半導體物理與器件_常熟理工學院中國大學mooc課后章節答案期末考試題庫2023年集成電路的行業模式可以分為哪幾種？

參考答案:

IDM_Fab_Fabless

關于雜質半導體電阻率隨溫度的變化關系描述正確的有（）。

參考答案:

高溫下，當本征激發稱為主要矛盾時，其電阻率隨溫度升高而下降_當溫度升高到雜質基本電離，且本征激發不顯著時，晶格振動散射成為影響電阻率的主要因素_低溫下，半導體的電阻率隨溫度的升高而下降，主要因為載流子濃度隨溫度升高而升高，且雜質電離散射幾率隨溫度升高而下降

半導體的散射機構包括（）。

參考答案:

電離雜質散射_聲學波散射_晶格振動散射_光學波散射

當晶體中原子的間距越來越近時，開始出現（），能級越（），分裂的程度越顯著。

參考答案:

電子共有化運動，高

質量作用定律體現在哪些方面（）？

參考答案:

對于給定的半導體材料，只取決于溫度__與費米能級無關

處于強電離區的單一摻雜n型半導體，具有哪些特征？

參考答案:

__

晶格聲學波振動，代表（）的振動。

參考答案:

原胞質心的振動

電子占據雜質能級不可能發生的的情況是（）。

參考答案:

2個電子同時占據1個雜質能級

本征半導體的載流子來源于（）。

參考答案:

本征激發

電子直接從價帶躍遷到導帶的過程稱為（）。

參考答案:

本征激發

費米能級越高，代表系統中有更多（）能量的電子，費米能級以上的量子態幾乎是（）。

參考答案:

高，空的

簡并半導體，必須要用（）分布函數來描述電子和空穴的統計分布規律。

參考答案:

費米

（）是將雜質離子通過電場加速、磁場選擇注入到半導體晶片以調控半導體電學性質的摻雜手段。

參考答案:

離子注入

金剛石結構是由（）組成復式格子。

參考答案:

面心立方

若半導體中同時存在施主和受主摻雜，且施主摻雜濃度近似等于受主摻雜濃度，則該半導體稱為（）半導體？

參考答案:

高度補償

利用（）模型，可以對淺能級雜質的電離能進行估算？

參考答案:

類氫

下列哪個能級是屬于淺能級？【圖片】

參考答案:

EA1

當半導體硅中摻入磷原子時，如果磷原子替代硅原子，電離后其效果是形成一個（）中心和一個多余的（）。

參考答案:

正電中心，電子

一般把禁帶寬度大于或等于（）的半導體材料歸類為寬禁帶半導體材料。

參考答案:

2.3eV

絕緣體和半導體的能帶類似，但絕緣體的禁帶寬度一般要（）半導體的禁帶寬度。

參考答案:

大于

布洛赫波函數可以看著是振幅（）的平面波，波函數在某一點的強度代表電子出現的（）。

參考答案:

周期性變化，概率

（）是一把標尺，標志著半導體中電子填充能級的水平。

參考答案:

費米能級

原胞是晶體結構中體積最小的重復單元，它只包含（）個格點。

參考答案:

1

下圖中（三條紅線圍成的）晶面的的晶面指數是？【圖片】

參考答案:

（322）

多晶可以看成是由若干個（）組成的。

參考答案:

小單晶粒

試計算質量為1×10^(-30)kg,速度為1×10^6m/s的微觀粒子的德布羅意物質波波長？

參考答案:

6.62×10^（-9）m

根據能帶結構的特點，可以將半導體分為直接帶隙和（）半導體。

參考答案:

間接帶隙

當半導體雜質濃度超過一定數量后，載流子開始簡并化的現象稱為重摻雜，這種半導體稱為（）半導體。

參考答案:

簡并

平均自由時間的數值等于散射概率的（）。

參考答案:

倒數

晶體中能帶的特點有？

參考答案:

能帶與能帶之間存在禁帶_低能級形成的能帶寬度一般小于高能級形成的能帶寬度_能帶是準連續的

晶體結構可以抽象為（）加（）？

參考答案:

晶格點陣_基元

在硅、鍺和砷化鎵半導體中，一般情況下的主要散射是（）和晶格振動散射。

參考答案:

電離雜質散射##%_YZPRLFH_%##電離雜質

半導體晶體具有哪些特征？

參考答案:

周期性_各向異性

下列關于本征半導體，說法正確的有？

參考答案:

本征半導體的費米能級位于禁帶的中線附近_本征半導體是一塊沒有雜質和缺陷的半導體_本征半導體的電阻率隨溫度升高而單調下降_本征半導體中導帶電子濃度等于價帶空穴濃度

根據導電能力的大小，可以將物質分為哪幾類？

參考答案:

絕緣體_半導體_導體

單位場強下的平均漂移速度稱為（），它反映了載流子做漂移運動的能力。

參考答案:

遷移率

特定溫度下，對于給定的半導體材料，電導率是常數，與電場無關。

參考答案:

錯誤

本征激發占主導地位時，非簡并半導體的費米能級趨于禁帶的中線位置。

參考答案:

正確

一般情況下，禁帶寬度越大的