目錄荷蘭近期半導體出口管制清單分析 4日本近期半導體出口管制清單分析及對比 7潛在突破方向梳理及投資策略 風險因素 13附錄：從荷蘭、日本出口管制看光刻機發展 14為何限制光刻機的套刻精度？ 14光刻機迭代歷程 15光刻機市場競爭格局 16插圖目錄圖1：先進邏輯制程路線圖及最小金屬間距（Min.MP）對應關系 7圖2：特征尺寸與光刻工藝k1參數的對應關系示意圖 14圖3：光刻機發展歷程示意圖 16圖4：2021年全球光刻機市場份額 17圖5：2021年三大廠商各類光刻機銷量 17表格目錄表1：荷蘭半導體設備出口管制清單梳理（2023年6月30日公布，9月1日實施） 4表2：ASML典型浸沒式DUV光刻機參數對比 5表3：常見金屬及功函數對應表 6表：日本半導體設備出口管制清單梳理（3年5月3日公布，7月3日實施（標黃部分代表與荷蘭限制范圍相似） 7表5：Intel10nm后段內連接各層工藝參數 10表6：尼康典型浸沒式DUV光刻機參數，及與ASML相關產品對比 表7：各多重曝光技術工藝實際光刻精度 14表8：主流高端工藝多重曝光技術路徑 15表9：各代光刻機詳細情況 16表10：國內外主要廠商各類別典型光刻機產品對比 17▍荷蘭近期半導體出口管制清單分析荷蘭政府2023年6月30日發布出口管制，主要受影響荷蘭企業為ASML和International。202391日。具體限制范圍涉及光刻機、ALD原子層沉積、EPI沉積等。表1：荷蘭半導體設備出口管制清單梳理（2023年6月30日公布，9月1日實施）涉及 序工序 號

代碼 細分設備品類 具體工藝環節技術指標 荷蘭代表廠商

潛在國產替代廠商1 3B001.l2 3B001.m光刻

EUV光罩護膜（Pellicle）EUV光罩護膜制造設備

極紫外（EUV）光刻設備使用的光罩護膜（Pellicle）框架模組極紫外（EUV）光刻設備使用的光罩護膜（Pellicle）的制造設備光源波長小于（指EV.m193nm（DUV），同時滿足可生成圖案的最小可分辨特征尺寸（MRF，minimumresolvablefeaturesize）45nm最大DCO（dedicatedchuckoverlay）

ASML 無無ASML3 3B001.f.43B001.d.142

（EUVDUV）特定功函數金屬ALD設備

于等于1.5nm。技術說明：最小可分辨特征尺寸（MRF）根據以下公式計算：MRF=光刻機光源波長*K參數/最大數值孔徑其中K參數=0.25(MRF)與分辨率相同。DCO功函數金屬的原子層沉積(ALD)設備多種金屬源，其中一種已開發用于鋁（Al）并且45℃；并且沉積碳化鈦鋁（TiAlC）；以及“功函數”可能4.0eV的金屬。

（受影響包括NXT:2000i、2050i及后續型號）ASMInternational

子薄膜沉積5 69

部分外延生長設備（硅(Si)、碳摻雜硅、硅鍺(SiGe)或碳摻雜SiGe）等離子增強沉積（LowK

技術說明：1.“功函數金屬”是一種調節晶體管閾值電壓的材料設計用于硅(Si)、碳摻雜硅、硅鍺(SiGe)或碳摻雜SiGe外延生長的設備，具備以下所有條件：（小于或等于理；和工作溫度≤685℃。寬度小于251:1的間隙中，使用無空隙的等離子增強方法沉積3.3LowK電介質

