電池車間工藝流程.襯底：透明導電層：非晶硅層：背電極層：

襯底：3.1mm玻璃透明導電層：SnO2、Zno、ITO非晶硅層：P、I、N背電極層：AZO、Al、Ni、SS一、電池基本原理

1、結構圖..雙結芯片單結芯片(限于芯片段)ETCHINSPECTION刻劃檢查EDGEGRINDING磨邊1stCLEANING一次清洗1stLASER激光一PREHEATING預熱爐DEPOSITION沉積COOLING-1冷卻-12ndLASER激光二8

CHAMBERPVD8室PVD3rdLASER激光三VAPORDEPOSITION蒸鍍PVCELLTESTING電池測試RWK:RE-PRESS返工：反壓HI-TEMPanneal退火B&CGRADE+SCRAPB級,C級和報廢產品SPOTWELDING點焊EDGING邊緣處理PVCELLWASH芯片清洗LAYOUT敷設LAMINATION(Front)層壓COOLING-2冷卻-2TRIMEDGE刮膠JUNCTIONBOX裝接線盒MODULETESTING組件測試EDGEPROTECTION邊緣保護SURFACECLEAN外觀清潔WELDJUNCTIONBOX焊接接線盒PACK包裝STACK裝柜SHIP發貨PECVDBACKPLATEWASH背板玻璃清洗RWK:ABNORMAL

ALUM返工：鋁帶異常SCRAP報廢產品2ndCLEANING二次清洗POURSEAL灌封SCRAP報廢產品RWK返工腐蝕返工抽檢RWK:Corrosion(Renew)返工：腐蝕(再生)PVCELLPV電池PVMODULE電池組件RWK:Etch返工：刻劃.二、電池制造工藝

1、流程圖

.磨邊:邊緣不傷手.一次清洗:使用清洗液去除表面油脂、粉塵等基片表面第一次潔凈要求水質干凈殘留離子較少利于1次激光刻劃.純水系統.反滲透原理.EDI原理..激光刻劃的基本原理（laser1）.一次激光波長1064nm紅外激光將導電層刻劃成一條條等面積的長條（前電極\正極）.二次清洗超聲波清洗沒有使用清洗劑清洗之后芯片直接裝入反應箱使用去離子水沖洗風刀烘干基片.PECVD1、工序：預熱、PECVD、冷卻2、在導電層上沉積多層不同摻雜的非晶硅薄膜，構成有一定結構的電池3、控制點：溫度、本底真空度、沉積壓力、氣體流量、電源功率、輝光時間、輝光穩定性4、清洗.PECVD沉積.PECVD沉積.2次激光532nm波長可見綠色使用綠光原因：因為非晶硅在0.5um波長的光吸收系數比較高將硅刻劃掉而沒有傷到導電層，將導電層保留用于電池電極之間的連接用與一次激光之間的距離和刻劃線寬是一個重要的管控點已激光一為基準線向右偏移50-80um，刻劃激光刻線二.激光刻劃的基本原理（laser2）.二次激光.PVD做一層或多層結構的金屬材料做電池收集電荷使用鋁材料做一層高放射層，將第一次通過硅層而為被吸收的光放射回硅層，二次吸收將二次激光刻劃的溝道填充，做成內聯電極，形成集成電路.磁控濺射背電極.三次激光532nm波長的綠激光器刻劃背電極的鋁膜,形成內部串聯集成電路不能劃傷透明導電層鋁膜必須完全刻斷線距和刻劃效果.三次激光.退火工藝降低薄膜制備過程中的材料內應力,提高材料的品質改善薄膜成膜結構狀態,降低材料缺陷提高薄膜穩定性,從而提高電池輸出的穩定通過熱處理方式改善材料的內部結構.測試1、光源2、標準光強3、電池參數4、測試機基本原理和設備結構..太陽電池的參數1、短路電流Isc-----在一定的光照下通常取AM1.5=100mw/cm2輸出端短路時，太陽電池的輸出電流。2、開路電流Voc---在一定的光照下(AM1.5)輸出端開路時，太陽電池的兩端的電壓。3、最大輸出功率Pm----“峰值功率”在一定光照下（AM1.5）太陽電池能夠輸出的最大功率。Pm=Im–Vm4、填充因數FF:

定義為：FF=Pm/(Isc*Voc)Pm=Ipm*Vpm即最大輸出功率與短路電流和開路電壓乘積的比(有時也把Isc*Voc稱作太陽電池的極限功率)，填充因數是太陽電池質量好壞的一個重要標志，FF越大，說明電池的最大輸出功率越接近極限輸出的功率。.5、轉換效率η-----在一定光照下（Am1.5(1000nw)/cm2），太陽電池的最大輸出功率Pm與入射光能之比。

η=Vm*Im/Pinη=pm/pin

轉換效率是一個太陽電池性能好壞的最主要的標志，顯然轉換效率越高太陽電池把太陽能轉換變成電能越強，太陽能的利用越高，在相同的條件下，輸出的電能越大。目前單晶硅電池，實驗室可排到18%，批量生產可達到14%。

非晶硅電池，實驗室可達到13.2%，批量生產可達到6-10%6、溫度系數電壓、電流，最大輸出功率的溫度系數是其他條件不變，溫度每升一度，參數相對變化。如：25℃