晶體三極管又稱雙極型晶體管(BJT)，一般由兩個背靠背的PN結構成，根據這兩個PN結的排列方式不同，三極管分為NPN型和PNP型兩種。NPN型CPNNEB發射區集電區基區基極發射極集電極集電結發射結PNP型NPPEB基區發射結集電結集電區發射區集電極C發射極基極BETCNPNBETCPNP晶體三極管又稱雙極型晶體管(BJT)，一般由兩個晶體三極管和晶體二極管一樣都是非線性器件，它的主要特性與其工作模式有關。晶體三極管有三種工作模式：放大模式飽和模式截止模式晶體三極管和晶體二極管一樣都是非線性器件，晶體三極管2.2放大模式下的工作原理放大模式是指晶體管工作在發射結正偏、集電結反偏的模式。這時它呈現的主要特性是正向受控作用，即三極管的集電極電流和發射極電流只受正偏發射結電壓的控制，而幾乎不受反偏集電結電壓的控制。這種作用是實現放大器的基礎。2.2放大模式下的工作原理放大模式是指晶體2.2.1三極管的放大作用和載流子的運動以NPN型三極管為例討論圖1.3.4三極管中的兩個PN結cNNPebbec表面看三極管若實現放大，必須從三極管內部結構和外部所加電源的極性來保證。不具備放大作用2.2.1三極管的放大作用和載流子的運動以NPN型三極三極管內部結構要求：

1.發射區高摻雜。2.基區做得很薄。通常只有幾微米到幾十微米，而且摻雜較少。

三極管放大的外部條件：外加電源的極性應使發射結處于正向偏置狀態，而集電結處于反向偏置狀態。3.集電結面積大。三極管內部結構要求：1.發射區高摻雜。2.基區做得很becRcRb三極管中載流子運動過程IEIB

1.發射發射區的電子越過發射結擴散到基區，基區的空穴擴散到發射區—形成發射極電流

IE

(基區多子數目較少，空穴電流可忽略)。

2.復合和擴散電子到達基區，少數與空穴復合形成基極電流Ibn，復合掉的空穴由VBB補充。多數電子在基區繼續擴散，到達集電結的一側。圖1.3.5三極管中載流子的運動becRcRb三極管中載流子運動過程IEIB1.發射becIEIBRcRb三極管中載流子運動過程

3.收集集電結反偏，有利于收集基區擴散過來的電子而形成集電極電流

Icn。其能量來自外接電源VCC。IC

另外，集電區和基區的少子在外電場的作用下將進行漂移運動而形成反向飽和電流，用ICBO表示。ICBO圖1.3.5三極管中載流子的運動becIEIBRcRb三極管中載流子運動過程3.收beceRcRb三極管的電流分配關系IEpICBOIEICIBIEnIBnICnIC=ICn+ICBO

IE=ICn+IBn+IEp

=IEn+IEp一般要求ICn在IE中占的比例盡量大。而二者之比稱共基直流電流放大系數，即一般可達0.95~0.99beceRcRb三極管的電流分配關系IEpICBOIEI三個極的電流之間滿足節點電流定律，即IE=IC+IB代入(1)式，得其中：共射直流電流放大系數。三個極的電流之間滿足節點電流定律，即IE=IC+IB上式中的后一項常用ICEO表示，ICEO稱穿透電流。當ICEO<<IC時，忽略ICEO，則由上式可得共射直流電流放大系數近似等于IC與IB之比。一般值約為幾十~幾百。上式中的后一項常用ICEO表示，ICEO稱穿透電流。當三極管的電流分配關系一組三極管電流關系典型數據IB/mA-0.00100.010.020.030.040.05IC/mA0.0010.010.561.141.742.332.91IE/mA00.010.571.161.772.372.961.任何一列電流關系符合IE=IC+IB，IB<IC<IE,IC

IE。

2.當IB有微小變化時，

IC較大。說明三極管具有電流放大作用。

3.