ASMInternational（其Intrepid??ES?Epitaxy）ASMInternational（其Dragon?XP8PECVD涉及）

等7 3D007軟件及技術8 3E005

以上設備相關軟件以上設備相關技術

專門為開發、生產或使用本法規標題3B001.l、3B001.m3B001.f.43B001.d.123B001.a.4或3B001.d.19規定的設備而設計的軟件。開發、生產或使用本法規標題3B001.l、3B001.m、3B001.f.4、3B001.d.12、3B001.a.4或3B001.d.19規定的設備所需的技術。資料來源：荷蘭政府網站（https://zoek.officielebekendmakingen.nl/stcrt-2023-18212.html），EUV光刻機、EUV光罩護膜（EUVPellicle）及相關生產設備限制對中國暫不存在增量影響EUV2018年向ASMLEUV光刻機采購單，但始終未獲得交付。【DUV（MRF，minimumresolvablefeatureDCO（dedicatedchuckoverlay）1.5nmDCO值指通過同一光刻系統在晶圓上曝光的現有圖案上對準新圖案的精確度；ASMLDCO1.6nm，不受影及后續機型則需申請許可。ASML浸沒式DUV光刻機各個型號之間最大差異在于套刻精度和產出率。在本次荷蘭限制范圍中，ASML的浸沒式DUV光刻機均滿足最小分辨率小于等于45nm的條件，1980DiDCO（單機臺套刻精度）1.5nm因此未在限制行列，2000i、2050iDCO1.5nm，需申請313日外發報告《電子行業半導體重大事項點評—美、荷或將推出政策進一步限制對華半導體設備出口，關注半導體國產化機遇》中的預期一致。表2：ASML典型浸式DUV刻機參對光刻機號 最小可分辨特征尺寸(MRF)/nm(k1=0.25)*

最大數值孔徑(NA)

DCO套刻精度/nm 產出率(片/小時)NXT:2050i≤381.35≤1nm295NXT:2000i≤1.4nm275NXT:1980Di≤1.6nm275NXT:1970Ci≤2.0nm250NXT:1950i≤2.5nm175資料來源：ASML官網， *注：紅色表示受到2023年6月30日荷蘭出口管制影響，綠色表示不受影響ASML20236303月初公司所宣布的預期一致：荷蘭的額外出口管制僅適用于TWINSCANASML的EUV系統的銷售此前已經受到限制；公司預計這些措施不會對公司發布的2023年財務前景或2022年11月投資者日期間傳達的長期情景產生重大影響。【3（ALD）設備方面，主要影響用于沉積碳化鈦鋁（TiAlC）和功函4.0eVALD設備。HKMGTiAlC是調整柵極功函數的材料，28nmHKMGPVD16nmHKMG需要使ALD。對于柵極長度低于10nm的極小尺寸器件，具有高功函數的單一材料柵極材料是實現高效器件性能的合適方法，此類材料亦通常采用ALD方法沉積。因此該限制主要影響16nm及以下先進制程。