一、工作簡況任務來源根據(jù)中電元協(xié)《關(guān)于下達2021年第二批中國電子元件行業(yè)協(xié)會團體標準制定項目計劃的通知》（中電元協(xié)2021第（007）號），《聲表面波器件用鈮酸鋰和鉭酸鋰單晶薄膜》團體標準項目于2021年04月26日立項，任務計劃編號為YX202104004。制定背景近年來，隨著智能手機的迅速普及和移動通信技術(shù)的不斷升級，對高性能射頻濾波器的需求也呈現(xiàn)出激增之勢，移動通信頻段的數(shù)量在不斷增加，手機所需的濾波器數(shù)量也在持續(xù)增長，這給基于晶體材料制備的高端濾波器提供了巨大的發(fā)展空間和市場。鉭酸鋰、鈮酸鋰是一種重要的壓電晶體材料，其具大的有機電耦合系數(shù)(k)大、高質(zhì)量因子(Q)、小的頻率溫度系數(shù)(TCF)等特點，在濾波器應用方面具有明顯優(yōu)勢。鈮酸鋰和鉭酸鋰單晶晶圓作為基礎(chǔ)材料，可以進一步加工成單晶薄膜材料，為5G通訊、量子通訊、電子信息等領(lǐng)域的提供關(guān)鍵基礎(chǔ)材料。基于這種薄膜材料做成的聲學濾波器等器件，具有高速、高頻、高帶寬、低功耗、超小型、高集成度等特點，能夠解決目前普遍存在的高端聲學器件的基礎(chǔ)材料問題，滿足寬帶通信系統(tǒng)對高性能、輕量化和集成化的迫切需求，能夠推動產(chǎn)業(yè)的升級換代，具有重要的產(chǎn)業(yè)應用價值和變革性意義。目前國內(nèi)暫無單晶薄膜基片相關(guān)行標準，該標準的制定可填補空白，有利于規(guī)范行業(yè)秩序，對我國鉭酸鋰及鈮酸鋰產(chǎn)業(yè)的健康有序發(fā)展以及促進下游光纖通訊、5G高端芯片產(chǎn)業(yè)快速發(fā)展具有十分重要意義。工作過程本標準參與編制的單位：濟南晶正電子科技有限公司、中國電子科技集團公司第二十六研究所、中電科技德清華瑩電子有限公司、山東大學、山東省科學院新材料研究所、無錫市好達電子股份有限公司、杭州左藍微電子技術(shù)有限公司、廣東廣納芯科技有限公司共計8家單位。本標準牽頭單位是濟南晶正電子科技有限公司，負責本標準相關(guān)資料的搜集和調(diào)研、標準框架編制、標準內(nèi)容起草、驗證試驗、反饋意見整理等工作；中國電子科技集團公司第二十六研究所、中電科技德清華瑩電子有限公司、山東大學、山東省科學院新材料研究所、無錫市好達電子股份有限公司、杭州左藍微電子技術(shù)有限公司補充完善標準內(nèi)容。團體標準項目任務下達后，承辦單位中電元協(xié)電子陶瓷及器件分會組織和落實了本標準主要參加單位和工作組成員，具體清單及工作分工如表1所示：表1本標準參與編制單位及成員分工序號成員姓名編制組成員單位組內(nèi)職務職責1胡文濟南晶正電子科技有限公司項目負責人負責完成標準各階段文件的編寫、修改，標準項目計劃的進度控制，以及與其他單位的溝通協(xié)調(diào)。2馮杰中國電子科技集團公司第二十六研究所編制組成員協(xié)助項目負責人完成標準各階段文件的編寫、修改，按期完成項目負責人分派的工作任務。3貝偉斌中電科技德清華瑩電子有限公司編制組成員4陳昆峰、唐供賓山東大學編制組成員5王旭平山東省科學院新材料研究所編制組成員6王為標無錫市好達電子股份有限公司編制組成員7劉建生杭州左藍微電子技術(shù)有限公司編制組成員8李紅浪廣東廣納芯科技有限公司編制組成員（1）資料收集和調(diào)研階段2021年04月，開展資料的搜集及研究。根據(jù)聲表面波器件用單晶薄膜基片的特點及其主要應用領(lǐng)域，搜集、整理了一系列與其應用相關(guān)的標準信息和文獻資料。