太陽電池發(fā)電原理、結(jié)構(gòu)與分類Rena

inOxcide結(jié)構(gòu)與功能典型后清洗設(shè)備介紹典型設(shè)備介紹RENA-inOxside清洗設(shè)備注：前、后清洗設(shè)備外觀相同，內(nèi)部構(gòu)造和作用原理稍有不同RENAINOXCIDE結(jié)構(gòu)與功能RENAInOxSide后清洗設(shè)備的主體分為以下七個(gè)槽，此外還有滾輪、排風(fēng)系統(tǒng)、自動(dòng)及手動(dòng)補(bǔ)液系統(tǒng)、循環(huán)系統(tǒng)和溫度控制系統(tǒng)等。EtchbathRinse1AlkalineRinseRinse2HFbathRinse3Dryer2后清洗工藝步驟：邊緣刻蝕→堿洗→酸洗→吹干EtchbathRinse1AlkalineRinseRinse2HFbathRinse3Dryer2Etch(Process)bath：刻蝕槽，用于邊緣刻蝕。所用溶液為HF+HNO3+H2SO4作用：邊緣刻蝕，除去邊緣PN結(jié)，使電流朝同一方向流動(dòng)。注意：擴(kuò)散面須向上放置，H2SO4的作用主要是增大液體浮力，使硅片很好的浮于反應(yīng)液上（僅上邊緣2mm左右和下表面與液體接觸）。AlkalineRinse：堿洗槽。所用溶液為KOH作用：中和前道刻蝕后殘留在硅片表面的酸液。EtchbathRinse1AlkalineRinseRinse2HFbathRinse3Dryer2HFBath：HF酸槽。所用溶液為HF作用:(1)中和前道堿洗后殘留在硅片表面的堿液；

(2)去PSG;(HF可去除硅片表面氧化層（SiO2），形成疏水表面，便于吹干；

)EtchbathRinse1AlkalineRinseRinse2HFbathRinse3Dryer2EtchbathRinse1AlkalineRinseRinse2HFbathRinse3Dryer2Rinse1~3：水洗槽，水洗槽與槽之間相互聯(lián)通。水洗槽中液面高度Rinse3＞Rinse2＞Rinse1。進(jìn)水口在Rinse3處。Dryer1和Dryer2為風(fēng)刀，通過調(diào)節(jié)風(fēng)刀的角度和吹風(fēng)的壓力，使硅片被迅速吹干。滾輪分三段設(shè)定速度，其中converyor1≤converyor2≤converyor3，否則前快后慢，易在設(shè)備中因?yàn)榀B片而造成碎片。滾輪速度（即制絨時(shí)間）根據(jù)需要的腐蝕深度來進(jìn)行設(shè)置，生產(chǎn)過程中可根據(jù)測(cè)試結(jié)果來進(jìn)行滾輪速度修正。一般滾輪速度慢，則反應(yīng)時(shí)間增加，腐蝕深度加深，反之亦然。(注:前清洗速度最好不要超過1.2m/min，速度過快，一方面硅片清洗或吹不干凈，擴(kuò)散容易出現(xiàn)藍(lán)黑點(diǎn)片；另一方面碎片高，有時(shí)碎片會(huì)堵住噴淋口，清洗后出現(xiàn)臟片。此外，滾輪速度也不可太慢，否則影響產(chǎn)量。)

補(bǔ)液:

自動(dòng)補(bǔ)液：當(dāng)腐蝕深度控制在4.4±0.4μm范圍內(nèi)時(shí)，硅片的腐蝕重量約為0.3g/片，通過感應(yīng)器計(jì)數(shù)，當(dāng)跑片達(dá)到一定量時(shí)，機(jī)器自動(dòng)對(duì)刻蝕槽進(jìn)行補(bǔ)液,其中HF量為0.05±0.005kg、HNO3量為0.05±0.005kg。

手動(dòng)補(bǔ)液：根據(jù)實(shí)際硅片的腐蝕情況，有時(shí)需要進(jìn)行手動(dòng)補(bǔ)液。通常每次補(bǔ)液量如下：

