4半導(dǎo)體材料術(shù)語(yǔ)本文件規(guī)定了半導(dǎo)體材料生長(zhǎng)、加工過(guò)程中涉及的產(chǎn)品及相關(guān)的晶體缺陷、表面沾污、幾何參數(shù)、制備、測(cè)試等方面的術(shù)語(yǔ)和定義。本文件適用于半導(dǎo)體材料的研發(fā)、生產(chǎn)、制備及相關(guān)領(lǐng)域。2規(guī)范性引用文件本文件沒(méi)有規(guī)范性引用文件。3一般術(shù)語(yǔ)下列術(shù)語(yǔ)和定義適用于本文件。3.1半導(dǎo)體semiconductor(3.218)導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體與絕緣體之間，室溫下電阻率約為10-3Ω·cm～109Ω·cm范圍內(nèi)的固體物質(zhì)。注：半導(dǎo)體的導(dǎo)電是由帶正電的空穴和帶負(fù)電的電子的定向移動(dòng)實(shí)現(xiàn)的；半導(dǎo)體按其結(jié)3.2本征半導(dǎo)體intrinsicsemiconductor(3.133)晶格完整且不含雜質(zhì)的理想半導(dǎo)體，在熱平衡條件下，其中參與導(dǎo)電的電子和空穴數(shù)目近乎相等。注：通常所說(shuō)的本征半導(dǎo)體是指僅含極痕量雜質(zhì)，導(dǎo)電性能與理3.3元素半導(dǎo)體elementalsemiconductor(3.80)由單一元素的原子組成的半導(dǎo)體材料。3.4化合物半導(dǎo)體compoundsemiconductor(3.36)由兩種或兩種以上不同元素以確定的原子配比形成的半導(dǎo)體材料。3.5寬禁帶半導(dǎo)體widebandgapsemiconductor通常指禁帶寬度在2.3eV及以上的半導(dǎo)體。53.6半絕緣砷化鎵semi-insulatingGaAs電阻率大于1×10^7Ω·cm的砷化鎵單晶，用作微電子器件的襯底材料。3.7類(lèi)金剛石碳膜diamond-likecarbonfilm具有類(lèi)似于金剛石正四面體鍵結(jié)構(gòu)的多晶或非晶碳膜。具有負(fù)電子親和勢(shì)，高的硬度和抗腐蝕性，可用作光電陰極材料和多張器件的鈍化保護(hù)膜。3.8第三代半導(dǎo)體材料third-generationsemiconductor以碳化硅、氮化鎵寬禁帶半導(dǎo)體材料為代表，通常都具有高擊穿電場(chǎng)、高遷移率、高飽和電子速度、可承受大功率等特點(diǎn)的半導(dǎo)體材料。），區(qū)別，有交叉，但不完全重合，因此第三代半導(dǎo)體材料和第二代、第一代3.9技術(shù)代technologygeneration在集成電路中特定工藝的特征尺寸，由特定工藝決定的所能光刻或制作的最小尺寸。也被稱(chēng)為技術(shù)節(jié)點(diǎn)或線寬。3.10金剛石結(jié)構(gòu)diamondstructure由兩個(gè)面心立方點(diǎn)陣沿立方晶胞的體對(duì)角線偏移1/4單位嵌套而成的晶體結(jié)構(gòu)。3.11閃鋅礦結(jié)構(gòu)Sphaleritestructure閃鋅礦結(jié)構(gòu)屬立方晶系，為面心立方點(diǎn)陣。由兩種元素的原子各自形成面心立方晶格，再沿對(duì)角線滑移至對(duì)角線長(zhǎng)度的四分之一，套迭而成。3.12纖鋅礦結(jié)構(gòu)structureoflead-zincore屬六方晶系，密排六角點(diǎn)陣。由兩種元素的原子按六角排列的原子面以AaBbAaBb次序堆垛而成。注1：以ZnS為例，其中A，B面表示Zn原子面，a，b面表示S原子面。S原子作六方密堆積，注2：纖鋅礦結(jié)構(gòu)化合物半導(dǎo)體有：4H-SiC和63.13受主acceptor6半導(dǎo)體中的一種雜質(zhì)，接受從價(jià)帶激發(fā)的電子形成空穴導(dǎo)電。3.14施主donor(3.68)半導(dǎo)體中的一種雜質(zhì)或缺陷，向?qū)峁╇娮有纬呻娮訉?dǎo)電。3.15電子electron(3.79)導(dǎo)電conduction半導(dǎo)體導(dǎo)帶中的一種帶電載流子，其作用像帶負(fù)電荷的自由電子，通常具有不同的質(zhì)量。3.16空穴hole(3.118)半導(dǎo)體價(jià)帶中的一個(gè)可移動(dòng)空位，其作用就像一個(gè)具有正有效質(zhì)量帶正電荷的電子。3.17二維電子氣two-dimensionalelectrongas；2DEG兩個(gè)維度上可以自由移動(dòng)而在第三個(gè)維度上被嚴(yán)格約束住的電子氣。能量是分立的。其具有高的遷移率以及許多量子特性，是許多場(chǎng)3.18二維空穴氣two-dimensionalholegas；2DHG兩個(gè)維度上可以自由移動(dòng)而在第三個(gè)維度上被嚴(yán)格約束住的空穴氣.3.19總固定電荷密度totalfixedchargedensityNtf不可移動(dòng)電荷密度之和：包括氧化物固定電荷密度、氧化物俘獲的電荷密度以及界面俘獲的電荷密度。3.20激子exciton在一定的條件下由于庫(kù)侖相互吸引作用會(huì)將電子和空穴在空間上束縛在一起，形成的電子-空穴對(duì)。3.21非本征extrinsic(3.86)半導(dǎo)體材料內(nèi)由摻雜劑原子提供的電子或空穴控制的狀態(tài)。3.227極性polarity當(dāng)化合物半導(dǎo)體晶胞內(nèi)部沿著某一晶向正、負(fù)電荷中心不重合時(shí)，存在凈的電偶極矩的表現(xiàn)形式。3.23非極性non-polarity當(dāng)化合物半導(dǎo)體晶胞內(nèi)部沿著某一晶向正、負(fù)電荷中心完全重合時(shí)，不存在凈的電偶極矩的表現(xiàn)形式。3.24半極性semi-polarity化合物半導(dǎo)體中介于極性面和非極性面之間的晶面，與極性面具有一定的夾角，因此僅具有部分極性面的極化強(qiáng)度的電偶極矩的表現(xiàn)形式。3.25極化效應(yīng)polarizationeffect由極性半導(dǎo)體的極化電場(chǎng)引發(fā)的效應(yīng)，包括自發(fā)極化效應(yīng)和壓電極化效應(yīng)，自發(fā)極化效應(yīng)是源于晶體本身對(duì)稱(chēng)性導(dǎo)致的極化，壓電極化效應(yīng)是源于外部應(yīng)力導(dǎo)致晶格變形導(dǎo)致的極化3.26空間電荷區(qū)spacechargeregion在p-n結(jié)附近，由于自由電子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)和內(nèi)電場(chǎng)導(dǎo)致的漂移運(yùn)動(dòng)達(dá)到動(dòng)態(tài)平衡時(shí)，p區(qū)和n區(qū)交界面產(chǎn)生的一個(gè)很薄的電子、空穴都很稀少的區(qū)域。3.27復(fù)合中心recombinationcenter(3.206)半導(dǎo)體中對(duì)電子和空穴起復(fù)合作用的雜質(zhì)或缺陷。3.28補(bǔ)償compensation(3.34)半導(dǎo)體內(nèi)同時(shí)存在施主雜質(zhì)和受主雜質(zhì)時(shí)，施主雜質(zhì)施放的電子被受主雜質(zhì)俘獲，或受主雜質(zhì)施放的空穴被施主雜質(zhì)俘獲，導(dǎo)致了除主要摻雜劑雜質(zhì)外，自由載流子數(shù)量的減少。3.29純度purity；intrinsic表征單質(zhì)或化合物含量的參數(shù)。一般的計(jì)算方法是按照100%減去按該產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的元素或成分種類(lèi)的實(shí)測(cè)值以后得到的數(shù)值。注2：通常說(shuō)硅的純度是針對(duì)本征硅而言，且不應(yīng)包含氧、碳。如果是摻雜單晶，也不包83.30量子阱quantumwell；QW具有量子限制效應(yīng)或其厚度和電子德布羅意波長(zhǎng)可比擬的一種半導(dǎo)體薄層結(jié)構(gòu)，3.31遷移率mobility(3.160)載流子在單位電場(chǎng)強(qiáng)度作用下的平均漂移速度。遷移率的符號(hào)為μ,單位為cm2/（V.s）。注：在單一載流子體系中，載流子遷移率與特定條件下測(cè)3.32霍爾系數(shù)Hall-coefficient(3.110)霍爾效應(yīng)產(chǎn)生的霍爾電場(chǎng)正比于磁感應(yīng)強(qiáng)度Bz和電流密度jx，其比例系數(shù)RH稱(chēng)為霍爾系數(shù)。RH=±γ/ne磁場(chǎng)強(qiáng)度有關(guān)的因子。n為載流子濃度，e為電子電荷。3.33霍爾效應(yīng)Hall-effect(3.111)當(dāng)電流垂直于外磁場(chǎng)方向通過(guò)半導(dǎo)體樣品時(shí)，在垂直于電流和磁場(chǎng)方向的樣品兩側(cè)產(chǎn)生電勢(shì)差的現(xiàn)3.34霍爾遷移率Hall-mobility(3.112)霍爾系數(shù)和電導(dǎo)率的乘積，用μH表示，與遷移率有相同的量綱。H=Hσ│3.35單晶singlecrystal(3.222)原子按照一定規(guī)則有序排列，不含大角晶粒間界或?qū)\晶的晶體。3.36多晶polycrystalline(3.191)由許多不同取向的小粒單晶粒無(wú)序排列而成，包含大角度晶粒間界和孿晶的晶體。3.37非晶amorphouscrystalline原子排列不具有周期性，但在近鄰或次近鄰原子間仍具有基本相同的鍵結(jié)構(gòu)和配位數(shù)，只是鍵長(zhǎng)和鍵角相對(duì)于晶體來(lái)說(shuō)有所改變，即呈現(xiàn)短程有序，長(zhǎng)程無(wú)序的材料。