表3：常見金屬及功函數對應表金屬元素功函數金屬元素功函數金屬元素功函數Ag4.26–4.74Al鋁4.06–4.26As3.75Au5.10–5.47B~4.45Ba2.52–2.70Be4.98Bi4.31C~5Ca2.87Cd4.08Ce2.9Co鈷5Cr4.5Cs1.95Cu4.53–5.10Eu2.5Fe4.67–4.81Ga4.32Gd2.9Hf3.9Hg4.475In4.09Ir5.00–5.67K2.29La3.5Li2.9Lu~3.3Mg3.66Mn4.1Mo4.36–4.95Na2.36Nb3.95–4.87Nd3.2Ni5.04–5.35Os5.93Pb4.25Pd5.22–5.60Pt5.12–5.93Rb2.261Re4.72Rh4.98Ru4.71Sb4.55–4.70Sc3.5Se5.9Si4.60–4.85Sm2.7Sn4.42Sr~2.59Ta4.00–4.80Tb3Te4.95Th3.4Ti鈦4.33Tl~3.84U3.63–3.90V4.3W鎢4.32–4.55Y3.1Yb 2.6 Zn 3.63–4.9 Zr 4.05資料來源：《CRCHandbookofChemistryandPhysics》（version2007-2008,DavidR.Lide,p.12–124.），標黃為部分半導體常見金屬材料【4（Si，包含碳摻雜、硅鍺（SiGe，包含碳摻雜）的低溫（≤685℃）高真空（≤0.01Pa）外延生長設備。CVD（VPE氣相外延）系統，而低溫高真空外延技術可以保證原子級的生長表面，防止引入缺陷和雜質，獲得更好的生長表面，可以用于先進制程CMOS晶體管（例如3nmGAA晶體管）的溝道層及源漏區域形成以及先進的3D-NAND和DRAM存儲芯片。我們認為此限制對國內現有產線的增量影響也較小。【5（Low電介質材料的等離子增強沉積LowKRC25nm的情形，3nm及以下先進邏輯節點等應用場景。目前中國大陸尚不具有3nm芯片量產能力。圖1：先進邏輯制程路線圖及最小金屬間距（Min.MP）對應關系資料來源：東京電子（含預測）注：2nm后節點14A（埃米）=1.4nm16nm及以下制程。EUV光刻機、3nmPECVD設備等，目前國內尚無相關量產產線，因此短期增量影響有限，但長期制約我國半導體量產能力上限。▍日本近期半導體出口管制清單分析及對比2023523623種半導體制造設備或物項的出口管制措施，并將于7月23日開始實施。在清單內的受管制物品在向ArF浸沒式光刻、EUV配套設備及部件、鈷/等金屬沉積、高深寬比刻蝕和硅鍺刻蝕等技術指標較高、材料特殊、在先進制程有針對性應用的半導體設備品種，而光刻膠等日本優勢的半導體材料則未在限制行列之中。表（3年5月37月3（）涉及工序 序號 細分設備品類 具體工藝環節/技術指標 日本代表廠商 潛在自主研發廠商光刻（種）1ArF浸沒式刻機 步進重法或進掃型，源波長為193nm或0.25（即光刻分辨率n（浸沒式ArF光刻機）尼康、能 上海微上市）2 EUV涂膠影設備 極紫外（EUV）光刻所使用的光刻膠涂膠、成膜、加熱、顯影設備