包括上下游產(chǎn)品、相關(guān)產(chǎn)品測試方法、檢驗規(guī)則的行業(yè)標準、國家標準、國際標準。標準起草形成階段2021年04月，濟南晶正電子科技有限公司牽頭組織對標準要求與框架進行確認，并在單位內(nèi)部評審討論后形成工作組討論稿。在本標準草稿形成階段，主要參考了GB/T30118《聲表面波器件用單晶晶片規(guī)范與測量方法》、GB/T14139-2019《硅外延片》、GB/T37053-2018《氮化鎵外延片及襯底片通用規(guī)范》、GB/T12964-2018《硅單晶拋光片》、YS/T554-2007《鈮酸鋰單晶》、YS/T42-2010《鉭酸鋰單晶》等，確定了標準的基本框架。參考GB/T6618-2009《硅片厚度和總厚度變化測試方法》、GB/T29507《硅片平整度、厚度及總厚度變化測試自動非接觸掃描法》GB/T6619-2009《硅片彎曲度測試方法》、GB/T29505-2013《硅片平坦表面的表面粗糙度測量方法》等標準，完善了試驗方法的內(nèi)容，形成了初稿。工作組討論稿形成階段2021年06月05日，起草工作組首次會議成功召開，會議討論了當前國際國外先進標準的情況以及國內(nèi)《聲表面波器件用單晶薄膜基片》的生產(chǎn)使用現(xiàn)狀，確定了標準起草的總體框架和主要內(nèi)容，并搜集到反饋意見18條，采納16條，不采納2條。未采納的建議已經(jīng)與相關(guān)單位逐一溝通，也得到各企業(yè)的認同。工作組討論稿完善階段2021年6月～2021年9月，牽頭單位廣泛聽取各編制單位以及中國電子元件行業(yè)協(xié)會的意見，對標準內(nèi)容和編制說明進一步做了修改完善，形成征求意見稿。二、標準編制原則和主要內(nèi)容1、編制原則本標準的制定工作本著先進性、科學性、合理性和可操作性的原則，按照GB/T1.1-2020《標準化工作導則第1部分：標準化文件的結(jié)構(gòu)和起草規(guī)則》給出的規(guī)則編寫，并借鑒了實際生產(chǎn)過程中的相關(guān)工藝指標并把相關(guān)要求納入了本標準中。使標準內(nèi)容和指標更加符合實際運用。編制中遵循以下原則：本標準的編制遵循GB/T1.1-2020《標準化工作導則第1部分：標準化文件的結(jié)構(gòu)和起草規(guī)則》的要求，按標準制定的程序開展工作，廣泛征求國內(nèi)有關(guān)單位意見，保證技術(shù)內(nèi)容正確、適用。本標準中規(guī)定了單晶薄膜基片的術(shù)語和定義、技術(shù)要求、試驗方法、檢驗規(guī)則、包裝、標簽/標識、儲存和運輸?shù)葍?nèi)容。明確編寫中切實注意標準的可操行性，同時在編寫中注意用字用詞的統(tǒng)一性、規(guī)范性。2、確定標準主要內(nèi)容的論據(jù)及解決的主要問題結(jié)合當前下游市場的客戶要求，在術(shù)語和定義、技術(shù)要求、試驗方法、檢驗規(guī)則等方面，廣泛參考了鈮酸鋰、鉭酸鋰單晶相關(guān)標準（GB/T30118《聲表面波器件用單晶晶片規(guī)范與測量方法》、YS/T554-2007《鈮酸鋰單晶》、YS/T42-2010《鉭酸鋰單晶》）、外延層相關(guān)標準（GB/T14139-2019《硅外延片》、GB/T35310-2017《200mm硅外延片》、GB/T37053-2018《氮化鎵外延片及襯底片通用規(guī)范》、SJ21102-2016《氮化鋁壓電薄膜通用規(guī)范》、SJ20717A-2018《氧化鋅壓電薄膜通用規(guī)范》）、單晶晶圓相關(guān)標準（SJ/T11504-2015《碳化硅單晶拋光片表面質(zhì)量的測試方法》、GB/T6618-2009《硅片厚度和總厚度變化測試方法》、GB/T29507《硅片平整度、厚度及總厚度變化測試自動非接觸掃描法》GB/T6619-2009《硅片彎曲度測試方法》、GB/T29505-2013《硅片平坦表面的表面粗糙度測量方法》、GB/T12964-2018《硅單晶拋光片》）等，以提高本標準的先進性，使其適應產(chǎn)品最新的發(fā)展趨勢要求。