3.38類(lèi)單晶quasi-monocrystalline9通過(guò)單晶籽晶，以定向凝固法生長(zhǎng)形成的鑄造多晶，該晶體具有明顯與籽晶同方向的大晶粒。也稱(chēng)為鑄造單晶或準(zhǔn)單晶。3.39最大晶粒面積比例percentageofthelargestsinglegrain類(lèi)單晶硅塊橫截面上具有指定晶向的最大單晶的面積與類(lèi)單晶硅塊橫截面總面積的比值，以百分3.40載流子carrier（3.26）半導(dǎo)體中導(dǎo)帶和價(jià)帶中的荷電粒子。3.41載流子濃度carrierconcentration；carrierdensity單位體積的載流子數(shù)目。本征半導(dǎo)體中等于每單位體積中多數(shù)載流子的數(shù)目。雜質(zhì)半導(dǎo)體中在室溫?zé)o補(bǔ)償存在的條件下等于電離雜質(zhì)的濃度。3.42多數(shù)載流子majoritycarrier(3.150)非本征半導(dǎo)體中占總載流子濃度一半以上的載流子類(lèi)型。注1：如非本征半導(dǎo)體p型半導(dǎo)體中的空穴；n型半導(dǎo)體中的電子，這時(shí)可以忽略遷移率的影響。3.43少數(shù)載流子minoritycarrier(3.159)非本征半導(dǎo)體中占總電荷載流子濃度不到一半的一種載流子類(lèi)型。3.44直接帶隙半導(dǎo)體directbandgapsemiconductor導(dǎo)帶最小值（導(dǎo)帶底）和價(jià)帶最大值（價(jià)帶頂）在波矢空間中處于同一波矢位置的半導(dǎo)體。3.45間接帶隙半導(dǎo)體indirectbandgapsemiconductor導(dǎo)帶最小值（導(dǎo)帶底）和價(jià)帶最大值（價(jià)帶頂）在波矢空間中處于不同波矢位置的半導(dǎo)體。3.46p型半導(dǎo)體p-typesemiconductor(3.202)多數(shù)載流子為空穴的半導(dǎo)體材料。3.47n型半導(dǎo)體n-typesemiconductor(3.171)多數(shù)載流子為電子的半導(dǎo)體材料。3.48p-n結(jié)p-njunction(3.186)同一塊半導(dǎo)體晶體內(nèi)彼此相鄰接的p型和n型的界面區(qū)域。3.49垂直梯度凝固法verticalgradientfreeze；VGF通過(guò)設(shè)計(jì)特定的溫度梯度，使固液界面以一定速度從下向上端移動(dòng)。單晶也從下向上生長(zhǎng)的方法。3.50垂直布里奇曼法verticalBridgman；VB垂直放置加熱爐，在加熱爐中預(yù)先設(shè)定好溫度梯度，通過(guò)加熱爐與熔體的相對(duì)運(yùn)動(dòng)，使熔體逐步結(jié)晶而完成單晶生長(zhǎng)的方法。3.51水平梯度凝固法horizontalgradientfreeze通過(guò)設(shè)計(jì)特定的溫度梯度，使固液界面以一定速度在水平面上從一端向另一端移動(dòng)，單晶也從一端向另一端水平生長(zhǎng)的方法。3.52水平布里奇曼法horizontalBridgman；HB水平放置加熱爐，在加熱爐中預(yù)先設(shè)定好溫度梯度，通過(guò)加熱爐與熔體的相對(duì)運(yùn)動(dòng)，使熔體逐步結(jié)晶而完成單晶生長(zhǎng)的方法。3.53分凝segregation在液態(tài)凝固過(guò)程中，由于液態(tài)凝出的固相的化學(xué)成分和液相不同，隨著凝固的進(jìn)行，液相成分不斷變化，先后凝出的固相成分不同形成分凝現(xiàn)象。3.54分凝系數(shù)equilibriumsegregationcoefficient在平衡狀態(tài)時(shí)，組分在固定液與流動(dòng)相中的濃度之比。3.55有效分凝系數(shù)effectivesegregationcoefficient在固-液交界面處，固相雜質(zhì)濃度CS與遠(yuǎn)離界面的熔體內(nèi)部的雜質(zhì)濃度CLO的比值（keff即keff=CS/CLO。3.56摻雜doping(3.71)為控制半導(dǎo)體材料的性能，人為地、有目的地?fù)饺胍欢ǚN類(lèi)、一定數(shù)量雜質(zhì)的過(guò)程。3.57摻雜劑dopant(3.69)摻入半導(dǎo)體材料中用以確定其導(dǎo)電類(lèi)型和電阻率的痕量元素。3.58摻雜密度dopantdensity摻雜濃度(3.55)單位體積中摻雜元素的原子數(shù)目。3.59重?fù)诫sheavydoping(3.115)在半導(dǎo)體材料中摻入較高的雜質(zhì)濃度。3.60共摻雜co-dopant為控制半導(dǎo)體材料的性能，人為地、有目的地同時(shí)摻入兩種或兩種以上雜質(zhì)的過(guò)程。3.61深能級(jí)雜質(zhì)deep-levelimpurity(3.54)在半導(dǎo)體中形成一個(gè)或多個(gè)位于禁帶中央?yún)^(qū)域能級(jí)的化學(xué)元素，以及一些能引入電活性深能級(jí)的缺陷或復(fù)合物。3.62EL2能級(jí)EL2energylevel砷化鎵單晶中，與過(guò)量砷相關(guān)的缺陷（EL2缺陷）所產(chǎn)生的深能級(jí)。3.63等電子摻雜isoelectronicimpurity與被替代的基體原子具有相同價(jià)電子結(jié)構(gòu)的替代原子的摻雜。3.64調(diào)制摻雜modulationdoping；MD在具有量子效應(yīng)的半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)構(gòu)中，選擇特定空間上的材料中摻入n型或p型雜質(zhì)原子，其它區(qū)域不摻雜的方法。3.65中子嬗變摻雜neutrontransmutationdoping；NTD(3.167)用中子流輻照硅單晶錠，使晶體中的Si30嬗變成磷原子，達(dá)到在硅單晶中摻雜的方法。3.66自摻雜(外延層)autodoping（ofanepitaxiallayer）self-doping（3.12）外延生長(zhǎng)工藝中來(lái)自襯底的背面、正面以及邊緣、反應(yīng)器中的其它襯片、基座或沉積系統(tǒng)的其他部分的雜質(zhì)元素?fù)饺氲酵庋訉又械倪^(guò)程。3.67補(bǔ)償摻雜compensationdoping(3.35)為調(diào)控材料和器件的性能，人為實(shí)現(xiàn)載流子補(bǔ)償?shù)墓に嚒?.68導(dǎo)電類(lèi)型conductivitytype(3.39)半導(dǎo)體材料中多數(shù)載流子的性質(zhì)所決定的導(dǎo)電特性，分為n型和p型。3.69電導(dǎo)率conductivity(3.38)載流子在材料中流動(dòng)程度的一種量度。符號(hào)為σ,單位為(Ω·cm）-1或(Ω·m）-1。注：一般摻雜半導(dǎo)體在常溫范圍內(nèi)導(dǎo)電性能主要由摻雜決定，其數(shù)3.70電阻率resistivity(3.209)ρ荷電載體通過(guò)材料受阻程度的一種量度。電阻率是電導(dǎo)率的倒數(shù)，單位為Ω.cm。3.71電阻率允許偏差allowableresistivitytolerance（3.2）晶片中心點(diǎn)或晶錠斷面中心點(diǎn)的電阻率與標(biāo)稱(chēng)電阻率的最大允許差值，也可以用標(biāo)稱(chēng)值的百分?jǐn)?shù)來(lái)表示。3.72徑向電阻率變化radialresistivitytolerance(3.204)徑向電阻率梯度radialresistivitygradient；RRG（3.108）晶片中心點(diǎn)與偏離晶片中心的某一點(diǎn)或若干對(duì)稱(chēng)分布的設(shè)置點(diǎn)（典型設(shè)置點(diǎn)是晶片半徑的1/2處或靠近晶片邊緣處）的電阻率之間的差值，這種電阻率的差值可以不是為測(cè)量差值除以中心值，以百分?jǐn)?shù)表示。3.73表面電阻sheetresistance(3.221)方塊電阻squareresistance半導(dǎo)體或金屬薄膜中，平行于電流的電位梯度(電場(chǎng))與電流密度和厚度的乘積之比。符號(hào)為Rs，單位為Ω/sq或Ω/□。注：數(shù)值上等于體電阻率除以材料的厚度，取厚度趨于零時(shí)的極3.74擴(kuò)展電阻spreadingresistance微小導(dǎo)電金屬探針和晶片上一參考點(diǎn)之間的電勢(shì)差與通過(guò)探針的電流之比。注：該比值測(cè)量了金屬與半導(dǎo)體的接觸電阻，以及在探針附近沒(méi)有電邊界的均勻試樣的經(jīng)典擴(kuò)展電阻。對(duì)于具有3.75晶體crystal(3.47)由原子、離子或分子以一定的周期性規(guī)律排列組成的固體。3.76晶面crystallographicplane(3.51)通過(guò)空間點(diǎn)陣中不在同一直線上的三個(gè)結(jié)點(diǎn)的平面。3.77晶片wafer；slice(3.223)從半導(dǎo)體晶體切取的具有一定幾何形狀和厚度的平行平面的薄片。包括單晶片、類(lèi)單晶片、鑄造多晶硅片，晶片可以是圓形、方形或準(zhǔn)方形。3.78晶胞unitcell組成空間點(diǎn)陣最基本的單元，其具有整個(gè)晶體的性質(zhì)。3.79晶粒grain原子按照一定的規(guī)則排列形成的具有一定外觀邊界的集合體，每個(gè)晶粒就是一個(gè)小單晶體。3.80晶粒間界grainboundary（3.106）固體內(nèi)，一晶粒與另一晶粒相接觸的界面。