一.半導體二極管的基本結(jié)構(gòu)將PN結(jié)用外殼封裝起來，并加上電極引線就構(gòu)成了半導體二極管，簡稱二極管。由P區(qū)引出的電極稱為陽極，由N區(qū)引出的電極稱為陰極。

根據(jù)制作材料的不同，二極管可分為硅管和鍺管。陰極陽極

符號D半導體二極管的基本結(jié)構(gòu)金屬觸絲陽極引線N型鍺片陰極引線外殼

點接觸型點接觸型二極管，由一根金屬絲經(jīng)過特殊工藝與半導體表面相接形成PN結(jié)。因而PN結(jié)面積小，不能通過較大的電流。但是其結(jié)電容較小，一般在1pF以下，工作頻率可達100MHz。可以適用于高頻電路和小功率整流。半導體二極管的基本結(jié)構(gòu)

面接觸型二極管是采用合金法工藝制造而成的。結(jié)面積大，能夠流過較大的電流，但是其結(jié)電容大，因而只能在較低頻率下工作，一般僅作為整流管。鋁合金小球N型硅陽極引線PN結(jié)金銻合金底座陰極引線

面接觸型半導體二極管的基本結(jié)構(gòu)

平面型二極管是在N型硅單晶片上，擴散P型雜質(zhì)，利用硅片表面氧化膜的屏蔽作用，在N型硅單晶片上僅選擇性地擴散一部分而形成的PN結(jié)。結(jié)面積較大的可用于大功率整流，結(jié)面積小的可用于脈沖數(shù)字電路中的開關(guān)。陰極引線陽極引線二氧化硅保護層P型硅N型硅平面型二.二極管的伏安特性

與PN結(jié)一樣，二極管也具有單向?qū)щ娦浴５怯捎诙O管存在半導體體電阻和引線電阻，所以當外加正向電壓時，在電流相同的情況下，二極管的端電壓大于PN結(jié)上的壓降。

另一方面，在外加電壓相同的情況下，二極管的正向電流要小于PN結(jié)的電流，在大電流的情況下，這種影響更為明顯。同時，由于二極管表面漏電流的存在，使外加電壓的反向電流增大。

在分析時，可用伏安特性曲線近似地描述二極管的伏安特性。OuD/ViD/mA正向特性Uon死區(qū)電壓反向特性ISU(BR)反向擊穿導通電壓二極管的伏安特性

實測二極管的伏安特性時發(fā)現(xiàn)，只有在正向電壓足夠大時，正向電流才從零隨端電壓按指數(shù)規(guī)律增大。使二極管開始導通的臨界電壓稱為死區(qū)電壓或開啟電壓Uon，其大小與材料及環(huán)境溫度有關(guān)。PN–+PN+–Uon=

0.5V

0.1V(硅管)(鍺管)OuD/ViD/mA正向特性Uon死區(qū)電壓反向特性ISU(BR)反向擊穿導通電壓二極管的伏安特性

二極管導通后，由于電流急劇上升，因此在工作電流范圍內(nèi)，其兩端的電壓基本保持不變。PN–+PN+–硅管0.7V鍺管0.2V鍺管比硅管易導通，硅管比鍺管反向飽和電流小得多，所以硅管的單向?qū)щ娦院蜏囟确€(wěn)定性較好。OuD/ViD/mA正向特性Uon死區(qū)電壓反向特性ISU(BR)反向擊穿導通電壓二極管的伏安特性

當二極管加上反向電壓時，形成很小的反向電流。反向電流具有兩個特點。一個是它隨溫度上升增長的很快；另一個是在反向電壓不超過某一范圍時，反向電流的大小基本恒定，而與反向電壓的高低無關(guān)，通常稱它為反向飽和電流。PN–+PN+–OuD/ViD/mA正向特性Uon死區(qū)電壓反向特性ISU(BR)反向擊穿導通電壓二極管的伏安特性

當外加電壓過高時，反向電流將突然增大，二極管將失去單向?qū)щ娦裕@種現(xiàn)象稱為反向擊穿。產(chǎn)生擊穿時加在二極管上的反向電壓稱為反向擊穿電壓U(BR)。PN–+PN+–三.二極管的主要參數(shù)1、最大整流電流IF

二極管長期運行時允許通過二極管的最大正向平均電流稱為最大整流電流，它的值與PN結(jié)面積及外部散熱條件等有關(guān)。在規(guī)定散熱條件下，二極管正向平均電流若超過此值，將因結(jié)溫升過高而燒壞。

點接觸型二極管的最大整流電路在幾十毫安以下。面接觸型二極管的最大整流電流較大，如2CZ52A型硅二極管的最大整流電流為100mA。2、最高反向工作電壓UR是二極管工作時允許外加的最大反向電壓，超過此值時，二極管有可能因為反向擊穿而損壞，通常UR為U(BR)的一半。如2CZ52A型硅二極管的最高反向工作電壓為25V，而反向擊穿電壓為50V。點接觸型二極管的最高反向工作電壓一般是數(shù)十伏，面接觸型二極管可達數(shù)百伏。3、反向電流IR

是二極管未擊穿時的反向電流。IR越小，二極管的單向?qū)щ娦栽胶茫鼘囟?/p>