東京電、迪士 芯源盛上海、至純科技3EUV光罩護膜（Pellicle）框架模組三井化學無4EUV光罩護膜制造設備（Pellicle）無刻蝕（種）

5 （）各向同性干法刻蝕設備，硅鍺（SiGe）與硅的刻蝕選擇性之比為100倍以上

東京電子、日立高新

中微公司、北方華創、屹唐股份涉及工序序號細分設備品類具體工藝環節/技術指標日本代表廠商潛在國產替代廠商各向異性干法刻蝕設備，符合以下所有條件：（未上市）小于300ms的高速氣體切換閥；（3）具有靜電卡盤（僅限于具有20個或更多可單獨控制溫度的區域的靜電卡盤）。6濕法刻蝕（硅鍺）硅鍺（SiGe）與硅（Si）的蝕刻選擇性之比為100東京電子、日立高盛美上海、芯源倍以上新微7高深寬比干法刻蝕30倍100nm。且小于300ms的高速東京電子、日立高新中微公司、北方華創氣體切換閥。薄膜沉積8電鍍（鈷）鈷（Co）電鍍薄膜設備盛美上海（11種）金屬Contact層CVD（鈷或者鎢等）自下而上沉積鈷（Co）或鎢（W）的化學氣相沉積設備，填充的金屬空隙或接縫最大尺寸為3nm或以東京電子中微公司、拓荊科技、北方華下創、微導納米一種用于在單一腔室（Chamber）中通過多道工藝（Contact）的設備，并且符合以下東京電子科技、北方華所有條件：創、微導納米在晶片的基板溫度保持在100℃~500℃的同鎢（W）層；（）等離子體的工藝；其設計成通過在多個腔室或工位中通過多個步驟形東京電子中微公司、拓荊成薄膜，并在多個過程間保持0.01Pa或更小的真空科技、北方華狀態或惰性環境，并通過以下所有過程形成金屬接觸創、微導納米層（Contact）的：（1）在將晶圓襯底溫度保持在100℃~500℃的同時，使用氫氣（包括氫氣和氮氣或氨的混合物）等離子體進行表面處理；40℃~500℃的同時，使用氧氣或臭氧等離子體進行表面處理；（3）在將晶圓基板溫度保持在100℃~500℃的同時，形成鎢層的工藝。在指定的半導體制造設備中，通過以下所有工藝設計東京電子中微公司、拓荊為形成金屬接觸層（Contact）的設備（不包括屬于（2）的設備）：（1）使用遠程等離子體源和離子過濾器進行表面處科技、北方華創、微導納米理的工藝；（2）使用有機金屬化合物選擇性地在銅上沉積鈷層的工藝；ALD（鈦碳化鋁）符合下列所有項的功函數金屬（指控制晶體管閾值電東京電子拓荊科技、北方壓的材料）：華創、微導納(1)45℃以上溫米、中微公司度下操作的前體容器；(2)為形成功函數金屬薄膜而設計的設備，用于沉積鈦碳化鋁且功函數大于4.0eV。金屬Contact層沉（/碳化鎢鈷等）（Contact）（1）將晶圓襯底溫度維持在20℃~500℃的同時，東京電子中微公司使用有機金屬化合物形成氮化鈦或碳化鎢層的工藝；（2）5000.1333Pa~13.33Pa的壓力中下濺射形成鈷層的工涉及工序序號細分設備品類具體工藝環節/技術指標日本代表廠商潛在國產替代廠商藝；（3）將晶圓襯底溫度維持在20℃~500℃的同時，在133.3Pa~13.33kPa物形成鈷層的工藝。CVD/PVD（銅+鈷/在特定半導體制造設備中，通過下列列舉的全部工藝東京電子、愛發科拓荊科技、北方釕）形成銅線路的設備：華創、微導納（1）將晶圓襯底溫度維持在20℃~500℃的同時，在133.3Pa~13.33kPa米、中微公司物形成鈷或釕層的工藝；（2）在維持晶圓襯底溫度低于500℃的同時，在0.1333Pa~13.33Pa的壓力下使用物理氣相沉積法形成銅層。ALD（阻擋層、絕緣層）為使用有機金屬化合物選擇性地形成阻擋層（Barrier）或者線性層（Liner）的原子層沉積設備東京電子華創、微導納米、中微公司500（東京電子華創、微導納的原子層沉積設備。9LPCVD（氮化鎢+設計用于在0.01Pa或更低的真空狀態下或在惰性東京電子拓荊科技、北方鎢）氣體環境中沉積金屬層的裝置，符合以下所有情況：華創、微導納20℃~500℃之間；133.3Pa53.33kPa米、中微公司通過化學氣相沉積或周期性沉積形成鎢層，同時保持晶圓基板溫度在20℃~500℃之間。10LPCVD（鎢、鉬）設計用于在0.01Pa或更低的真空狀態下或在惰性東京電子拓荊科技、北方氣體環境中沉積金屬層的裝置，屬于以下任何一種：華創、微導納（Barrier）的；米、中微公司11釕沉積設計用于使用有機金屬化合物沉積釕層的設備，同時將晶圓基板溫度保持在20℃~500℃之間東京電子中微公司12空間式ALD符合以下任意一項的空間原子層沉積設備（僅限于帶東京電子拓荊科技、北方有旋轉軸的晶圓支撐臺）：華創、微導納米、中微公司離子的設備。