三、主要試驗情況分析本標準主要檢驗項目分為9大類：各層厚度、TTV、LTV、彎曲度、薄膜層與襯底主參考面方向允差、表面方向允差、正表面粗糙度、鍵合力、表面質(zhì)量，相應的試驗情況，已經(jīng)經(jīng)過標準牽頭起草單位濟南晶正電子科技有限公司在該產(chǎn)品量產(chǎn)以來所積累的大量技術(shù)及質(zhì)量驗證。檢測項目、檢測方法及質(zhì)量判定標準等內(nèi)容已與其下游的國內(nèi)外客戶形成較為一致的意見，目前尚未發(fā)現(xiàn)問題。四、標準主要內(nèi)容與現(xiàn)行的國家標準及國內(nèi)外主流廠商企業(yè)標準的差異對比（見表2、表3）暫無現(xiàn)行的國家標準及國內(nèi)外主流廠商企業(yè)標準。五、采用國際標準和國外先進標準的情況本標準無對應的國際標準和國外先進標準。六、與現(xiàn)行相關(guān)法律、法規(guī)、規(guī)章及相關(guān)標準的協(xié)調(diào)性本標準按照GB/T1.1-2020《標準化工作導則第1部分：標準化文件的結(jié)構(gòu)和起草規(guī)則》格式進行編制；本標準中術(shù)語與定義與GB/14264《半導體材料術(shù)語》、GB/T6619《硅片彎曲度測試方法》和GB/T30118《聲表面波器件用單晶晶片規(guī)范與測量方法》界定的相協(xié)調(diào)，新增了單晶薄膜基片、薄膜層與襯底主參考面方向允差、非TFOI邊緣區(qū)域、17點厚度偏差、表面質(zhì)量等術(shù)語和定義；本標準中試驗方法與GB/T6618《硅片厚度和總厚度變化測試方法》、GB/T29507《硅片平整度、厚度及總厚度變化測試自動非接觸掃描法》、GB/T6619《硅片彎曲度測試方法》、GB/T29505《硅片平坦表面的表面粗糙度測量方法》、GB/T30118《聲表面波器件用單晶晶片規(guī)范與測量方法》相協(xié)調(diào)，新增了用X射線(定向儀)測量薄膜層與襯底主參考面方向允差的方法、單晶薄膜基片鍵合強度測量方法。本標準與現(xiàn)行法律、法規(guī)、規(guī)章及相關(guān)標準無沖突，不涉及強制性標準。七、重大分歧意見的處理經(jīng)過和依據(jù)本標準在形成征求意見稿的過程中無重大分歧意見。八、知識產(chǎn)權(quán)情況說明本標準中可能涉及附錄A中A.2測量方法相關(guān)專利的使用，專利受理號：CN202111108771.9。該專利持有人已向本文件的發(fā)布機構(gòu)保證，他愿意同任何申請人在合理且無歧視的條款和條件下，就專利授權(quán)許可進行談判（按照GB-T20003.1-2014的必要專利實施許可聲明a項執(zhí)行）。該專利持有人聲明已在本文件的發(fā)布機構(gòu)備案。九、貫徹標準的要求和措施建議隨著通信技術(shù)的快速發(fā)展，濾波器是射頻前端不可或缺的關(guān)鍵元件，單晶薄膜基片作為聲表面波器件的關(guān)鍵基礎(chǔ)材料，在濾波器應用方面具有明顯優(yōu)勢，應用十分廣泛。建議本標準早日發(fā)布實施。