::1LEDLEDLEDLED延片的技術(shù)主要有以下四條：PN鍵所在，金屬有機(jī)物化學(xué)氣相淀積(Metal-OrganicChemicalVaporIII-V，II-VI晶的主要方法。II、IIIGa(CH3)3，In(CH3)3，Al(CH3)3，Ga(C2H5)3，Zn(C2H5)3混合，再通入反響室，在加熱的襯底外表發(fā)生反響，外延生長化合物晶體薄膜。MOCVD用來生長化合物晶體的各組份和摻雜劑都可以以氣態(tài)方式通入反響室屬有機(jī)源的供給量成正比。MOCVD，九十年月已經(jīng)成為砷化鎵、磷化銦等光電子材料外延片制備的核心生長技術(shù)。目前已經(jīng)在砷化鎵、磷化銦等光電子材料生產(chǎn)中得到廣泛應(yīng)用。日本科學(xué)NakamuraMOCVDMOCVD1994管，199810,000前為止，MOCVD的氮化鎵外延片和器件的性能以及生產(chǎn)本錢等主要指標(biāo)來看，還沒有其它方法能與之相比。AIXTRONEMCORE(Veeco)ThomasSwanThomasSwanAIXTRONMOCVD商也只是1994年以后才開頭生產(chǎn)適合氮化鎵的MOCVD設(shè)備。目前生產(chǎn)氮化鎵MOCVD24(AIXTRONMOCVD-MOCVD的設(shè)備只在日本出售。MOCVD，MOCVD242產(chǎn)更大規(guī)模的設(shè)備，不過這些設(shè)備一般只能生產(chǎn)中低檔產(chǎn)品；研制有自己特色的專用MOCVD設(shè)備。這些設(shè)備一般只能一次生產(chǎn)1片2英寸外延片，但其外延片質(zhì)量很高。目前高檔產(chǎn)品主要由這些設(shè)備生產(chǎn)，不過這些設(shè)備一般不出售。1)InGaAlPInGaAlPLED550~650nmGaAsLEDAlGaInPLEDMOCVD的外延生長技術(shù)和多量子阱構(gòu)造，波長625nm四周其外延片的內(nèi)量子效100%，MOCVDInGaAlP熟。InGaAlPGaAsGaAs組分，特定厚度，特定電學(xué)和光學(xué)參數(shù)的半導(dǎo)體薄膜外延材料。IIIVTMGa、TEGa、TMIn、TMAl、PH3AsH3SiTeInGaAlPIII(1-5)×10-5，V(1-2)×10-3于獲得均勻分布的組分與厚度，進(jìn)而提高了外延材料光電性能的全都性。2)lGaInN，GaNLEDLED的LED，降低位錯(cuò)等缺陷密度，提高晶體質(zhì)量，是半導(dǎo)體照明技術(shù)開發(fā)的核心。GaNGaNGaNGaN(500~600℃)生長GaNAkasakiAINGaNAlNGaN較好匹配，而和藍(lán)寶石襯底匹配不好，但由于它很薄，低溫沉積的無定型性GaNNakamuraGaNGaN為了得到高質(zhì)量的外延層，已經(jīng)提出很多改進(jìn)的方法，主要如下：LEOLEOSAE(selectiveareaepitaxyNishinaga1988LPE(liquidphaseepitaxy)的深入爭論，LEOSiO2SiNx為掩膜(mask)，mask{11-20}buffer1.5，不過一般常選用平行方向(1-100)。LEO2-11，GaN當(dāng)?shù)竭_(dá)掩膜高度時(shí)就開頭了側(cè)向生長，直到兩側(cè)側(cè)向生長的GaN集合成平坦的薄膜。2-11GaNLEO②PE(Pendeoepitaxy)法生長示意圖如以下圖2-12所示：2-12GaNPEGaNstripe方向，側(cè)面為{11-20}PE2-132-13PEGaNModelA：側(cè)面{11-20}生長速率大于(0001)面垂直生長速率；ModelB：開頭(0001)面生長快，緊接著又有從形成的{11-20}面的側(cè)面生長。一般生長溫度上升，modelAPE量很低。PEGaNTD4-5，SEM的GaN集合處或者是無位錯(cuò)或者是空洞，但在這些空洞上方的GaN仍為無位錯(cuò)區(qū)；AFMPEGaNPELEO4-5PEGaNLEOGaN5-10其它型外延材料ZnO3.37eV，屬直接帶隙，和GaN、SiC、金剛石等寬禁帶半導(dǎo)體材料相比，它在380nm四周紫光波段進(jìn)展?jié)摿ψ畲螅歉咝ё瞎獍l(fā)光器件、低閾值紫光半導(dǎo)體激光器的候選材料。這是由于，ZnO60meV，比其他半導(dǎo)體材料高得多(GaN26meV)，因而具有比其他材料更高的發(fā)光效率。ZnOGaAs的水為氧源，用有機(jī)金屬鋅為鋅源。因而，今后ZnO材料的生產(chǎn)是真正意義上ZnO，有利于大規(guī)模生產(chǎn)和持續(xù)進(jìn)展。目前，ZnO電子器件或高溫電子器件，主要是材料質(zhì)量達(dá)不到器件水平和P型摻雜問題沒ZnOZnSeLEDLEDZnSe作用發(fā)出互補(bǔ)的黃光，從而形成白光光源。光材料，國家在根底爭論方面應(yīng)賜予重視。外延技術(shù)進(jìn)展趨勢：――改進(jìn)兩步法生長工藝6機(jī)比較成熟，20夠。進(jìn)展趨勢是兩個(gè)方向：一是開發(fā)可一次在反響室中裝入更多個(gè)襯底外延生長，更加適合于規(guī)模化生產(chǎn)的技術(shù)，以降低本錢；另外一個(gè)方向是高度自動(dòng)化的可重復(fù)性的單片設(shè)備。――氫化物汽相外延(HVPE)技術(shù)GaNGaNHVPEGaN料純度的進(jìn)一步提高。――選擇性外延生長或側(cè)向外延生長技術(shù)GaNGaN，再在其上沉積一層多晶態(tài)的SiO掩膜層，然后利用光刻和刻蝕技術(shù)，形成GaN窗口和掩膜層條。在隨GaNSiO上。――懸空外延技術(shù)(Pendeo-epitaxy)承受這種方法可以大大削減由于襯底和外延層之間晶格失配和熱失配引發(fā)的外延層中大量的晶格缺陷，從而進(jìn)一步提高GaN外延層的晶體質(zhì)量。首先在適宜的襯底上(6H-SiCSi)GaN進(jìn)展選區(qū)刻蝕，始終深入到襯底。這樣就形成了GaN/緩沖層/襯底的柱狀構(gòu)造GaNGaNGaNUVLEDLED可供UV光激發(fā)的高效熒光粉很多，其發(fā)光效率比目前使用的YAG：Ce體系高LED――開發(fā)多量子阱型芯片技術(shù)多量子阱型是在芯片發(fā)光層的生長過程中，摻雜不同的雜質(zhì)以制造構(gòu)造高發(fā)光效率，可降低本錢，降低包