來的電流源電流乘以串聯的內阻

D以上均不是

25.下面關于射極輸出器說法錯誤的是（X［單選題］*

A射極輸出器的輸入電阻高

B射極輸出器的輸出電阻低

C射極輸出器的輸出電壓不穩定，帶負載能力弱V

D射極輸出器的電壓放大倍數約等于1

26.在R、C串聯電路中，電阻兩端的電壓有效值為3V,電容兩端的電壓有效值為4V。串聯電路的

總電壓有效值是（1［單選題］*

AIV

B5VV

C7V

D12V

27.在R、L串聯的交流電路中，分別測得電阻、電感兩端的電壓有效值為8V和6V。那么，總電壓

有效值應是（X［單選題］*

A2V

B14VV

C10V

DOV

28.已知在R、L串聯的正弦交流電路中，總電壓U=3OV,L上的電壓UL=18V，則R上的電壓UR應

為（）［單選題］*

A12V

B24V

C48VV

D48V

29.在R、C串聯的交流電路中，增大原來的電阻后，總電壓與電流的相位差將（X［單選題］*

A增大

B減小V

C不變

D不確定

30.在R、L串聯的交流電路中，增大原來的電阻后，總電壓與電流的相位差將（\［單選題］*

A增大

B減小V

C不變

D不確定

31.一個電感串聯一個電阻，其串聯電路的阻抗角應是：（）［單選題］*

A等于00

B等于900

C大于00而小于900V

D小于00

32.一個電容串聯一個電阻，其串聯電路的阻抗角應是(X［單選題］*

A等于900

B小于00而大于-900V

C大于00而小于900

D不確定

33.在純電容元件電路中，在相位上電流比電壓(\［單選題］*

A滯后900

B超前900V

C沒有相位差

D無法確定

34.在純電感元件電路中，在相位上電流比電壓(\［單選題］*

A滯后900V

B超前900

C沒有相位差

D無法確定

35.設某負載端電壓口=311sin(wt+900)V,流過的電流i=10sin(wt+300)A。則該負載的阻抗是

\［單選題］*

A31.1Z600QV

B31.1Q

C22Q

D22z600

36.在含有LC的電路中，當電源的頻率和電路的參數符合一定的條件時，電路總電壓與總電流的相位

相同，整個電路呈（）性，此現象稱為（）。［單選題］*

A.電感性,諧振

B.電容性，諧振

C.電阻性，諧振V

D.電感性，串聯諧振

37.實驗室中的交流電壓表和電流表，其讀值是交流電的（）［單選題］*

A最大值

B有效值V

C瞬時值

D最小值

38.電路的時間常數大，則瞬態過程進行（X［單選題］*

A較快

B較慢V

C不變

D不確定

39.電路的時間常數大，則瞬態過程進行（\［單選題］*

A較快V

B較慢

C不變

D不確定

40.穩壓二極管正常工作時，應工作在（）［單選題］*

A正向導通區

B截止區

C反向擊穿區V

D死區

41.半導體三極管是一種（）［單選題］*

A電壓控制電壓的器件

B電壓控制電流的器件

C電流控制電流的器件V

D電流控制電壓的器件

42.已知放大電路中某晶體管三個極的電位分別為UE=6V,UB=5.3V,UC=0V,則該管為（\［單

選題］*

APNP型鑄管

B.NPN型褚管

CPNP型硅管V

DNPN型硅管

43.當NPN三極管發射結電壓大于0.6V,集電結電壓小于0.6V時，三極管處于（\［單選題］*

A導通狀態

B放大狀態V

C截止狀態

D不確定

44.當NPN三極管發射結電壓大于0.6V;集電結電壓也大于0.6V時，三極管的工作狀態是（\［單

選題］*

A導通狀態V

B放大狀態

C截止狀態

D不確定

45.晶體三極管工作于飽和狀態時，貝！J（I［單選題］*

A發射結正偏，集電結反偏

