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第41講TFT技術在LCD中的應用主要內容?單晶、多晶與非晶?非晶硅薄膜晶體管技術；?多晶硅薄膜晶體管技術；1有源矩陣液晶顯示器種類

有源矩陣液晶顯示器件的種類可分為三端有源和二端有源。三端有源又分為單晶硅(MOSFET)、TFT(非晶硅a-Si、多晶硅P-Si)；二端有源分為MIM、MSM、二極管環、背對背二極管、ZnO變阻器,其中以MIM即金屬-絕緣體-金屬二極管方式最為實用。三端有源方式圖像質量好，但是其工藝制作要復雜一些。而二端有源方式，工藝相對簡單，開口率可以做的較大，袖珍式電視產品生產廠家一直對它看好。不過其圖像質量比三端有源要稍差一些。在三端有源方式中，以TFT為主流，而在TFT中又以a-Si為主流,它使液晶顯示進入高畫質、真彩色階段。2何謂非晶態材料？

非晶態物質是與晶體材料相對而言的。晶體材料中，原子按照一定的規則周期性排列，形成點陣結構；非晶態材料中，原子的排列沒有規律，從長程看雜亂無章，但短程有序（或者更準確地說是微觀區域內的局部有序），有時也稱為無定形材料。玻璃就是一種典型的非晶態材料，非晶態半導體有時也稱為玻璃態半導體。注意非晶體與多晶體的區別，二者不可混為一談。多晶仍屬于晶體材料。

3單晶、多晶與非晶的區別非晶：局部有序（個體有序），微觀尺度，幾個原子、分子尺度，一般只有十幾埃至幾十埃的范圍；多晶：短程有序（團體有序），成百上千個原子尺度，通常是在微米的量級；單晶：長程有序（整體有序），宏觀尺度，通常包含了整塊固體材料。

(a)非晶(b)單晶(c)多晶

4非晶硅薄膜晶體管技術

MISFET（Metal-Insulator-SemiconductorFieldEffectTransistor）金屬－絕緣層－半導體場效應晶體管的基本結構：（目前多為MOSFET，即絕緣層為二氧化硅，如下圖所示）5非晶硅薄膜晶體管技術對MOSFET的基本要求：

（1）導通時的驅動電流ION要大：當VGS>VT時，IDS越大越好，有利于提高電路的工作速度和頻率；

（2）關斷時的泄漏電流IOFF要小：當VGS<VT時，IDS越小越好，有利于降低電路的功耗；

（3）制造工藝簡單：利于不斷縮小尺寸，提高集成度和良品率，降低生產成本；

（4）可靠性高：利于器件長期、穩定、可靠地工作。

6非晶硅薄膜晶體管技術MOSFET的輸出特性：7非晶硅薄膜晶體管技術MOSFET的轉移特性：

8非晶硅薄膜晶體管技術非晶硅（α-Si）TFT（Thin-FilmTransistor）的結構：

9非晶硅薄膜晶體管技術10非晶硅薄膜晶體管技術11非晶硅薄膜晶體管技術工藝流程：12非晶硅薄膜晶體管技術TFT由五道光罩制程制造;TFTarray材料組成13非晶硅薄膜晶體管技術TFT-LCD顯示面板的結構示意圖

14TFT-LCD制造技術15TFT-LCD制造技術16TFT-LCD制造技術17

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