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文檔簡介

WordMOS管的三個極和應(yīng)用電路MOS，是（MOSFET）的縮寫。MOSFET金屬-氧化物（半導(dǎo)體）場效應(yīng)（晶體管），簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor,MOSFET)。

MOS管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導(dǎo)體(semiconductor)場效應(yīng)晶體管，或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對調(diào)的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。在多數(shù)情況下，這個兩個區(qū)是一樣的，即使兩端對調(diào)也不會影響器件的性能。這樣的器件被認(rèn)為是對稱的。

MOS管是（電路設(shè)計）中常用的功率開關(guān)器件，是壓控型的，有三個電極，分別是：柵極G、源極S、漏極D。接下來詳細(xì)介紹一下關(guān)于MOS管的三個極。

MOS管的三個極

MOS管的三個極分別是：柵極G，源極S，漏極D，要求柵極和源及之間電壓大于某一特定值，漏極和源及才能導(dǎo)通。

柵極G：MOS管的柵極G是控制端，名字為gate，在G端加入高低電平即可控制MOS管的開斷。對于NMOS而言，要求Vgs>0時，MOS管導(dǎo)通，否則MOS關(guān)斷;對于PMOS而言，要求Vgs

MOS管用作反激（電源）開關(guān)管

由MOS管組成的全橋逆變電路

MOS管應(yīng)用放大電路

綜合整理自玩轉(zhuǎn)（嵌入式）、頭條號桃

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