B發射結正偏，集電結正偏V

C發射結反偏，集電結反偏

D發射結反偏，集電結正偏

46.當NPN三極管發射結電壓小于0V;集電結電壓小于0V時，三極管的工作狀態是（1［單選題］

*

A導通狀態

B放大狀態

C截止狀態V

D不確定

47.為使NPN型三極管可靠截止，應使（X［單選題］*

AUBE<O,UBC<OV

BUBE>0,UBC>0

CUBE<0,UBC>0

DUBE>0,UBC<0

48.在單管固定偏置共射極放大電路中若測得三極管的靜態管壓降UCEr近似等于電源電壓UCC時,

則該管工作狀態為（）［單選題］*

A飽和

B截止V

C放大

D不確定

49.在共發射極電路中，三極管的［3=100,集電極電阻RC=1KQ,電源電壓為10Vo那么使三極管

進入飽和時的基極電阻RB應是（X［單選題］*

A50KQ

B100KQV

C150KQ

D200KQ

50.在共發射極電路中，三極管的p=50,集電極電阻RC=1KQ,電源電壓為10Vo則使三極管進入

飽和時的基極電阻RB應是（X［單選題］*

A50KQV

B100KQ

C150KQ

D200KQ

c

1.電力晶體管的外部電極是：集電極、基極和發射極。［判斷題］*

對v

錯

2.在半控橋整流帶大電感負載不加續流二極管電路中，電路出故障時會出現失控現象。［判斷題］*

對V

錯

3.硅管正向導通時的壓降為0.6~0.8V。［判斷題］*

對

錯V

4.電流放大系數一般用參數a表示。［判斷題］*

對

錯V

5.硅管正偏導通時，其管壓降(即陰陽極兩端的電壓)約為()。［單選題］

A0.1V

B0.2V

C0.5VV

D0.7V

6.()型晶體管的材料為()，()型晶體管的材料為()。［單選題］*

A、NPN,硅;PNP,硅

B、PNP,硅；NPN,德

C、NPN，錯；PNP,硅V

D、PNP,褚；NPN,硅

7.把直流電變為交流電的電路稱為整流。［判斷題］*

對

錯V

8.周期不變，通過改變導通時間而改變變壓比，達到控制輸出電壓目的的是()。［單選題］

A、脈沖寬度調制V

B、PWH控制技術

C、脈沖頻率調制

D、混合型調制

9.當晶閘管承受反向陽極電壓時，不論門極加何種極性觸發電壓，管子都將工作在()。［單選題］*

A、導通狀態

B、關斷狀態V

C、飽和狀態

D、不一定

10.三相逆變電路是將()變為()。［單選題］*

A、直流電，單相交流電

B、單相交流電，直流電

C、直流電，三相交流電V

D、三相交流電，直流電

11.在門電路中，以下哪個邏輯函數是正確的()。［單選題］*

A、A+l=0

B、A0=l

C、A1=AV

D、A+0=0

12.給晶閘管加上正向陽極電壓它就會導通。［判斷題］*

對

錯V

對同一晶閘管，維持電流與擎住電流在數值大小上有小于［判斷題］

13.IHILILIH0

對

錯V

14.根據邏輯代數運算規律A*(B+C)=(A+B)*(C+D)。［判斷題］*

對

錯V

15.晶閘管從承受正向電壓開始到觸發脈沖出現之間的電角度稱為控制角。［判斷題］*

對V

錯

16.門極可關斷晶閘管是一種全控型器件。［判斷題］*

對V

錯

與門的邏輯函數是［判斷題］*

17.Y=A+Bo

對

錯V

18.三相逆變電路是將直流電變為三相交流電。［判斷題］*

對V

錯

19.NPN型晶體管死區電壓為()V,所以通常發射結電壓為()V。［單選題］*

A、0.1,0.6—0.7

B、0.5,0.6—0.7V

C、0.1,0.2—0.3

D、0.5,0.2—0.3

20.降壓斬波電路中，輸出功率()輸入功率。［單選題］*

A、大于

B、等于V