13CVD（硅和碳薄膜）在400℃~650℃的溫度下形成薄膜的裝置或通過促東京電子拓荊科技、北方進與在不同于安裝晶圓的空間中產生的自由基的化華創、微導納學反應而形成薄膜的設備，并且設計為符合以下所有米、中微公司項的形成含有硅和碳薄膜的設備：5.3；70nm5（Pitch）100nm14PVD（EUV用的多層反射膜）為用于掩膜的多層反射膜通過離子束蒸鍍或物理氣相沉積法形成膜的設備（僅限用于“EUV光刻設備”東京電子、愛發科北方華創的掩膜）15EPI（硅、硅） 為包括碳雜或硅（包碳摻雜的外生長而設計的設備，并具有以下所有特性：）擁有多個腔室且在多個工序間能夠維持在0.01Pa0.01Pa；東京電子 中微公華創涉及工序序號細分設備品類具體工藝環節/技術指標日本代表廠商潛在國產替代廠商（3）外延生長使用溫度低于685℃。16PECVD（碳硬掩膜）100nm450MPa的碳硬掩膜的等離子體沉積而設計的設備；東京電子拓荊科技、北方華創、微導納米、中微公司17PEALD/PECVD（鎢）設計為通過利用等離子體的原子層沉積法或化學氣（1019/cm2）。東京電子拓荊科技、北方華創、微導納米、中微公司18PECVD（Low-k質）介25nm且深度大于50nm的間隙），以不產生空隙的方式使用等離子體成膜相對介電常數小于3.3的低介電層的設備。東京電子拓荊科技、北方華創、微導納米、中微公司熱處理（1種）19真空退火（銅、鈷、鎢）在0.01Pa以下的真空狀態下運行且屬于以下任何一項的退火設備：少或消除空隙或接縫；東京電子、日立高新、日立國際電氣（未上市）清洗（種）20銅氧化膜清洗在0.01Pa或更小的真空中，去除聚合物殘留物和氧化銅膜，并能夠形成銅膜的設備；迪恩士、東京電子、日立國際電氣盛美上海、至純科技、北方華創、芯源微21腔室間干法清洗氧化物迪恩士、東京電子、日立國際電氣盛美上海、至純科技、北方華物。創、芯源微22晶圓表面改性后單片濕法清洗在晶片表面改性后進行干燥工序的單片式濕式清洗設備迪恩士、東京電子科技、北方華創、芯源微檢測（1種）23EUV掩膜版檢測用于檢測“EUV光刻設備”的掩膜坯料或掩膜圖案的設備Lasertec、日立高新精測電子、中科飛測資料來源：日本經濟產業省官網（https://），注：標黃部分代表與荷蘭6.30管制限制范圍相似日本出口管制物項清單雖未明確說明設備對應的制程節點，但技術指標、應用于具體材料和工藝的描述均具有較強的針對性，主要面向與先進制程相關的設備品種。例如：100倍以上的各向同性干法刻蝕設備（列表第5項，可從i和Ge的疊層膜中去除G，是形成3nmGAA晶體管所必需的設備。限制高深寬比干法刻蝕設備，介電材料的刻蝕深寬度比超過0（列表第7項，主要為了限制DNNDFlah。針對薄膜沉積領域，日本管制清單花較大篇幅描述鈷/鎢等金屬接觸層的相關沉積設備，我們認為主要也是針對10nm以下先進制程。特征尺寸在10nm以下時，鈷（Co）較銅、鎢更具優勢，英特爾在10nm節點的Contact層和M1金屬層首次采用了金屬鈷。表5：Intel10nm后段內連接各層工藝參數金屬層間距Pitch（nm）光刻方法金屬材料M040SAQP-unidirectional鈷CoM136SAQP-unidirectional鈷CoM3/M444SAQP-unidirectional（CuwithColinerandcap）M552SAQP-unidirectional（CuwithColinerandcap）M684Single-bidrectional銅CuM7/M8112Single-bidrectional銅CuM9/M10160Single-bidrectional銅CuTMO1080Single-bidrectional銅CuTM111000Single-bidrectional銅Cu資料來源：Intel（IEDM2017），6.305.236（36ArF45nmDCO值≤1.5nm的條件，將45nm以下的一致。表6：尼康典型浸沒式DUV光刻機參數，及與ASML相關產品對比光刻機型號 最小可分辨特征尺(MRF)/nm(k1=0.25)*