本標準頒布實施后，根據(jù)具體產(chǎn)品在應用中的具體情況，如需對產(chǎn)品的技術(shù)要求、技術(shù)指標和試驗及測量方法等內(nèi)容進行必要的增減和調(diào)整時，再進行修訂，以更好地滿足各方的實際使用要求。十、其它應予說明的事項1）標準名稱變更的說明原定的標準名稱為“聲表面波器件用鈮酸鋰和鉭酸鋰單晶薄膜”，因“鈮酸鋰和鉭酸鋰單晶薄膜”一詞容易聯(lián)想到產(chǎn)品為單層的薄膜結(jié)構(gòu)，與實際標準中規(guī)定的產(chǎn)品結(jié)構(gòu)不符，容易引起歧義，因此考慮將名稱修訂為“聲表面波器件用單晶薄膜基片”。2）本標準的工作組討論稿的意見匯總及處理情況見表4：表4工作組討論稿意見處理匯總表序號章條號意見內(nèi)容提出單位處理意見及理由1封面“在提交反饋意見時，請講您知道的相關(guān)專利連同支持性文件一并附上”，將“請講”修改為“請將”中國電子元件行業(yè)協(xié)會采納2名稱對“單晶薄膜”名稱進行修改，并全文統(tǒng)一中國電子元件行業(yè)協(xié)會采納32規(guī)范性引用文按照順序引用標準中國電子科技集團公司第二十六研究所采納42規(guī)范性引用文注意引用標準的知識產(chǎn)權(quán)問題中國電子元件行業(yè)協(xié)會采納53術(shù)語和定義對“單晶薄膜基片”的術(shù)語定義進行修改，增加結(jié)構(gòu)示意圖中國電子元件行業(yè)協(xié)會采納63術(shù)語和定義將“背表面”放在示意圖中標出，刪除解釋中國電子科技集團公司第二十六研究所采納73術(shù)語和定義刪除“薄膜層、絕緣層、捕獲層、襯底、襯底表面方向、襯底表面方向允差、襯底主參考面、襯底主參考面方向允差、薄膜層表面方向、薄膜層表面方向允差、薄膜層主參考面、直徑、襯底平均厚度、捕獲層平均厚度、絕緣層平均厚度、POI平均厚度、局部厚度偏差率、表面污染、崩邊、劃痕、背表面”等定義中國電子元件行業(yè)協(xié)會采納83術(shù)語和定義將“17點厚度偏差”修改為“多點厚度偏差”，并對定義進行修改中國電子元件行業(yè)協(xié)會采納93術(shù)語和定義將“表面缺陷”修改為“表面質(zhì)量”中國電子科技集團公司第二十六研究所采納104.1產(chǎn)品名稱將“產(chǎn)品名稱”修改為“產(chǎn)品規(guī)格”，并將產(chǎn)品規(guī)格的內(nèi)容修改包括主稱代碼、結(jié)構(gòu)、材質(zhì)，將尺寸、切向、厚度移到“型號命名方法”中中國電子元件行業(yè)協(xié)、中國電子科技集團公司第二十六研究所考慮刪除。在會議中討論的“產(chǎn)品規(guī)格”與目前內(nèi)部使用的產(chǎn)品規(guī)格不同，因?qū)嶋H使用的存在需要繼續(xù)修改的情況，考慮到實際使用和標準的一致性，因此本次標準修訂不考慮加入本項內(nèi)容。114.1規(guī)格型號將“規(guī)格型號”修改為“型號命名方法”，將制備方法內(nèi)容刪除，重新完善“型號命名方法內(nèi)容”中國電子元件行業(yè)協(xié)會、中國電子科技集團公司第二十六研究所考慮刪除；因“規(guī)格型號”涉及到具體的工藝方法、尺寸、切向、厚度、摻雜等內(nèi)容過于繁瑣冗雜，此處內(nèi)容可在工藝指導書中體現(xiàn)，因此考慮刪除。125技術(shù)要求“襯底、捕獲層、絕緣膜層、薄膜層”的撰寫順調(diào)整成“薄膜層、絕緣膜層、捕獲層、襯底”中國電子科技集團公司第二十六研究所采納135.1.4背表面應該根據(jù)粗糙度的要求進行分類，給出粗糙度的具體指標值中國電子科技集團公司第二十六研究所未采納，考慮其他方式撰寫145.4.4薄膜層表面方向允差鉭酸鋰薄膜