ReplenishmentEtchbath:HF9.000L

HNO36.000L

ReplenishmentAlkaline:KOH2.000L

ReplenishmentAcidic:HCl4.000L

HF2.000L

也可根據(jù)實(shí)際情況減少或增加手動(dòng)補(bǔ)液量。但用量比例按照上述之比例，補(bǔ)藥過程一般不建議加入DIwater。當(dāng)刻蝕深度不夠時(shí)，只對(duì)Etchbath進(jìn)行手動(dòng)補(bǔ)液，補(bǔ)液量根據(jù)實(shí)際腐蝕情況確定，但一般情況下補(bǔ)液過程不建議加硫酸和去離子水（加硫酸易導(dǎo)致刻蝕槽溫度升高，刻蝕后硅片邊緣發(fā)黑）。當(dāng)硅片表面有大量酸殘留，形成大面積黃斑，或者硅片邊緣發(fā)黑時(shí)，需要對(duì)KOH進(jìn)行手動(dòng)補(bǔ)液。當(dāng)硅片經(jīng)過風(fēng)刀吹不干，則可能硅片表面PSG未被洗凈，此時(shí)可適當(dāng)補(bǔ)充HF酸。

后清洗補(bǔ)液原則后清洗工序工藝要求后清洗出來的片子，不允許用手摸片子的表面。收片員工只允許接觸片子的邊緣進(jìn)行裝片。并且要勤換手套，避免PECVD后出現(xiàn)臟片！每批片子的腐蝕重量和絕緣電阻都要檢測(cè)。

1.要求每批測(cè)量4片。

2.每次放測(cè)量片時(shí)，把握均衡原則。如第一批把測(cè)試片放1.3.5.7道，下一批則放2.4.6.8道，便于監(jiān)控設(shè)備穩(wěn)定性和溶液的均勻性。生產(chǎn)沒有充足的片子時(shí)，工藝要求：

1.如果有1小時(shí)以上的停機(jī)，要將刻蝕槽的藥液排到tank，減少藥液的揮發(fā)。

2.停機(jī)后15分鐘用水槍沖洗堿槽噴淋及風(fēng)刀，防止酸堿形成的結(jié)晶鹽堵塞噴淋口及風(fēng)刀。

3.停機(jī)1小時(shí)以上，要在開啟機(jī)器生產(chǎn)前半小時(shí)用水槍沖洗風(fēng)刀處的滾輪，杜絕做出來的片子有滾輪印！后清洗到PECVD的產(chǎn)品時(shí)間最長(zhǎng)不能超過4小時(shí),時(shí)間過長(zhǎng)硅片會(huì)污染氧化，從而影響產(chǎn)品的電性能及效率.刻蝕槽液面的注意事項(xiàng)：正常情況下液面均處于綠色，如果一旦在流片過程中顏色改變，立即通知工藝人員。后清洗常見故障原因及解決方法表面過刻大于兩毫米a觀察速度是否小于0.7m/min，如果小于此參數(shù)，需要添加藥液提高速度。添加時(shí)以3升HNO3，1升HF為一個(gè)單位進(jìn)行補(bǔ)液。水在這臺(tái)設(shè)備中不建議加入。所以補(bǔ)液時(shí)需要小劑量進(jìn)行補(bǔ)液，否則如果補(bǔ)液過多導(dǎo)致異常，十分麻煩。b通知放片時(shí)盡量將片子靠近些，降低液面高度，但是需要注意疊片c將流量降低，降低液面高度，但是需要觀察片子是否能與溶液充分接觸。d將窗戶打開一些調(diào)節(jié)排風(fēng)e添加藥液調(diào)節(jié)溶液濃度。硅片邊緣顏色發(fā)黑堿濃度不夠，添加堿溶液（單補(bǔ)１L堿）硅片表面有大面積黃斑觀察堿槽溶液是否在循環(huán)，若沒有循環(huán)，手動(dòng)打開循環(huán)非擴(kuò)散面有較重滾輪印a增加流量，但需注意過刻（以一個(gè)流量為單位）b通知工藝技術(shù)員或工程師添加藥液，提高液面刻蝕深度不穩(wěn)定a觀察來片是否有異常，或者來片一批中是否是不同晶棒組成，因?yàn)椴煌钠訒?huì)對(duì)應(yīng)不同的刻蝕速率。b查看溶液顏色，正常的顏色