最大數值孔徑(NA)

DCO套刻精度/nm

產出率(片/小時)NikonNSR-S635E≤381.35≤1.5275NSR-S625E≤1.7280NSR-S622D≤2.0220ASMLNXT:2050i≤381.35≤1.0295NXT:2000i≤1.4275NXT:1980Di≤1.6275NXT:1970Ci≤2.0250資料來源：Nikon官網，ASML官網，（T（DN（Nko）為例，根據三家公司2年報（1-222..3，來自中國大陸客戶的營收占比分28.3%、26.2%、28.4%，均為其最大收入來源地區。本次出口限制主要針對先進半生態鏈有望在重壓下加速本土替代。▍潛在突破方向梳理及投資策略荷蘭、日本出口管制主要壓制了中國大陸半導體制造環節未來技術節點升級（走向7nm及以下（28nm及以上擴產幾乎無影響。2022107長存產業鏈、華為產業鏈等國內領先但受到實體清單影響的Fab廠和終端企業的積極變化。EUV掩膜制造，SiGeALD、SiSiGekPECVD/鈷鉬/CVD/PVD國內企業方面：FUV光刻機以及配套涂膠顯影掩膜制造檢測設備。國內光刻機整機廠商為上海微電子（非上市，目前已經量產分辨率m的SSA600/20ArF芯源微28nm及以上工藝節點覆蓋，盛美上海ArFi-lineKrF型號設備。SiGe在國內刻蝕設HD-RIE?3D-NANDDRAM中高深寬比溝槽及深孔刻蝕上表現優異；北方華創亦有相關刻蝕領域布局。SiGe選擇性3nmGAA晶體管，我們暫未了解到國內相關布局。薄膜沉積：金屬及有機金屬化合物、Si和SiGe外延、低k介質PECVD、鎢/鈷/鉬/釕等金屬CVD/PVD等高端薄膜沉積。國內薄膜沉積領域拓荊科技布局領先，PECVDkALDSiO2等介PE-ALDAl2O3Thermal-ALD在客戶端驗中微公司CVDALD設備已付運至關鍵存儲客（產品立項到客戶產線核準用時僅8個月EPI外延設備進入樣機設計、制造調試階段。北方華創在D、CD（LCD、ACD、LD均有布PVD領域國內領先，2022PECVD微導納米ALDkPECVDSiO2盛美上海2022PECVD設備可以用于SiO2,SiNx,Carbon，NDC（SiCN）等薄膜工藝。清洗設備：晶圓表面改性后單片清洗等高端清洗。國內清洗設備方面，盛美上海為龍頭企業，在先進制程相關高端產品布局領先，此外至純科技、北方華創、芯源微在清洗機領域均有布局。此外，量測、離子注入設備領域也是國產化率尚低、有待突破的領域，建議關注精測電子、中科飛測，華海清科等。建議關注國內頭部設備企業如中微公司、拓荊科技、北方華創、盛美上海、芯源微、微導納米、至純科技、華海清科、精測電子、中科飛測等。此外，考慮到設備配套零部件環節的國產化趨勢，同時建議關注半導體設備零部件公司：富創精密、新萊應材、江豐電子、英杰電氣等。▍風險因素后續對華半導體技術限制超預期風險；國內先進技術創新不及預期風險；國際產業環境變化和貿易摩擦加劇風險；先進制程技術變革風險；下游需求波動風險。▍附錄：從荷蘭、日本出口管制看光刻機發展為何限制光刻機的套刻精度？荷蘭出口管制對于浸沒式ArFDCO（dedicatedchuckoverlay）1.5nmDCO值指通過同一光刻系統在晶圓上曝光的現有圖案上對準新圖案的精確度，即單機臺的套刻精度。公式，特征尺寸（CriticalDimension）CD=k1*λ/NAArF光刻機的光波長k1CDk10.2~0.60.2此外高對比度非線性光刻膠、合理的掩膜設計亦是多重圖案化實現的關鍵。圖2：特征尺寸與光刻工藝k1參數的對應關系示意圖資料來源：IMEC（比利時微電子研究中心），通過浸沒式光刻機的四重圖案化可以實現7nm。7nm節點出現兩條技術路徑：ArF光刻自對準四重圖案化EUVIntel10nm7nm7nm7nm光刻機的采用成為主流。表7：各多重曝光技術工藝實際光刻精度技術方案SE/LELELELELELESADPSAQPSE（EUV）極限光刻分辨率（nm）806442402026最小金屬間距MMP（nm）16012884804052資料來源：Intel、三星、臺積電公司官網，表8：主流高端工藝多重曝光技術路徑工藝節點最小金屬間距MMP（nm）光刻方案FinPitch（nm）Intel10nm36SAQP34Samsung5LPE36EUV27Samsung7LPP36EUV27TSMCN7+40EUV30TSMCN7/P40SAQP30TSMCN1044SAQP36Samsung10LPP/8LPP48LELELE42Intel14nm52SADP42Samsung14LPP48LELE64TSMCN1664SADP48TSMCN2064SADP48lntel22nm80SADP60lntel22FFL90SADP45TSMCN2890SADPN/AIntel32nm112.5SADPN/Alntel45nm160SEN/Alntel65nm210SEN/A資料來源：Intel、三星、臺積電公司官網，光刻機迭代歷程光刻機歷經5次迭代，已發展至EUV光刻機。機，按照光源波長進行劃分：UV型，均為接觸接近式光刻機，436nmg-line365nmi-line800-250nm第三代為掃描投影式光248nmKrF180-130nmDUV193nm的rF（干式（浸沒式，130-65nm45-7nm（7nm需經過多重曝光實現EUV型，13.5nmEUV7nm2024ASML將推出高數值孔徑NA的UV（目前為Nm光直寫光刻機、離子束直寫光刻機等，主要用于小批量特定芯片制造、科學研究等用途。表9：各代光刻機詳細情況光刻機代際 光源 光源發生器 波長 曝光方式 光刻分辨率（CD） 工藝節點步進掃描投影式光刻第一代 可見光 g-line 高壓汞燈