該界面上的任一點(diǎn)至少構(gòu)成兩個(gè)晶向差大于1°的晶格3.81密勒指數(shù)Millerindices（3.158）晶體指數(shù)crystalindices晶面在三個(gè)單位長(zhǎng)度晶軸上截距倒數(shù)的最小整數(shù)比。3.82結(jié)晶學(xué)表示法crystallographicnotation(3.50)用于標(biāo)示晶體中晶面和晶向的密勒指數(shù)的一種符號(hào)體系。晶面如（111）3.83晶向偏離off-orientation(3.172)晶片表面法線與晶體結(jié)晶學(xué)方向偏離的角度。3.84晶向orientation(3.174)單晶的表面方向，當(dāng)表面與之理想表面重合時(shí)，用密勒指數(shù)描述的晶體學(xué)平面方向。3.85正交晶向偏離orthogonalmisorientation(3.175)在晶體被有意偏離晶向切割時(shí)，正交晶向偏離的描述如圖1及圖2所示。注1：例如，硅晶片表面的法向矢量在{111}晶面上的投影與最鄰近的<110>晶向在{111}（見(jiàn)圖1）。砷化鎵晶片的表面的法向矢量在{100}晶面上的投影與最鄰近的<110>晶向在{世界范圍內(nèi)確定偏離定向角的習(xí)慣是不一樣的，因此有必要準(zhǔn)確地建3.86勞埃法Lauemethod(3.138)用連續(xù)能譜的X射線投射到固定的單晶體上，滿足布拉格定律的X射線得到的反射，對(duì)反射出的X射線進(jìn)行晶體學(xué)分析，以確定晶體宏觀對(duì)稱(chēng)性的一種X射線衍射方法。3.87多型polytype由同種化學(xué)成分所構(gòu)成的晶體，當(dāng)其晶體結(jié)構(gòu)中的結(jié)構(gòu)單位層相同，但結(jié)構(gòu)單位層之間的堆垛順序或重復(fù)方式不同時(shí)，而形成的結(jié)構(gòu)上不同的變體。注：最常見(jiàn)的多型是根據(jù)拉姆斯代爾的建議命名的:如6H給出了一個(gè)周期性疊加序列的層數(shù)(2,3,4，…)和生成的晶體的對(duì)稱(chēng)性(H=六角形，R=菱形)。如SiC多型有6H、3.88各向異性anisotropic（3.4）在不同的結(jié)晶學(xué)方向具有不同的物理特性，也可稱(chēng)為非各向同性，非均質(zhì)性。3.89各向異性腐蝕anisotropicetch（3.5）沿著不同的結(jié)晶學(xué)方向，呈現(xiàn)腐蝕速率差異的一種選擇性腐蝕。3.90各向同性腐蝕isotropicetch(3.135)在不同的結(jié)晶學(xué)平面呈現(xiàn)出相同腐蝕速率的腐蝕。3.91夾層lamella(3.136)一種多重孿晶，極薄且比較長(zhǎng)，可能與一個(gè)以上的平面相交。3.92晶格失配latticemismatch在由兩種晶體材料構(gòu)成的界面附近，由于兩種材料的晶格常數(shù)不完全相同，使晶格連續(xù)性受到破壞的現(xiàn)象。3.93Ga面和As面Gafacet&Asfacet在GaAs單晶中，通常把由Ga原子形成的{111}面稱(chēng)為（111）Ga面或A面，由As原子形成的{111}面稱(chēng)為（111）As面或B面。3.94界面態(tài)densityofstates；DOS半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)、金屬-半導(dǎo)體、電介質(zhì)-半導(dǎo)體等結(jié)構(gòu)中層間邊界處存在的能級(jí)或能帶中的電子態(tài)。3.95界面態(tài)密度interfacetrapdensity；interfacestatedensity單位面積、單位能量間隔內(nèi)的界面態(tài)數(shù)目，單位為cm-2eV-1。3.96離子注入ionimplantation(3.134)將雜質(zhì)離子在真空中加速到一定能量后，以高速度穿過(guò)晶體表面進(jìn)入體內(nèi)，經(jīng)過(guò)與晶體原子的不斷碰撞而速度減慢，最后在晶體的一定深度處終止的摻雜工藝。3.97異質(zhì)結(jié)heterojunction兩種不同的半導(dǎo)體晶體相接觸所形成的界面區(qū)域。按照兩種材料的導(dǎo)電類(lèi)型不同，又分為同型異質(zhì)結(jié)(p-p結(jié)或n-n結(jié))和異型異質(zhì)(P-n或p-N)結(jié)。3.98擴(kuò)散層diffusedlayer(3.60)采用固態(tài)擴(kuò)散工藝，將雜質(zhì)引入晶體，使單晶近表面層形成相同或相反導(dǎo)電類(lèi)型的區(qū)域。3.99擴(kuò)散長(zhǎng)度diffusionlengthLD由外界引起的非平衡少數(shù)載流子從產(chǎn)生到被復(fù)合的時(shí)間里，從樣品表面向體內(nèi)擴(kuò)散的平均深度稱(chēng)為擴(kuò)散長(zhǎng)度。注：理想的擴(kuò)散長(zhǎng)度僅是樣品體內(nèi)復(fù)合的函數(shù)，與表面復(fù)合無(wú)關(guān)。非平衡少數(shù)載流子壽擴(kuò)散長(zhǎng)度的平方除擴(kuò)散系數(shù)所得商，而擴(kuò)散系數(shù)是設(shè)定的或由載流子3.100有效擴(kuò)散長(zhǎng)度effectivediffusionlengthLO由于各種原因造成測(cè)試結(jié)果偏離理想的擴(kuò)散長(zhǎng)度（LD）時(shí)，實(shí)際測(cè)試得到的擴(kuò)散長(zhǎng)度被稱(chēng)為有效擴(kuò)散長(zhǎng)度LD。注：例如很薄的樣品或外延層，樣品的背表面有結(jié)存在，或者是對(duì)砷化鎵等的其他半導(dǎo)3.101晶體缺陷crystaldefect(3.48)偏離理想晶格點(diǎn)陣中原子的有規(guī)則排列。），3.102點(diǎn)缺陷pointdefect(3.187)在晶體中一個(gè)或幾個(gè)晶格常數(shù)范圍內(nèi)的晶體缺陷，包括空位、間隙原子和雜質(zhì)原子等。3.103微缺陷microdefect(3.156)晶體中缺陷尺寸通常在微米或亞微米數(shù)量級(jí)范圍內(nèi)的缺陷。3.104滑移slip(3.224)晶體一部分相對(duì)另一部分發(fā)生切變位移，在形式上仍保留材料的結(jié)晶性的一種塑性形變過(guò)程。3.105滑移線slipline(3.225)在滑移平面與晶面相交處形成的一個(gè)臺(tái)階。表面，線的族彼此成60傾斜。在(100)表面，它們彼此成90傾斜。3.106滑移面slipplane(3.226)晶體中位錯(cuò)發(fā)生滑移運(yùn)動(dòng)的一結(jié)晶學(xué)平面。3.107位錯(cuò)腐蝕坑dislocationetchpit(3.66)在晶體表面的位錯(cuò)應(yīng)力區(qū)域，由擇優(yōu)腐蝕而產(chǎn)生的一種界限清晰、形狀規(guī)則的腐蝕坑。3.108位錯(cuò)密度dislocationdensity(3.65)單位體積內(nèi)位錯(cuò)線的總長(zhǎng)度。注2：砷化鎵晶片表面由于位錯(cuò)而產(chǎn)生的擇優(yōu)腐蝕形成的凹坑密度也稱(chēng)為腐3.109無(wú)位錯(cuò)單晶dislocationfreesinglecrystal；zeroDsinglecrystal(3.272)；位錯(cuò)密度小于某一規(guī)定值的單晶，也稱(chēng)為零位錯(cuò)單晶。3.110表面缺陷surfacedefect(3.236)晶片表面上能觀察到的損傷、殘留塵埃和其他的不完整性。注：例如，晶片表面的凹坑、小坑、顆粒、3.111腐蝕etch(3.83)用一種溶液、混合液或混合氣體侵蝕薄膜或襯底表面，有選擇地或非選擇地去除表面物質(zhì)的過(guò)程。3.112腐蝕坑etchpit(3.84)晶片表面上由于腐蝕形成的凹坑，局限于晶體缺陷或應(yīng)力區(qū)。3.113解理面cleavageplane(3.33)一種結(jié)晶學(xué)上優(yōu)先斷裂的晶面。3.114擇優(yōu)腐蝕preferentialetch(3.195)沿晶體內(nèi)特定的結(jié)晶學(xué)晶面呈現(xiàn)出腐蝕速率明顯增大的現(xiàn)象。3.115擇優(yōu)腐蝕坑preferentialetchpits采用擇優(yōu)腐蝕方法在半導(dǎo)體表面顯示出的微觀形態(tài)，其形態(tài)與晶面、缺陷類(lèi)型、腐蝕液等密切相關(guān)。3.116表面腐蝕晶胞surfaceetchedunitecell由于單晶片的不同晶面腐蝕速率不同，腐蝕過(guò)程中晶胞的三維形貌發(fā)生變化后在表面形成的圖形。3.117損傷damage(3.53)晶體的一種不可逆轉(zhuǎn)的形變?nèi)毕?。?對(duì)于表面機(jī)械加工如切割，磨削，滾圓，噴砂，以及撞擊等造成的形變，如后續(xù)沒(méi)有熱處理，可能導(dǎo)致晶格不3.118損傷層damagelayer晶片在機(jī)械加工過(guò)程中，表面形成一定深度的損傷薄層。3.119損傷深度damagedepth(Tz)損傷區(qū)域的最大厚度，或稱(chēng)為損傷層深度。3.120殘留機(jī)械損傷residualmechanicaldamage(3.208)晶片經(jīng)過(guò)切、磨、拋加工之后，表面殘留下來(lái)的沒(méi)有完全去除的機(jī)械損傷。3.121親水性hydrophilic(3.122)晶片表面對(duì)水有很強(qiáng)的親和力，可濕潤(rùn)的現(xiàn)象。3.122疏水性hydrophobic(3.123)晶片表面對(duì)水完全不具親和力，不可濕潤(rùn)的現(xiàn)象。