C、小于

D、不一定

21.在降壓斬波電路中，a代表的含義是()。［單選題］*

A、導通角

B、控制角

C、占空比V

D、觸發角

22.周期不變，通過改變導通時間而改變變壓比，達到控制輸出電壓目的的是()。［單選題］*

A、脈沖寬度調制V

B、PWH控制技術

C、脈沖頻率調制

D、混合型調制

23.晶閘管是()器件。［單選題］*

A、全控型

B、不可控

C、半控型V

D、逆導

24.三相逆變電路是將直流電變為單相交流電。［判斷題］

對

錯V

25.普通晶閘管、快速晶閘管、高頻晶閘管中開關速度最快的是高頻晶閘管。［判斷題］*

對V

錯

26.只要在晶閘管兩端施加正向電壓，晶閘管就能導通。［判斷題］*

對

錯V

27.電感有濾波的作用。［判斷題］*

對V

錯

28.三段不等分半控整流橋由兩個二極管，六個晶閘管組成。［判斷題］*

對

錯V

29.以相數分類，整流電路可以分為單相整流電路和三相整流電路。［判斷題］*

對V

錯

30.與門的邏輯函數是Y=A+B。［判斷題］*

對

錯V

31.單相不可控整流電路可以調節輸出電流的大小。［判斷題］*

對

錯V

32.在邏輯電路中,Y=A+B?C可以轉化為Y=(A+B)?(A+C)。［判斷題］*

對V

錯

33.在本征半導體中摻入少量三價元素，構成的是()型摻雜半導體。［單選題］*

A、PV

B、N

C、M

D、S

34.晶閘管門極觸發電流越大，導通所需的轉折電壓()。［單選題］*

A、大

B、小V

C、不變

D、沒有規律

35.絕緣柵雙極型晶體管的G極是()。［單選題］*

A、門極

B、集電極

J柵極V

D、發射極

36.下面對整流電路描述正確的是()。［單選題］*

A、改變直流電的大小

B、直流電變為交流電

C、交流電變為直流電V

D、改變交流電的頻率、相位

37.電流放大系數一般用參數（）表示。［單選題］*

A、卸

B、ICBO

C、ICM

D、ICEO

38.下列不屬于晶體三極管的結構區域是（）。［單選題］*

A、發射區

B、集電區

C、死區V

D、基區

39.三極管具有放大作用的內部條件為（）。［單選題］*

A、Ube<UceV

B、Ube>Uce

C、Ube=Uce

D、Ube=O

40.晶閘管的等效電路可以由（）個二極管串聯，或者（）個三極管構成。［單選題］*

A、3,4

B、3,2V

C、2,3

D、1,3

41.AC-DC變換是將交流電變換為直流電，一般稱為整流。［判斷題］*

對V

錯

42.晶閘管的導通條件是陽極電壓大于零、門極電壓大于零。［判斷題］*

對V

錯

43.對于晶體三極管輸出特性曲線中IB=O的曲線以下的部分是截止區。［判斷題］*

對V

錯

44.在半控橋整流帶大電感負載不加續流二極管電路中，電路出故障時會出現失控現。［判斷題］*

對V

錯

45.脈沖寬度調頻不但改變斬波器的工作頻率，而且改變斬波器的導通時間。［判斷題］

對

錯V

46.楮管正向導通時的壓降為0.2~0.6V。［判斷題］*

對

錯V

47.絕緣柵雙極型晶體管的G極是柵極。［判斷題］*

對V

錯

48.電力場效應晶體管屬于電流型控制元件。［判斷題］

對

錯V

49.可關斷晶閘管GTO屬于半控型器件。［判斷題］*

對

錯V

50.同一支可關斷晶閘管的門極開通電流比關斷電流大。［判斷題］*

對

錯V

51.脈沖寬度寬調頻不但改變斬波器的工作頻率，而且改變斬波器的導通時間。［判斷題］*

對

錯V

52.在本征半導體中摻入5價元素得N型半導體，摻入3價元素則得P型半導體。［判斷題］*

對V

錯

53.實際使用電力晶體管時，必須要有