共射交流電流放大系數共基交流電流放大系數三極管的電流分配關系一組三極管電流關系典型數據IB/mAIB/mA-0.00100.010.020.030.040.05IC/mA0.0010.010.561.141.742.332.91IE/mA00.010.571.161.772.372.964.在表的第一列數據中，IE=0時，IC=0.001mA=ICBO，ICBO稱為集電結反向飽和電流。

在表的第二列數據中，IB=0，IC=0.01mA=ICEO，稱為穿透電流。IB/mA-0.0010根據

和

的定義，以及三極管中三個電流的關系，可得故

與

兩個參數之間滿足以下關系：直流參數與交流參數

、

的含義是不同的，但是，對于大多數三極管來說，

與，

與的數值卻差別不大，計算中，可不將它們嚴格區分。根據和的定義，以及三極管中三個電流的關系，可2.2.2.三極管的電流放大作用

從三極管中載流子的運動情況可知，我們只要在制造上將基區做得很薄，摻雜濃度又低，那么從發射區擴散過來的電子將絕大部分越過基區流向集電極，形成集電極電流IC，只有很小一部分流向基極形成基極電流IB，三極管在制成以后，IC和IB的比例基本保持一定。因此我們可以通過改變IB的大小控制IC，這就是所謂的三極管的電流放大作用。2.2.2.三極管的電流放大作用從三極管中載2.3晶體三極管的伏安特性曲線晶體管伏安特性曲線是描述晶體管各極電流與極間電壓關系的曲線。晶體管有三個電極，通常用其中兩個分別作輸入、輸出端，第三個作公共端，這樣可以構成輸入和輸出兩個回路。在晶體管的三種基本接法中，我們主要討論應用最廣的共發射極伏安特性曲線。2.3晶體三極管的伏安特性曲線晶體管伏安特性曲2.3.1輸入特性曲線族共發射極輸入特性曲線是指VCE為參變量，輸入電流IB與輸入電壓VBE之間的關系曲線，即2.3.1輸入特性曲線族共發射極輸入特性曲線1）VCE=0V，相當于集電極和發射極短路，類似于PN結伏安特性曲線。2）VCE增大，曲線將右移。（基區寬度調制效應）VBE一定時，隨著VCE的增大，IB相應減小，即特性曲線右移。3）當VCE增大到一定值（如1V)后，iB基本不變。1）VCE=0V，相當于集電極和發射極短路，類似于PN結2.3.2輸出特性曲線族輸出特性通常是指在一定的基極電流IB控制下，三極管的集電極與發射極之間的電壓VCE同集電極電流Ic的關系。2.3.2輸出特性曲線族輸出特性通常是指在一定的基極1.截止區晶體管工作在截止模式下，有：

VBE≤Von，VCE>VBE

所以：

IB=0，IC≤ICEO結論：發射結反向偏置時，晶體管是截止的。1.截止區晶體管工作在截止模式下，有：2.放大區晶體管工作在放大模式下，VBE>Von,VCE≥VBE

，此時特性曲線表現為近似水平的部分，而且變化均勻：

①IC的大小受IB的控制；ΔIc>>ΔIB；具強的電流放大作用。

②隨著VCE的增加，曲線有些上翹。

③理想情況下，當IB按等差變化時，輸出特性曲線是一族與橫軸平行的等距離線。2.放大區晶體管工作在放大模式下，VBE>Von3.飽和區 條件：VBE>Von，VBC﹤VBE 特點：此時曲線簇靠近縱軸附近，各條曲線的上升部分十分密集，幾乎重疊在一起，可以看出：當IB改變時，IC基本上不會隨之而改變。