3.123陷光結(jié)構(gòu)lighttrappingstructure在光伏用晶片表面形成突起或凹坑的結(jié)構(gòu)，通過(guò)對(duì)太陽(yáng)光的反射、折射和散射等，將入射太陽(yáng)光線重新分散到電池表面或體內(nèi)，從而增加光在太陽(yáng)電池中的光程或吸收量。3.124邊皮edgecrystalsilicon在光伏用硅晶錠開(kāi)方過(guò)程中切除的，位于晶錠周邊靠近坩堝位置的一層硅晶體材料。3.125外延epitaxy(3.82)用氣相、液相、分子束等方法在襯底上生長(zhǎng)單晶薄層的工藝。3.126在襯底上生長(zhǎng)的、晶向由襯底決定的半導(dǎo)體單晶薄層。注：外延層可在導(dǎo)電類(lèi)型、晶體結(jié)構(gòu)等方面與襯底相同或不同，還可3.127外延層厚度thicknessofanepitaxiallayer(3.251)從外延層正表面到外延層-襯底界面的距離。3.128外延片epitaxialwafer通過(guò)外延工藝在襯底的正表面、邊緣以及近邊緣區(qū)域生長(zhǎng)了外延層的晶片。3.129外延層的有效層厚度effectivelayerthicknessofanepitaxiallayer(3.78)凈載流子濃度在規(guī)定范圍內(nèi)的外延層的厚度。3.130外延剖面斜度profileslopeofanepitaxiallayer(3.200)外延層厚度的0.75處與0.25處的凈載流子濃度的差值除以外延層厚度的1/2的值：?jiǎn)挝粸棣蘭。外延剖面斜度=(N0.75t－N0.25t)/0.5t式中：N----凈載流子濃度，cm-3；t-----外延層厚度，μm。3.131同質(zhì)外延homoepitaxy(3.119)在襯底上生長(zhǎng)與襯底材料組份相同的單晶薄層的外延工藝。3.132異質(zhì)外延heteroepitaxy(3.116)在襯底上生長(zhǎng)與襯底材料組份不同的單晶薄層的外延工藝。注：通常硅單晶中雜質(zhì)濃度大于10cm，3.133側(cè)向外延epitaxiallateralover-growth；ELO橫向外延lateralepitaxial半導(dǎo)體在選區(qū)外延時(shí)，通過(guò)控制生長(zhǎng)條件，使得橫向生長(zhǎng)速度快于縱向生長(zhǎng)速度，導(dǎo)致選擇窗口區(qū)的外延薄膜生長(zhǎng)擴(kuò)展到窗口外并連接相鄰窗口區(qū)擴(kuò)展過(guò)來(lái)的外延薄膜，最終形成連續(xù)外延層。3.134在摻雜襯底上沉積相同導(dǎo)電類(lèi)型的外延層過(guò)渡區(qū)寬度transitionwidthofanepitaxiallayerdepositedondopedsubstrateofthesameconductivitytype(3.257)基于相同測(cè)試手段下的，外延層厚度層厚外延層平坦區(qū)間的厚度之差。3.135外延層的平坦區(qū)flatzoneofanepitaxiallayer(3.94)從正表面到凈載流子濃度大于或小于外延厚度的0.25-0.75區(qū)域內(nèi)平均凈載流子濃度的20%的點(diǎn)的深度。3.136漸變區(qū)gradedregion(3.105)用于起始生長(zhǎng)的GaAs（1－x）Px外延層，在生長(zhǎng)過(guò)程中外延層的組分由GaAs逐漸變?yōu)镚aAs（1－x）Px。目的是盡可能減少GaAs襯底與GaAs（1－x）Px外延層間的晶格失配。3.137邊緣凸起edgecrown(3.73)距晶片邊緣（3.2mm1/8英寸）處的表面高度與晶片邊緣處高度之間的差值。單位為μm。3.138緩沖層bufferlayer過(guò)渡層transitionlayer在半導(dǎo)體外延生長(zhǎng)中，為其后生長(zhǎng)外延層所準(zhǔn)備的前期鋪墊層。3.139圖形畸變率（埋層外延技術(shù)）patterndistortionratio埋層襯底上的圖形寬度和外延層表面圖形寬度之差的絕對(duì)值與外延層厚度的商。3.140圖形漂移率patternshiftratio埋層襯底表面圖形中心點(diǎn)和外延層表面對(duì)應(yīng)的圖形中心點(diǎn)之間的橫向距離與外延層厚度的商。3.141圖形臺(tái)階高度（埋層外延技術(shù)）patternstepheightin（buriedepitaxialwafertechnology）去除氧化物后，擴(kuò)散(埋層)表面與原始基體表面垂直位置的差異。3.142鍵合界面bondedinterface（3.18）兩種晶片之間的鍵合面。3.145鍵合硅片bondedSOIwafer（3.19）兩個(gè)硅片鍵合在一起，中間是典型的熱生長(zhǎng)的二氧化硅絕緣層。3.146非SOI邊緣區(qū)non-SOIedgearea表面硅層(3.229)表面硅層的標(biāo)稱(chēng)半徑和基底硅片標(biāo)稱(chēng)半徑之間的環(huán)形區(qū)域（即鍵合SOI片）。注：在尺寸上以寬度來(lái)確立，為表面硅層標(biāo)稱(chēng)半3.147由絕緣層分離的單晶硅薄膜，絕緣層不局限于二氧化硅。注：氧化硅片上的多晶或非晶硅薄膜不被認(rèn)為屬于SOI層。一般稱(chēng)其3.148硅外延層是由電介質(zhì)材料支撐的多層結(jié)構(gòu)。一種是由比較厚的電介質(zhì)材料直接做襯底；另一種是由氧化物和硅組成的多層結(jié)構(gòu)，氧化層上有一層硅薄膜，也被稱(chēng)為BOX.SOI片。3.149SIMOX層SIMOXlayer(3.240)絕緣層為埋層氧化層的SOI材料，其絕緣層上的一層薄硅，也稱(chēng)頂部硅或表面硅。3.150埋層buriedlayer（3.22）外延層覆蓋的擴(kuò)散區(qū)，又稱(chēng)副擴(kuò)散層或膜下擴(kuò)散層。3.151埋層氧化物（硅））buriedoxide（3.23）由氧注入形成的氧化物（氧化硅）3.152埋層氧化buriedoxidelayer；BOXSOI層和基底硅襯底之間的二氧化硅絕緣層。3.153頂層硅薄膜厚度thicknessoftopsiliconfilm(3.253)頂層硅薄膜表面與頂層硅薄膜-埋層氧化物界面之間的距離。3.154壽命lifetime（3.140）非平衡載流子從產(chǎn)生到復(fù)合存在的平均時(shí)間間隔。所以實(shí)際測(cè)量的壽命也可以稱(chēng)為有效壽命。通常，壽命的測(cè)量是從脈沖注入結(jié)束到衰減3.154.1載流子復(fù)合壽命c(diǎn)arrierrecombinationlifetime在均勻半導(dǎo)體內(nèi)非平衡空穴-電子對(duì)由產(chǎn)生到復(fù)合的平均時(shí)間間隔。3.154.2少數(shù)載流子壽命minoritycarrierlifetime(3.140)均勻半導(dǎo)體中非平衡少數(shù)載流子由產(chǎn)生到復(fù)合存在的平均時(shí)間間隔。注：在滿足小注入條件下，其數(shù)值等于非平衡少數(shù)載流子濃度衰減到起始值的1/e（e=23.154.3基本模式壽命primarymodelifetime非平衡載流子復(fù)合衰減曲線上滿足指數(shù)衰減部分的時(shí)間常數(shù)。注2：基本模式壽命開(kāi)始的起點(diǎn)是由計(jì)算機(jī)系統(tǒng)確認(rèn)衰3.154.4體復(fù)合壽命bulkrecombinationlifetime在空穴-電子對(duì)的表面復(fù)合可以忽略不計(jì)的情況下，只是通過(guò)晶體內(nèi)雜質(zhì)和缺陷的復(fù)合作用所決定的壽命。注：體復(fù)合壽命可以是少數(shù)載流子壽命也可以是載流子復(fù)合壽命，區(qū)別以表面復(fù)合為主的表面壽命。通常壽命3.154.5表面壽命surfacelifetime由樣品表面復(fù)合所產(chǎn)生的壽命。3.154.6燈絲壽命filamentlifetime注：衰減曲線的初始部分在本質(zhì)上通常不是指數(shù)級(jí)的，因此從衰減曲線的初始部分確定少數(shù)載流子壽命，少數(shù)載流子壽命必須從衰減后一段時(shí)間出現(xiàn)的曲3.154.7注入水平injectionlevelη在非本征半導(dǎo)體晶體或晶片內(nèi)，由光子或其他手段產(chǎn)生的過(guò)剩載流子濃度與多數(shù)載流子的平衡濃度之比。注入水平與激發(fā)脈沖停止后立即產(chǎn)生的初始過(guò)剩載流子濃度有關(guān)。3.154.8產(chǎn)生壽命generationlifetime在反向偏置的空間電荷區(qū)中產(chǎn)生電子-空穴對(duì)的平均時(shí)間。3.154.9產(chǎn)生速率generationvelocity表面電子-空穴對(duì)載流子的產(chǎn)生速度，它與耗盡區(qū)寬度無(wú)關(guān)，是由表面的電子-空穴對(duì)和類(lèi)似中性體組成的。3.155襯底substrate(3.242)在半導(dǎo)體器件和電路制造中作為后續(xù)工藝加工操作的基底材料。其具有特定晶向和電學(xué)等特性參數(shù)，可直接在上制作器件，或在上生長(zhǎng)、沉積的同一種或另一種材料的薄膜中制造器件或電路。注1：襯底可以是半導(dǎo)體材料，也可以是非半導(dǎo)體材料；也包括用于同質(zhì)外延的襯底和用3.156藍(lán)寶石襯底sapphiresubstrate用于外延生長(zhǎng)半導(dǎo)體薄膜的藍(lán)寶石單晶拋光片。3.157正表面frontsurface(3.101)正面frontside（3.100）已經(jīng)或?qū)⒁谄渖现圃彀雽?dǎo)體有源器件的外露表面。