第二代UVi-line高壓汞燈365nm第二代UVi-line高壓汞燈365nm220-500nm800-250nm（最初為接觸/接近式光刻）第三代KrF準分子激光器248nm步進掃描投影式光刻80-150nm180-130nm第四代DUVArF193nm步進掃描投影式光刻浸沒式步進掃描投影式光刻57-90nm38nm130-65nm45-7nm第五代EUVEUV激發光源13.5nm極紫外一體式光刻13-22nm22-3nm

250nm以上 800-250nm資料來源：ASML官網，華經產業研究院，3資料來源：OfWeek光刻機市場競爭格局ASMLASMLCanonNikon在全球光刻機市場65.4%、8.4%、8.6%17.65%，ASML絕對領先。在EUV100%ArF領ArFImASMLKrFi-line領域，佳能占據較多份額，并已放棄尖端光刻機研發，專攻低階市場。圖4：2021年全球刻機場份額 圖5：2021年三大商各光刻銷量ASML

Nikon

Canon 其他

ASML Nikon Canon17.6%8.4%8.6%17.6%8.4%8.6%65.4%435173313122814210238ArFImArfDryi-line0 50 100 150 200資料來源：中商產業研究院， 資料來源：中商產業研究院，表10：國內外主要廠商各類別典型光刻機產品對比

最小分 最大光刻機nm孔徑nm孔徑EXE5000/5200≤80.55NA/＜1.11502023~2024極紫NXE3800E≤130.33第五代 外曝ASMLNXE3600D≤13光NXE3400C≤130.33NXE3300B≤22NA/≤31252013

曝光光源

曝光公司 型號方式

辨率/

圓片尺數值寸/mm

套刻精度/nm（SMO/MMO）

產出率片/小時)

首次推出年份300NA/300NA/＜1.1195-2202023NA/≤1.1nm 1602021≤1.4/≤1.5 135-145201713.5nmNXT2100i≤0.8/≤1.32952022NXT2050i≤1.0/≤1.52952020NXT2000i≤1.4/≤2.02752018ASMLNXT1980Ei300≤1.6/≤2.52952021浸沒≤1.6/≤2.52752015NXT1980Di式步≤2.0/≤3.52502013NXT1970Ci第四代

描曝NSR-S635E≤1.5/≤2.1275NSR-S635E≤1.5/≤2.12752017NSR-S631E≤1.7/≤2.3250-2702016尼康NSR-S625E200/300≤1.7/≤2.5 2802024NSR-S622D≤2.0/≤3.52202013NSR-S621D≤2.0/NA2002012光 器193nm

NXT1950i ≤2.5/NA 175 2008ASML干式步進掃描曝光

NXT1470 XT1460KXT1450H≤5.01622006XT1450H≤5.01622006ASMLPAS5500/1150C≤900.75200≤12/≤201351991尼康NSR-S322F≤650.92≤2.0/≤5.02302014上海微SSA600/20≤900.75200/300≤2080/1352018

0.93

NA/≤4.0 300≤3.5/≤5.0

20202016KrF準KrF準步進XT1060K0.93≤3.5/≤5.0205NA第三代

分子激

掃描

XT1000K

300

NA/≤6 180光 器 曝光

NXT870 0.80 NA/≤7.5 330248nm XT860N

0.80

200/300 NA/≤7.5 260NA/≤12 240-250300XT860K NA/≤12 210230≤3.0/≤6.0PAS5500/850D 230≤3.0/≤6.0NSR-S220D尼康

0.82

2017NSR-S210D 0.82 ≤9 176FPA-6300ES6a佳能

≤90 0.86 ≤8 200 NA200/300XT400L0.65XT400L0.65200/300NA/≤20230NA

≤130 0.70 ≤9 -FPA-3030EX6 ≤150 - ≤25 -SSC600/10 - - - NAi-line

ASML步進

XT400K 200/300 NA/≤35 220PAS5500/≤220 0.65 200 NA/≤25 150450F第二代

壓汞燈光 源

尼康 NSR-SF155 ≤280 0.62