關于晶體管的飽和程度：一般認為，當VCE=VBE時的狀態為臨界狀態（VCB=0）3.飽和區 條件：VBE>Von，VBC﹤VBE關于晶體飽和模式下晶體管的模型可近似用兩個導通電壓表示，分別為和對于硅管，一般取共發射極連接時2.3.3晶體三極管的飽和模式當三極管的發射結和集電結均加正偏時，它工作在飽和模式。和將同時受到兩個結正偏電壓的控制，不再具有放大模式下的正向受控作用。飽和模式下晶體管的模型可近似用兩個導通電壓表示，2.3.4晶體三極管的截止模式三極管工作在截止模式時，發射結與集電結均反偏。若忽略兩個結的反向飽和電流，則可近似認為晶體三極管的各級電流均為零。其簡化模型可用兩段開路線表示：2.3.4晶體三極管的截止模式三極管工作在截止模式時，發射2.6三極管的主要參數三極管的連接方式VCCRb+VBBC1TICIBC2Rc+(a)共發射極接法圖1.3.10NPN三極管的電流放大關系一、電流放大系數是表征管子放大作用的參數。有以下幾個：ICIE+C2+C1VEEReVCCRc(b)共基極接法2.6三極管的主要參數三極管的連接方式VCCRb+VBBC1.共射電流放大系數

2.共射直流電流放大系數忽略穿透電流ICEO時，3.共基電流放大系數

4.共基直流電流放大系數忽略反向飽和電流ICBO時，

和

這兩個參數不是獨立的，而是互相聯系，關系為：1.共射電流放大系數2.共射直流電流放大系數忽略穿透二、反向飽和電流1.集電極和基極之間的反向飽和電流ICBO2.集電極和發射極之間的反向飽和電流ICEO(a)ICBO測量電路(b)ICEO測量電路ICBOceb

AICEO

Aceb小功率鍺管ICBO約為幾微安；硅管的ICBO小，有的為納安數量級。當b開路時，c和e之間的電流。值愈大，則該管的ICEO也愈大。圖1.3.11反向飽和電流的測量電路二、反向飽和電流1.集電極和基極之間的反向飽和電流ICB三、極限參數1.集電極最大允許電流ICM當IC過大時，三極管的

值要減小。在IC=ICM時，

值下降到額定值的三分之二。2.集電極最大允許耗散功率

PCM過損耗區安全工作區將IC與UCE乘積等于規定的PCM值各點連接起來，可得一條雙曲線。ICUCE<PCM為安全工作區ICUCE>PCM為過損耗區ICUCEOPCM=ICUCE安全工作區安全工作區過損耗區過損耗區圖1.3.11三極管的安全工作區三、極限參數1.集電極最大允許電流ICM3.極間反向擊穿電壓外加在三極管各電極之間的最大允許反向電壓。

U(BR)CEO：基極開路時，集電極和發射極之間的反向擊穿電壓。

U(BR)CBO：發射極開路時，集電極和基極之間的反向擊穿電壓。

安全工作區同時要受PCM、ICM和U(BR)CEO限制。過電壓ICU(BR)CEOUCEO過損耗區安全工作區ICM過流區圖1.3.11三極管的安全工作區3.極間反向擊穿電壓外加在三極管各電極之間的最大允許反向電2.7PNP型三極管放大原理與NPN型基本相同，但為了保證發射結正偏，集電結反偏，外加電源的極性與NPN正好相反。圖1.3.13三極管外加電源的極性(a)NPN型VCCVBBRCRb~NNP+

+uoui(b)PNP型VCCVBBRCRb~+

+uoui2.7PNP型三極管放大原理與NPN型基本相同，2.7溫度對晶體三極管特性的影響

由于三極管也是由半導體材料構成，和二極管一樣，溫度對晶體管的特性有著不容忽視的影響。主要表現在以下三個方面：(2)溫度對VBE的影響：輸入特性曲線隨溫度升高向左移，這樣在IB不變時，VBE將減小。VBE隨溫度變化的規律與二極管正向導通電壓一樣，即：溫度每升高1℃，VBE減小