3.158背表面backsurface（3.15）背面backside（3.14）相對(duì)于正表面的外露表面3.159拋光面polishedsurface(3.188)晶片拋光后獲得的如鏡面狀近乎完美的表面。3.160直徑diameter(3.59)在晶圓片表面通過(guò)圓片中心點(diǎn)且不與參考面或圓周上任何基準(zhǔn)區(qū)相交的直線長(zhǎng)度。3.161標(biāo)稱(chēng)直徑nominaldiameter圓形晶片的規(guī)定目標(biāo)直徑。注：例如，直徑150mm、200mm或300mm一般都3.162（定位）基準(zhǔn)fiducial(3.88)晶片上提供結(jié)晶軸基準(zhǔn)位置的平面或切口。3.163基準(zhǔn)面偏差referenceplanedeviation；RPD(3.207)晶片表面任一指定點(diǎn)，沿垂直于基準(zhǔn)面方向與基準(zhǔn)面之間的距離。3.164晶片切口notchonasemiconductorwafer在晶片邊緣具有規(guī)定形狀和尺寸的凹槽，其定向?yàn)橥ㄟ^(guò)切口中心的直徑平行于規(guī)定的低指數(shù)晶向。3.165主取向參考面primaryorientationflat晶片上長(zhǎng)度最長(zhǎng)的參考面,用與弦平行規(guī)定的低指數(shù)晶面來(lái)定向。3.166晶片的參考面flatonsemiconductorwafer(3.93)晶片圓周的一部分被割去，成為弦。3.167副參考面secondaryflat(3.217)長(zhǎng)度比主參考面短，用其相對(duì)于主參考面的位置來(lái)標(biāo)記晶片的導(dǎo)電電類(lèi)型和晶向。3.168參考面直徑flatdiameter(3.92)半導(dǎo)體晶圓表面上沿著垂直于晶圓參考平面的直徑，由晶圓主參考面平面中心到晶圓對(duì)邊圓周的線性尺寸。型晶片，參考面直徑的概念不能使用，因?yàn)橹睆酱怪眳?.169重建的邊緣輪廓reconstructededgeprofile用從邊緣輪廓實(shí)際測(cè)量中獲取的參數(shù)構(gòu)造的邊緣輪廓模型。3.170邊緣輪廓的基準(zhǔn)線referencelineofanedgeprofile位于上表面和下表面之間的線，表示晶片邊緣橫截面視圖上的中位面；是橫截面視圖q-z參考坐標(biāo)系的q軸。3.171晶圓片邊緣的z軸剖視圖z-axisofacross-sectionalviewoftheedgeofawafer穿過(guò)晶片外圍圓線，直于通過(guò)晶圓外圍的參考線，原點(diǎn)在晶圓外圍與參考線的交點(diǎn)處，且指向晶圓正面的正方向。3.172邊緣輪廓模型modeledgeprofile由橫截面視圖中的直線（頂端和斜面）和圓?。绮浚┙M成晶片邊緣輪廓。3.173邊緣輪廓部分segmentofanedgeprofile晶圓片上邊緣輪廓的確定區(qū)域。3.174晶片邊緣edgeofwafer晶圓片的環(huán)形區(qū)域，從外圍向內(nèi)，經(jīng)過(guò)有意的化學(xué)或機(jī)械加工形成的邊緣輪廓。3.175頂端apex晶片邊緣輪廓的表征，其位于正面和背面肩部之間的區(qū)域，近似垂直于基準(zhǔn)線。3.176晶片邊緣輪廓的表征參數(shù)，Z軸與前頂端或后頂端的夾角，如果q坐標(biāo)沿著|z|軸增大而增加，則頂角的符號(hào)是正的。3.177頂端長(zhǎng)度apexlength,晶片邊緣輪廓的表征參數(shù)，在邊緣輪廓的前肩和后肩之間沿Z軸的距離，通常由從基準(zhǔn)線到前肩和后肩兩個(gè)距離組成。3.178目標(biāo)輪廓targetprofile使用指定的或預(yù)先選擇的邊緣輪廓參數(shù)構(gòu)造的典型的邊緣輪廓。3.179邊緣輪廓edgeprofile(3.76)在邊緣倒角的晶片上，其邊緣經(jīng)化學(xué)或機(jī)械加工整形，是對(duì)連結(jié)晶片正面與表面邊界輪廓的一種描述。3.180邊緣寬度edgewidth從晶片表面圓周到邊緣輪廓線末端之間的距離。3.181邊緣去除區(qū)域edgeexclusionarea(3.74)晶片的合格質(zhì)量區(qū)與晶片物理周邊之間的區(qū)域。3.182邊緣去除edgeexclusionnominal；EE(3.75)從合格質(zhì)量區(qū)邊界到晶片物理周邊的距離3.183邊緣輪廓測(cè)量measurededgeprofile由測(cè)量系統(tǒng)獲得的，由一系列q、z點(diǎn)組成的晶片邊緣輪廓的橫截面視圖。3.184邊緣參考edge-referenced以晶圓片外圍為原點(diǎn)而建立用于測(cè)量、計(jì)算的坐標(biāo)系統(tǒng)。3.185近邊緣幾何學(xué)nearedgegeometry大直徑晶片近邊緣區(qū)域的表面幾何形態(tài)。3.185.1近邊緣區(qū)域near-edgeregion圓片位于邊緣的內(nèi)邊界(邊緣輪廓的內(nèi)端)和合格質(zhì)量區(qū)（FQA）的外邊界之間的圓環(huán)形區(qū)域，也可以根據(jù)研究范圍向合格質(zhì)量區(qū)延伸一小段距離。3.185.2卷曲edgerolloff；ERO大直徑硅片在近邊緣附近的表面偏差，但不包括由于硅片邊緣輪廓和表面粗糙度造成的影響。3.185.3卷曲度edgerolloffamount；ROA在無(wú)夾持狀態(tài)下，硅片的近邊緣區(qū)域從基準(zhǔn)線到測(cè)量點(diǎn)的位移。3.185.4線性基準(zhǔn)線的卷曲度linearreferencedROA；L-ROA當(dāng)一段直線被作為基準(zhǔn)時(shí)，硅片邊緣的卷曲度值。3.185.5近邊緣曲率near-edgecurvatureZDD（radialdoublederivativeofz（height使用晶片高度的陣列數(shù)據(jù)獲得垂直于硅片中位面一系列Z坐標(biāo)的徑向二階導(dǎo)數(shù)所描述的參數(shù)。3.185.6近邊緣扇形區(qū)域平整度near-edgewafersectorflatnessESFQR/ESFQD/ESBIR將晶片近邊緣環(huán)形區(qū)域分割成N個(gè)扇形區(qū)域，其若干個(gè)扇形區(qū)域中總指示讀數(shù)（TIR）或焦平面偏差（FPD）的最大值。注1：由于選擇的基準(zhǔn)面不同，可以用ESFQR、ESFQD或ESBIR來(lái)分別注2：近邊緣扇形區(qū)域平整度是晶片近邊緣幾何形3.185.7邊緣不完整區(qū)域的局部平整度partialwafersiteflatnessPSFQR/PSFQD將晶片分割成N個(gè)矩形區(qū)域，其近邊緣若干個(gè)不完整局部區(qū)域相對(duì)于基準(zhǔn)面的總指示讀數(shù)（TIR）或焦平面偏差（FPD）的最大值。注1：由于選擇的基準(zhǔn)面不同，可以用PSFQR或PSFQD來(lái)分別3.185.8立方曲線基準(zhǔn)的卷曲度polynomialreferencedROA；P-ROA當(dāng)一個(gè)立方曲線被作為基準(zhǔn)時(shí)，硅片邊緣的卷曲度。3.185.9邊緣卷曲確定的基準(zhǔn)線referencelineofanedgeroll-offdetermination對(duì)不包括卷曲在內(nèi)的理想表面進(jìn)行擬合后推算得到的直線或立體曲線。3.185.10合格質(zhì)量區(qū)的扇形區(qū)域sectoroftheFQA合格質(zhì)量區(qū)外環(huán)界定徑向長(zhǎng)度和角度的區(qū)域部分，其中角度范圍為360°/N，N為環(huán)內(nèi)扇區(qū)的數(shù)量。3.186邊緣輪廓部分參數(shù)parameterofanedgeprofilesegment邊緣輪廓部分的參數(shù)（長(zhǎng)度、角度或半徑）。3.187合格質(zhì)量區(qū)fixedqualityarea；FQA優(yōu)質(zhì)固定區(qū)邊緣去除后所限定的晶片表面中心區(qū)域，該區(qū)域內(nèi)各參數(shù)值均應(yīng)符合規(guī)定的要求。注：合格質(zhì)量區(qū)的邊界是距標(biāo)稱(chēng)尺寸的晶片邊緣的所有點(diǎn)。合格質(zhì)為規(guī)定去除區(qū)域，對(duì)有切口、激光標(biāo)志、或處理/夾片裝置接觸晶片的區(qū)域，規(guī)3.188厚度thickness(3.249)通過(guò)晶片上一給定點(diǎn)垂直于表面方向穿過(guò)晶片的距離。注：光伏用方形硅片中也可以硅片上規(guī)定測(cè)試的多點(diǎn)厚度3.189標(biāo)稱(chēng)厚度nominalthickness晶片的規(guī)定目標(biāo)厚度。3.190厚度允許偏差allowablethicknesstolerance（3.3）晶片的中心厚度與標(biāo)稱(chēng)值間的最大允許差。3.191總厚度變化totalthicknessvariation；TTV(3.255)晶片厚度的最大值和最小值間的差。質(zhì)量區(qū)域內(nèi)以相對(duì)較小的間隔對(duì)晶圓進(jìn)行采樣，并將總厚度變化3.192線性厚度變化linearthicknessvariation；LTV(3.142)晶片的正表面和背表面能用兩個(gè)非平行平面表示的晶片厚度變化。3.193非線性厚度變化nonlinearthicknessvariation；NTV(3.168)晶片的宏觀非均勻厚度變化，其剖面近似于凸透鏡或凹透鏡。3.194錐度taper(3.245)平行度parallelism晶片沿某一直徑上的最大厚度變化。3.195平整度f(wàn)latness(3.95)晶片背表面為理想平面時(shí)，晶片正表面相對(duì)于一規(guī)定的基準(zhǔn)面的偏差，以總指示讀數(shù)（TIR）或焦平面偏差（FPD）的最大值表示。