第三章無源器件第1頁，課件共40頁，創作于2023年2月一、集成電路電阻：1、電阻結構基區擴散電阻發射區擴散電阻基區溝道電阻外延層電阻外延層溝道電阻離子注入電阻多晶硅電阻N阱電阻MOS電阻第2頁，課件共40頁，創作于2023年2月集成電路中電阻1ALSiO2R+PP+P-SUBN+R-VCCN+-BLN-epiP+基區擴散電阻第3頁，課件共40頁，創作于2023年2月集成電路中電阻2SiO2RN+P+P-SUBRN+-BLN-epiP+發射區擴散電阻第4頁，課件共40頁，創作于2023年2月集成電路中電阻3基區溝道電阻第5頁，課件共40頁，創作于2023年2月集成電路中電阻4外延層溝道電阻SiO2RP+P-SUBRN-epiP+PN+第6頁，課件共40頁，創作于2023年2月集成電路中電阻5MOS中多晶硅電阻SiO2Si多晶硅氧化層第7頁，課件共40頁，創作于2023年2月集成電路中電阻6第8頁，課件共40頁，創作于2023年2月第9頁，課件共40頁，創作于2023年2月2、電阻修正電阻端頭修正拐角的修正橫向擴散修正薄層電阻值修正第10頁，課件共40頁，創作于2023年2月第11頁，課件共40頁，創作于2023年2月第12頁，課件共40頁，創作于2023年2月3、電阻版圖尺寸的確定第13頁，課件共40頁，創作于2023年2月提高電阻的比值精度第14頁，課件共40頁，創作于2023年2月用標準電阻組合實現不同阻值第15頁，課件共40頁，創作于2023年2月電阻的寄生效應第16頁，課件共40頁，創作于2023年2月第17頁，課件共40頁，創作于2023年2月二、集成電路中的電容1、電容結構

pn結電容

MOS電容

MOS感應溝道電容

金屬電容

多晶硅電容

第18頁，課件共40頁，創作于2023年2月集成電路中電容1SiO2A-P+P-SUBB+N+-BLN+EP+NP+-IA-B+Cjs發射區擴散層—隔離層—隱埋層擴散層PN電容第19頁，課件共40頁，創作于2023年2月集成電路中電容MOS電容AlSiO2ALP+P-SUBN-epiP+N+N+第20頁，課件共40頁，創作于2023年2月第21頁，課件共40頁，創作于2023年2月2、電容器的寄生效應第22頁，課件共40頁，創作于2023年2月第23頁，課件共40頁，創作于2023年2月第24頁，課件共40頁，創作于2023年2月三、集成電路中的連線第25頁，課件共40頁，創作于2023年2月1、連線的寄生電容第26頁，課件共40頁，創作于2023年2月第27頁，課件共40頁，創作于2023年2月第28頁，課件共40頁，創作于2023年2月第29頁，課件共40頁，創作于2023年2月第30頁，課件共40頁，創作于2023年2月2、連線的寄生電阻第31頁，課件共40頁，創作于2023年2月第32頁，課件共40頁，創作于2023年2月第33頁，課件共40頁，創作于2023年2月4、互連線寄生效應的影響第34頁，課件共40頁，創作于2023年2月第35頁，課件共40頁，創作于2023年2月第36頁，課件共40頁，創作于2023年2月第37頁，課件共40頁，創作于