晶片的平整度可描述為下面任何一種：a)總平整度b)在所有局部區(qū)域測(cè)量的局部平整度的最大值。c)局部平整度等于或小于規(guī)定值的局部區(qū)域所占的百分?jǐn)?shù)。注：由真空吸盤(pán)將晶片背表面吸附在一個(gè)理想、平坦的吸3.195.1焦平面focalplane(3.95.1)與成像系統(tǒng)的光軸垂直且包含成像系統(tǒng)焦點(diǎn)的平面。3.195.2焦平面偏差focalplanedeviation；FPD晶片表面的一點(diǎn)平行于光軸到焦平面的距離。3.195.3總平整度globalflatness(3.95.3)在合格質(zhì)量區(qū)內(nèi)，相對(duì)于規(guī)定基準(zhǔn)面的總指示讀數(shù)（TIR）或焦平面偏差（FPD）的最大值。3.195.4最大的焦平面偏差maximumFPD(3.95.4)焦平面偏差中絕對(duì)值最大的值。3.195.5百分可用區(qū)域percentusablearea(3.95.5)在合格質(zhì)量區(qū)內(nèi)符合規(guī)定要求的面積比，以百分?jǐn)?shù)表示。注：PUA通常是指符合要求的局部平整度區(qū)域（包括完整的3.195.6基準(zhǔn)面referenceplane(3.95.6)基準(zhǔn)平面由以下的一種方式確定的平面：1.晶片正表面上指定位置的三個(gè)點(diǎn)；2.用合格質(zhì)量區(qū)內(nèi)的所有點(diǎn)對(duì)晶片正表面進(jìn)行最小二乘法擬合；3.用局部區(qū)域內(nèi)的所有的點(diǎn)對(duì)晶片正表面進(jìn)行最小二乘法擬合；4.理想的背面（相當(dāng)于與晶片接觸的理想平坦的吸盤(pán)表面）。3.195.7掃描方向scandirection(3.95.7)在掃描局部平整度計(jì)算中順序掃描次局部區(qū)域的方向。注：局部平整度的掃描方向可能會(huì)影響局部平整度的區(qū)域3.195.8總指示讀數(shù)totalindicatorreading(3.95.13)總指示器偏移totalindicatorrunout；TIR與基準(zhǔn)面平行的兩個(gè)平面之間的最小垂直距離。該兩平面包含了晶片正表面合格質(zhì)量區(qū)內(nèi)或規(guī)定的局部區(qū)域內(nèi)的所有的點(diǎn)。3.195.9局部平整度siteflatness(3.95.11)在合格質(zhì)量區(qū)內(nèi)，一個(gè)局部區(qū)域的總指示讀數(shù)（TIR）或焦平面偏差（FPD）的最大值。3.195.10完整局部區(qū)域fullsite整個(gè)區(qū)域均位于合格質(zhì)量區(qū)之內(nèi)。3.195.11不完整局部區(qū)域partialsite局部區(qū)域的一部分位于合格質(zhì)量區(qū)以外，但其中心在合格質(zhì)量區(qū)內(nèi)。3.195.12掃描局部平整度scannersiteflatness(3.95.8)一個(gè)局部區(qū)域內(nèi)的次局部區(qū)域的TIR或焦平面偏差（FPD）的最大值。注1：一個(gè)次局部區(qū)域的總指示讀數(shù)（TIR）是在合格質(zhì)量區(qū)內(nèi)和局部區(qū)域內(nèi)的這個(gè)次局部區(qū)域的總指示讀數(shù)（TIR）。一個(gè)次局部區(qū)域的最大焦平面偏差（FPD）是在合格質(zhì)量區(qū)內(nèi)和局部區(qū)大焦平面偏差（FPD）?；鶞?zhǔn)面的計(jì)算用到了合格質(zhì)量區(qū)3.195.13局部區(qū)域site(3.95.9)晶片正表面上平行或垂直于主定位邊方向的區(qū)域。3.195.14局部區(qū)域陣列sitearray(3.95.10)一組鄰接的局部區(qū)域。3.195.15局部區(qū)域內(nèi)的次局部區(qū)域subsiteofasite(3.95.12)晶片正表面上的一個(gè)矩形區(qū)域邊長(zhǎng)（Lss×Wss），與一個(gè)特定局部區(qū)域有關(guān)，次局部區(qū)域的中心必須在此局部區(qū)域內(nèi)且矩形的某一部分都在合格質(zhì)量區(qū)內(nèi)或落在合格質(zhì)量區(qū)的邊界上。3.196中位面mediansurface（3.155)與晶片的正表面和背表面等距離點(diǎn)的軌跡。3.197彎曲度bow（3.20）自由無(wú)夾持晶片中位面的中心點(diǎn)與中位面基準(zhǔn)面間的偏離。注：中位面基準(zhǔn)面是由指定的小于晶片標(biāo)稱(chēng)直徑的直徑圓周上的三3.198翹曲度warp(3.268)在質(zhì)量合格區(qū)內(nèi)，一個(gè)自由的，無(wú)夾持的晶片中位面相對(duì)參照平面的最大和最小距離之差。3.199峰-谷差sori(3.231)晶片在無(wú)吸盤(pán)吸附的狀態(tài)下，正表面與基準(zhǔn)面的最大正偏差和最小負(fù)偏差之間的差值?；鶞?zhǔn)面是對(duì)正面進(jìn)行最小二乘法擬合得到的。3.200形狀shape(3.220)當(dāng)晶片處于無(wú)夾持狀態(tài)時(shí)，該晶片表面相對(duì)于特定基準(zhǔn)面的偏差。表示為在規(guī)定的合格質(zhì)量區(qū)內(nèi)的總指示讀數(shù)（TIR）范圍或最大的基準(zhǔn)面偏差（RPD）。3.201偏移(晶圓片上平面的端面區(qū)域)offset(oftheendregionofaflatonasiliconwafer)用于定義平面邊界的平面兩端與水平基準(zhǔn)線的垂直偏差。3.202顆粒particle(3.179)不連續(xù)地附著到晶片上的微小的、分立的外來(lái)物質(zhì)。3.202.1掃描表面檢查系統(tǒng)scanningsurfaceinspectionsystemSSIS（3.28.1）用于快速檢測(cè)晶片表面合格質(zhì)量區(qū)內(nèi)表面缺陷的設(shè)備。注1：掃描表面檢查系統(tǒng)可以檢測(cè)如：局部光散射體（顆粒）、劃傷、橘皮、波紋、霧及晶注2：掃描表面檢查系統(tǒng)也稱(chēng)為顆粒計(jì)數(shù)器particlecounter或激光表面掃描儀lasersurfac3.202.2俘獲率capturerate；CR掃描表面檢查系統(tǒng)（SSIS）在確定的設(shè)置下運(yùn)行時(shí)，其檢測(cè)到的局部光散射體（LLS）的乳膠球當(dāng)量（LSE）信號(hào)的概率。3.202.3累計(jì)虛假計(jì)數(shù)率.cumulativefalsecountrate；CFCR在掃描表面檢查系統(tǒng)設(shè)置運(yùn)行時(shí)，由掃描表面檢查系統(tǒng)報(bào)告的乳膠球當(dāng)量直徑尺寸等于或大于局部光散射體尺寸（Si）的虛假計(jì)數(shù)在多次（Z次）掃描中的總數(shù)平均值。3.202.4用于SSIS校準(zhǔn)的沉積物depositionforcalibratinganSSIS在參考晶片表面已知位置上沉積的具有已知尺寸分布及已知數(shù)量的參考球，也稱(chēng)為聚苯乙烯乳膠球。3.202.5用于SSIS校準(zhǔn)的沉積物的沉積工藝depositionprocessforcalibratinganSSIS將參考球放置在用于校準(zhǔn)SSIS的參考晶片上的程序。3.202.6動(dòng)態(tài)方法dynamicmethod在2級(jí)變化率的條件下進(jìn)行測(cè)試的方法。注：連續(xù)掃描期間，被測(cè)晶片每次都需要重新裝載到掃描表面檢查系3.202.7動(dòng)態(tài)范圍dynamicrange在測(cè)試條件設(shè)定的情況下，掃描表面檢查系統(tǒng)可收集信號(hào)的覆蓋范圍。3.202.8等效尺寸準(zhǔn)確度equivalentsizingaccuracy在拋光片上沉積具有特定標(biāo)稱(chēng)尺寸的單個(gè)分散的聚苯乙烯乳膠球（PLS測(cè)量乳膠球直徑尺寸的分布變化系數(shù)與由供應(yīng)商所提供的乳膠球的標(biāo)稱(chēng)尺寸分布的變化系數(shù)之比。3.202.9延伸光散射體extendedlightscattererXLS（0）在晶片表面或內(nèi)部一種大于檢查設(shè)備空間分辨率的特征，其導(dǎo)致了相對(duì)于周?chē)砻婀馍⑸鋸?qiáng)度的增加，通常在高強(qiáng)度光照射下目視可見(jiàn)。3.202.10虛假計(jì)數(shù)falsecount；FC由設(shè)備原因引起的，而不是來(lái)自晶片表面或近表面的激光光散射現(xiàn)象的發(fā)生。也稱(chēng)為正向虛假計(jì)數(shù)或正向誤報(bào)計(jì)數(shù)。3.202.11虛假計(jì)數(shù)率falsecountrate；FCR在掃描表面檢查系統(tǒng)(SSIS)設(shè)置運(yùn)行時(shí)，由掃描表面檢查系統(tǒng)(SSIS)報(bào)告每個(gè)晶片上的總虛假計(jì)數(shù)的平均值。3.202.12激光光散射現(xiàn)象laserlight-scatteringevent（3.28.2）超出預(yù)置閾值的一個(gè)信號(hào)脈沖，該信號(hào)是由探測(cè)器接收到的激光束與晶片表面局部光散射體相互作用產(chǎn)生的。3.202.13局部光散射體localizedlight-scatterer；LLS（3.28.3）晶片表面上的一種孤立的離散特征，如顆粒或凹坑等，將導(dǎo)致相對(duì)于周?chē)A片表面的光散射強(qiáng)度增加。3.202.14乳膠球當(dāng)量latexsphereequivalence；LSE（3.28.5）用一個(gè)乳膠球的直徑來(lái)表示一個(gè)局部光散射體（LLS）的尺寸單位，該乳膠球與局部光散射體（LLS）具有相同光散射量。3.202.15漏掉的計(jì)數(shù)missingcount在掃描表面檢查系統(tǒng)（SSIS）中，LLS不能產(chǎn)生激光散射事件的情況。3.202.17變化率級(jí)別levelvariability提供程序?qū)呙璞砻鏅z查系統(tǒng)進(jìn)行校準(zhǔn)和調(diào)節(jié)，用不同等級(jí)的變化率來(lái)描述其性能水平:1級(jí)變化率：也稱(chēng)為可重復(fù)性，在n次測(cè)試期間，測(cè)試晶片不被從測(cè)試系統(tǒng)上取下，其對(duì)應(yīng)的標(biāo)準(zhǔn)偏差為σ1；2級(jí)變化率：校準(zhǔn)一次后，在同樣的測(cè)試條件下，在盡可能短的時(shí)間內(nèi)對(duì)晶片重復(fù)測(cè)試n次，且每次都需要裝載和取出晶片,其對(duì)應(yīng)的標(biāo)準(zhǔn)偏差為σ2；3級(jí)變化率：在1級(jí)和2級(jí)變化率規(guī)定的條件下，每天進(jìn)行n次測(cè)量，共進(jìn)行5天，其對(duì)應(yīng)的標(biāo)準(zhǔn)偏差為σ3。3.202.18匹配公差matchingtolerance在3級(jí)變化率的條件下，應(yīng)用測(cè)量系統(tǒng)分析（MSA）分別確定兩個(gè)同一種類(lèi)測(cè)試系統(tǒng)的偏倚差值。注：如果對(duì)每個(gè)系統(tǒng)給出一個(gè)穩(wěn)定、確定的偏倚，并且如果每個(gè)系統(tǒng)有可接受的線性，則兩個(gè)偏倚相減可獲得設(shè)備的3.202.19乳膠球的標(biāo)稱(chēng)尺寸分布nominalspheresizedistribution用于校準(zhǔn)掃描表面檢查系統(tǒng)(SSIS)的一種特定標(biāo)稱(chēng)尺寸的聚苯乙烯乳膠球（PLS）的直徑在懸浮液中的分布狀況。3.202.20討厭的計(jì)數(shù)nuisancecount；SSIS在掃描表面檢查系統(tǒng)（SSIS）中，由被研究的局域光散射體以外的離散或面積表面或近表面特征產(chǎn)生的信號(hào)脈沖。注：不是真實(shí)的計(jì)數(shù)，取決于閾值和增益設(shè)置，也可能是SSIS的光學(xué)結(jié)構(gòu)、晶圓表3.202.21聚苯乙烯乳膠球polystyrenelatexsphere；PLS校準(zhǔn)掃描表面檢查系統(tǒng)(SSIS)所用的參考樣片上沉積的單個(gè)分散的聚苯乙烯材料乳膠球,常記為PLS。3.202.22定位準(zhǔn)確度positionalaccuracy由掃描表面檢查系統(tǒng)(SSIS)報(bào)告的來(lái)自于晶片上的局部光散射體（LLS）與其在晶片表面上真實(shí)位置的偏差。3.202.23參考球referencespheresforcalibratinganSSIS用于校準(zhǔn)SSIS的參考片上沉積的具有已知直徑、直徑分布和折射率的球形顆粒。3.202.24參考片（校準(zhǔn)SSIS用）referencewafer（forcalibratinganSSIS）其表面與經(jīng)校正的SSIS檢驗(yàn)的晶圓相同，一個(gè)或多個(gè)參考球沉積其上，且具有指定的材料和直徑分布，并已被證明具有指定峰值直徑不確定性的無(wú)圖形晶片。3.202.25重復(fù)計(jì)數(shù)repeatcountsofanSSIS在掃描儀XY不確定距離內(nèi)的后續(xù)掃描中發(fā)現(xiàn)的LLSs，其位置與在早期掃描中發(fā)現(xiàn)的相同。3.202.26掃描表面檢查系統(tǒng)的X-Y不確定度scannerXYuncertainty,ofanSSIS在可重復(fù)性條件下確定的由SSIS在檢測(cè)中報(bào)告的X和Y位置的1。標(biāo)準(zhǔn)差的平方和的平方根。3.202.27靜態(tài)方法staticmethod在1級(jí)變化率的條件下進(jìn)行測(cè)試的方法。注：掃描期間，被測(cè)晶片不被從掃描表面檢查系統(tǒng)（SS3.202.28閾值threshold掃描表面檢查系統(tǒng)中設(shè)置的最小檢測(cè)信號(hào)的起始水平。3.202.29由表面形貌（微粗糙度）及表面或近表面高濃度的不完整性引起的非定向光散射現(xiàn)象。注：霧是由一群不完整性的存在引起的群體效果；引起霧的個(gè)別的這種類(lèi)型的不完整性學(xué)檢測(cè)系統(tǒng)很容易的辨別。對(duì)于SSIS，霧可引起本底信號(hào)及激光光散射現(xiàn)象，它和來(lái)自兩者共同組成信號(hào)，霧是由光學(xué)系統(tǒng)收集的、由入射通量歸一化的總散射光通量3.203潔凈包裝cleanpackage用專(zhuān)用的運(yùn)輸片盒進(jìn)行拋光片、外延片、SOI等晶片的包裝，使其在運(yùn)輸、存儲(chǔ)過(guò)程中避免顆粒、金屬及有機(jī)物對(duì)片盒中晶片的沾污。3.204潔凈區(qū)denudedzone(3.56)位于硅片正表面的一個(gè)特定區(qū)域，其中的氧濃度下降到一個(gè)比較低的水平，導(dǎo)致體微缺陷密度（氧沉淀）的減少。3.205標(biāo)準(zhǔn)機(jī)械接口系統(tǒng)standardmechanicalInterface；SMIF自動(dòng)化機(jī)械裝置，是自動(dòng)物料搬運(yùn)系統(tǒng)的三個(gè)組成部分（存儲(chǔ)系統(tǒng)、搬運(yùn)系統(tǒng)和整體系統(tǒng)控制軟件）中的一部分。[來(lái)源：GB/T19921]3.206激光刻字lasermarking利用激光把供方代碼和其他信息刻于晶片某一位置的標(biāo)記。3.207相鄰字符未對(duì)準(zhǔn)度adjacentcharactermisalignmentRadj同一行兩個(gè)相鄰字符的字符基線之間的垂直距離。3.208字符間距characterspacing晶片表面激光刻字中相鄰字符的字符中心線之間的水平距離。3.209字符窗口characterwindow晶片表面激光刻字中將所有字符都包含在內(nèi)的矩形窗口。3.210行字符未對(duì)準(zhǔn)度linespacingmisalignment晶片表面激光刻字中同一行最高和最低字符的基線之間的垂直距離。3.211鍺精礦germaniumconcentrate指鍺礦或含鍺的鉛鋅礦經(jīng)過(guò)火法或濕法提取富集鍺后的鍺富集物，按來(lái)源不同分為兩大類(lèi)9個(gè)品級(jí)，因生產(chǎn)工藝不同，鍺含量范圍一般在1.0%-60.0%，是生產(chǎn)粗四氯化鍺的主要原料。3.212水解（鍺）hydrolysis（germanium）將高純四氯化鍺置于水解反應(yīng)釜內(nèi)，加入7等份左右體積的去離子水，控制反應(yīng)條件經(jīng)水解反應(yīng)后生成二氧化鍺的過(guò)程，再經(jīng)過(guò)濾烘干后得到高純二氧化鍺。3.213粗四氯化鍺lowpuritygermaniumchloride采用鍺精礦為原料，經(jīng)過(guò)鹽酸浸出，氧化蒸餾分離后得到的初級(jí)四氯化鍺產(chǎn)品，其純度一般在95-99%，是生產(chǎn)高純四氯化鍺的原料。3.214高純四氯化鍺highpuritygermaniumtetrachloride粗四氯化鍺經(jīng)提純后得到的高純鍺的氯化物。注：用于生產(chǎn)高純二氧化鍺，有機(jī)鍺，以及作為生產(chǎn)光3.215高純二氧化鍺highpuritygermaniumdioxide高純四氯化鍺經(jīng)過(guò)水解反應(yīng)后得到的產(chǎn)物，是鍺的一個(gè)重要化合物。注：可用于化學(xué)催化劑，生產(chǎn)金屬鍺，有機(jī)鍺，3.216還原鍺錠reductionofIngotGermanium將高純二氧化鍺通過(guò)氫氣還原得到的高純金屬鍺錠。3.217區(qū)熔鍺錠germaniumingotmeltedinzone以純度為4-5N的還原鍺錠為原料，通過(guò)區(qū)熔提純后得到的高純鍺金屬，23。C的電阻率為47Ω.cm。3.218退火annealing（3.6）改變晶片或晶棒特性的熱過(guò)程。注：根據(jù)需要有不同的退火工藝。如：硅單晶和砷化鎵的消除氧施主退3.219硅退火片annealedsiliconwafer（3.7）在惰性氣氛或減壓氣氛下，通過(guò)高溫退火致使近表面形成一個(gè)潔凈區(qū)（無(wú)COP缺陷)的硅片。注：根據(jù)退火工藝不同，常用的有氬氣退火硅片（argonannealedwafer3.11）、氫氣退火硅片（hydrogenannealedwafer3.121）3.220熱過(guò)程監(jiān)控片furnaceandthermalprocesseswafer(3.103)用于評(píng)估熱過(guò)程工藝中金屬沾污的晶片。3.221黑硅硅片blacksiliconwafer采用金屬輔助刻蝕或反應(yīng)離子刻蝕等技術(shù)，在光伏用硅片表面形成亞微米或納米尺寸的絨面結(jié)構(gòu)，用以增強(qiáng)硅片表面的陷光性能，使得表面在宏觀上呈現(xiàn)黑色或暗黑色外觀的硅片。3.222直接硅片directsiliconwafer通過(guò)控制熔化的硅熔體表層溫度梯度，使硅熔體在表層結(jié)晶，用模具形成特定厚度的多晶硅薄片后，采用激光切割等技術(shù)裁切成特定尺寸而形成的光伏用硅片。3.223擋片dummywafer假片為了穩(wěn)定氣流和平衡爐管溫度而在爐管中放置擋片，或者在機(jī)臺(tái)啟動(dòng)以及恢復(fù)過(guò)程中為了暖機(jī)使用擋片。注：假片是為區(qū)別于正式正片（primew3.224粒子計(jì)數(shù)片particlecountingwafer（3.181改）用于評(píng)估由工藝引起顆粒增加的晶片。3.225監(jiān)控片monitorwafer測(cè)試片testwafer(3.199)應(yīng)用于半導(dǎo)體器件生產(chǎn)過(guò)程中進(jìn)行參數(shù)監(jiān)控、評(píng)估或監(jiān)控機(jī)臺(tái)穩(wěn)定性和重復(fù)性的片子。針對(duì)不同的監(jiān)控或測(cè)試目的又可分為工藝測(cè)試片、機(jī)械測(cè)試片、原始測(cè)試片、顆粒監(jiān)控片等。3.226回收片reclaimedwafer(3.205)為了繼續(xù)利用被重新處理的晶片。注：回收片僅在一定條件下被使用，重新處理不一定能3.227參考片referencewafer經(jīng)過(guò)定值確認(rèn)的，用于測(cè)量設(shè)備的日常校準(zhǔn)或控制的樣品或樣片。3.228典型片representativewafer為測(cè)量晶片幾何參數(shù)時(shí)利用翻轉(zhuǎn)的方法進(jìn)行重力校正的代表性晶片。典型片應(yīng)與被測(cè)晶片具有完全相同的標(biāo)稱(chēng)直徑、標(biāo)稱(chēng)厚度、基準(zhǔn)結(jié)構(gòu)和結(jié)晶取向。3.229制絨硅片texturedsiliconwafer經(jīng)過(guò)絨面加工處理的光伏用硅片。3.230工業(yè)硅siliconmetal；metallurgicalsilicon金屬硅冶金硅由石英石和炭在電爐內(nèi)冶煉而成，主成分硅元素的含量在98%以上，主要用作多晶硅、冶煉及有機(jī)硅合金生產(chǎn)的原料。3.231致密多晶硅densepolysilicon晶粒結(jié)合均勻、致密、無(wú)孔洞的多晶硅，也稱(chēng)為致密料。3.232硅多晶控制棒controlrod棒。從具有均勻沉積層的多晶硅棒上鉆取多個(gè)沉積層樣芯，定期對(duì)樣芯加以腐蝕、區(qū)熔和分析，以監(jiān)測(cè)樣品制備、腐蝕和區(qū)熔工藝的潔凈度。3.233顆粒硅granularsilicon用硅烷流化床法（FBR）生產(chǎn)出來(lái)的一種顆粒狀多晶硅。3.234硅多晶沉積層growthlayerofpolysiliconrod在硅芯上沉積生長(zhǎng)的硅。3.235菜花狀多晶硅popcornpolysilicon珊瑚狀多晶硅多晶硅宏觀表面顆粒致密程度的描述?？煞譃橹旅芰?、菜花料、珊瑚料；也稱(chēng)為米花狀多晶硅。3.236多孔硅poroussilicon具有納米或亞微米級(jí)別孔型結(jié)構(gòu)表面的硅片，可通過(guò)在HF溶液中對(duì)硅片進(jìn)行電化學(xué)陽(yáng)極腐蝕等方法制備。3.237硅芯seedrod用以提供多晶沉積的基體小直徑硅棒。3.238籽晶seedcrystal具有與所生長(zhǎng)目標(biāo)晶體相同晶向的小晶體。注：用不同晶向的籽晶做晶種，將會(huì)獲得不同晶向的單晶，在單晶生長(zhǎng)中3.239低溫成核層nucleationlayer通過(guò)低溫沉積和高溫退火再結(jié)晶形成晶核，從而獲得利于后續(xù)晶體外延生長(zhǎng)的單晶薄層。3.240自然氧化層nativeoxide(3.166)在空氣或清潔溶液中，拋光片或外延片上形成的氧化層。3.241熱生長(zhǎng)的氧化物thermallygrownoxide(3.250)在含氧氣氛的熱工藝中沉積或生長(zhǎng)的氧化物。3.242鈍化passivation通過(guò)熱氧化或氣相沉積的方法，在晶片表面形成一層氧化層或氮化層，使其表面懸掛鍵達(dá)到飽和狀態(tài)，以降低少數(shù)載流子在表面快速?gòu)?fù)合目的工藝。3.243永久反轉(zhuǎn)層permanentinversionlayerC-V曲線上最小傾角的區(qū)域，由界面電荷或表面條件引起的異常情況，它的存在阻礙了電容最小值的正確確定。3.244粗糙度roughness(3.211.0)間距更小的表面織構(gòu)的分量。與波紋(waviness)比較，表面結(jié)構(gòu)是那種彼此更窄間距的組織構(gòu)成。這些分量被認(rèn)為是在空間波長(zhǎng)（或頻率）限定的范圍內(nèi)。3.244.1平均粗糙度averageroughness(3.211.1)Ra在求值長(zhǎng)度內(nèi)相對(duì)于中間線來(lái)說(shuō)，表面輪廓高度偏差Z(x)的平均值。3.244.2峭度（分布曲線中的高峰程度）kurtosis(3.211.2)Rku在求值長(zhǎng)度內(nèi)，相對(duì)于中間線的表面輪廓高度偏差Z(x)的直方圖，其銳度的測(cè)量。一個(gè)完整的隨機(jī)表面將有一個(gè)高斯分布的直方圖和Rku=3。3.244.3表面織構(gòu)主方向lay(3.211.3)表面織構(gòu)起主要作用的方向。注：雖然硅拋光片的織構(gòu)通常是各向同性的，但用原子力顯微鏡檢驗(yàn)時(shí)，某些外延片表3.244.4微粗糙度microroughness(3.211.4)在不規(guī)則物（空間波長(zhǎng)）之間的間隔小于100μm時(shí)的表面粗糙度分量。3.244.5峰到谷差peaktovalleyRt(3.211.5)在一個(gè)求值長(zhǎng)度L內(nèi)，相對(duì)于中間線表面輪廓最高點(diǎn)至最低點(diǎn)的高度偏差Z(x)值。3.244.6均方根區(qū)域微粗糙度rmsareamicroroughnessRqA(3.211.6)在求值區(qū)域內(nèi)，相對(duì)于中間面的表面形貌偏差Z(x)的均方根值。3.244.7均方根微粗糙度rmsmicroroughness(3.211.7)Rq在取值長(zhǎng)度L內(nèi)，相對(duì)中間線的表面剖面(輪廓)高度偏差Z(x)的均方根。3.244.8均方根斜率rmsslopemq(3.211.8)在求值長(zhǎng)度L內(nèi)，輪廓偏差變化速率的均方根值。3.244.9非對(duì)稱(chēng)性(分布不均)skewness(3.211.9)Rsk對(duì)于中心線,一個(gè)表面Z(x，y)的表面形貌偏差的一種不對(duì)稱(chēng)性的測(cè)量。一個(gè)完美的隨機(jī)表面應(yīng)有Rsm=0。3.244.10表面織構(gòu)surfacetexture(3.211.10)真實(shí)表面與基準(zhǔn)表面的形貌偏差。表面織構(gòu)包括粗糙度、波紋和織構(gòu)主方向（lay）。3.244.11十點(diǎn)粗糙度高度tenpointroughnessheightRz(3.211.11)在求值長(zhǎng)度（根據(jù)ISO4271/1）內(nèi)，相對(duì)中間線，5個(gè)最高輪廓峰高度的絕對(duì)值和5個(gè)最低輪廓谷深度的絕對(duì)值的平均值。3.244.12納米形貌nanotopography硅片表面的納米形貌nanotopographyofawafersurface(3.164)硅片表面的納米拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)nanotopologyofawafersurface（3.165）在近似0.2mm～20mm空間波長(zhǎng)范圍內(nèi)一個(gè)表面不平整的偏差。3.244.13表面波紋度surfacewaviness由間距比粗糙度大得多的、隨機(jī)的或接近周期形式的成分構(gòu)成的表面不平度。3.244.14波紋取樣長(zhǎng)度wavinesssamplinglenghw用于判別波紋度輪廓的不規(guī)則特征的X軸方向上的長(zhǎng)度。它等于長(zhǎng)波截止波長(zhǎng)λi在這段長(zhǎng)度上確定波紋度參數(shù)。3.244.15波紋評(píng)定長(zhǎng)度wavinessevaluationlengtha用于評(píng)定波紋度輪廓的X軸方向上的長(zhǎng)度，包括一個(gè)或幾個(gè)取樣長(zhǎng)度。3.244.16波紋度輪廓偏距wavinessprofiledepartureZ（x）波紋度輪廓上的點(diǎn)與波紋度中線之間的距離。3.244.17波紋waves(3.269)在大面積漫散射照明下，目視可見(jiàn)的晶片表面的不平坦輪廓。3.244.18波動(dòng)度waviness(3.270)由于機(jī)器或工件的偏離、振動(dòng)和顫動(dòng)產(chǎn)生的較寬間隔的表面織構(gòu)分量。3.245表面光澤度surfaceglossiness在規(guī)定的光源和接收器張角的條件下，樣品在鏡面反射方向的反射光光通量與標(biāo)準(zhǔn)陶瓷板樣品在該鏡面反射方向的反射光通量之比。單位是Gs（光澤單位）。注：光澤度通常以數(shù)值表示，也有可用百分?jǐn)?shù)表示的：即以正面為100%，其背面為正面3.246絨面texturesurface為增強(qiáng)光伏用硅片表面陷光性能，通過(guò)刻蝕等工藝手段形成的具有微小起伏結(jié)構(gòu)的硅片表面。3.247正金字塔絨面pyramidtexturesurface光伏用（100）晶向的硅片在堿腐蝕過(guò)程中，由于在（100）面上腐蝕速度高于（111）面，形成四周為（111）面，底面為（100）面的塔結(jié)構(gòu)絨面。3.248倒金字塔絨面Invertedpyramidtexturesurface通過(guò)擇優(yōu)腐蝕或金屬離子誘導(dǎo)刻蝕的技