常用半導體器件第5章目前一頁\總數八十一頁\編于十八點5.1PN結及其單向導電性5.2半導體二極管5.3穩壓二極管5.6光電器件常用半導體器件第5章5.4半導體三極管5.5絕緣柵場效應管目前二頁\總數八十一頁\編于十八點本章學習目標理解電子和空穴兩種載流子及擴散運動和漂移運動的概念。掌握PN結的單向導電性。掌握二極管的伏安特性、主要參數及主要應用場合。掌握穩壓管的穩壓作用、主要參數及應用。理解三極管的工作原理、特性曲線、主要參數、放大作用和開關作用。會分析三極管的三種工作狀態。理解場效應管的恒流、夾斷、變阻三種工作狀態，了解場效應管的應用。目前三頁\總數八十一頁\編于十八點5.1PN結及其單向導電性5.1.1半導體基礎知識導體:自然界中很容易導電的物質.例如金屬。絕緣體：電阻率很高的物質，幾乎不導電;如橡皮、陶瓷、塑料和石英等。半導體：導電特性處于導體和絕緣體之間的物質，例如鍺、硅、砷化鎵和一些硫化物、氧化物等半導體的特點當受外界熱和光的作用時，它的導電能力明顯變化。往純凈的半導體中摻入某些雜質，會使它的導電能力明顯改變。目前四頁\總數八十一頁\編于十八點1.本征半導體GeSi本征半導體的導電機理純凈的半導體。如：硅和鍺1）最外層四個價電子。2）共價鍵結構+4+4+4+4共價鍵共用電子對+4表示除去價電子后的原子目前五頁\總數八十一頁\編于十八點共價鍵中的兩個電子被緊緊束縛在共價鍵中，稱為束縛電子，常溫下束縛電子很難脫離共價鍵成為自由電子，因此本征半導體中的自由電子很少，所以本征半導體的導電能力很弱。形成共價鍵后，每個原子的最外層電子是八個，構成穩定結構。共價鍵有很強的結合力，使原子規則排列，形成晶體。+4+4+4+4目前六頁\總數八十一頁\編于十八點3）在絕對0度和沒有外界激發時,價電子完全被共價鍵束縛著，本征半導體中沒有可以運動的帶電粒子（即載流子），它的導電能力為0，相當于絕緣體。+4+4+4+44）在熱或光激發下，使一些價電子獲得足夠的能量而脫離共價鍵的束縛，成為自由電子，同時共價鍵上留下一個空位，稱為空穴。+4+4+4+4空穴束縛電子自由電子目前七頁\總數八十一頁\編于十八點在其它力的作用下，空穴吸引臨近的電子來填補，這樣的結果相當于空穴的遷移，而空穴的遷移相當于正電荷的移動，因此可以認為空穴是載流子。+4+4+4+45）自由電子和空穴的運動形成電流因熱激發而出現的自由電子和空穴是同時成對出現的，稱為電子空穴對。目前八頁\總數八十一頁\編于十八點本征半導體的導電機理本征半導體中存在數量相等的兩種載流子，即自由電子和空穴。溫度越高載流子的濃度越高本征半導體的導電能力越強。本征半導體的導電能力取決于載流子的濃度。歸納目前九頁\總數八十一頁\編于十八點2.雜質半導體雜質半導體使某種載流子濃度大大增加。在本征半導體中摻入某些微量雜質。1）N型半導體在硅或鍺晶體（四價）中摻入少量的五價元素磷，使自由電子濃度大大增加。多數載流子（多子）：電子。取決于摻雜濃度；少數載流子（少子）：空穴。取決于溫度。目前十頁\總數八十一頁\編于十八點+4+4+5+4N型半導體多余電子磷原子目前十一頁\總數八十一頁\編于十八點2）P型半導體在硅或鍺晶體（四價）中摻入少量的三價元素硼，使空穴濃度大大增加。多數載流子（多子）：空穴。取決于摻雜濃度；少數載流子（少子）：電子。取決于溫度。+4+4+3+4空穴硼原子目前十二頁\總數八十一頁\編于十八點歸納3、雜質半導體中起導電作用的主要是多子。4、N型半導體中電子是多子，空穴是少子；P型半導體中空穴是多子，電子是少子。1、雜質半導體中兩種載流子濃度不同，分為多數載流子和少數載流子（簡稱多子、少子）。2、雜質半導體中多數載流子的數量取決于摻雜濃度，少數載流子的數量取決于溫度。◆◆◆◆目前十三頁\總數八十一頁\編于十八點雜質半導體的示意表示法－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－P型半導體++++++++++++++++++++++++N型半導體目前十四頁\總數八十一頁\編于十八點5.1.2PN結的形成在同一片半導體基片上，分別制造P型半導體和N型半導體，經過載流子的擴散，在它們的交界面處就形成了PN結。

因濃度差

多子的擴散運動由雜質離子形成空間電荷區

空間電荷區形成內電場

內電場促使少子漂移

內電場阻止多子擴散

目前十五頁\總數八十一頁\編于十八點P型半導體－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－N型半導體++++++++++++++++++++++++擴散運動內電場E漂移運動空間電荷區PN結處載流子的運動目前十六頁\總數八十一頁\編于十八點擴散的結果是使空間電荷區逐漸加寬。漂移運動P型半導體－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－N型半導體++++++++++++++++++++++++擴散運動內電場EPN結處載流子的運動內電場越強，就使漂移運動越強，而漂移使空間電荷區變薄。目前十七頁\總數八十一頁\編于十八點漂移運動P型半導體－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－N型半導體++++++++++++++++++++++++擴散運動內電場EPN結處載流子的運動所以擴散和漂移這一對相反的運動最終達到平衡，相當于兩個區之間沒有電荷運動，空間電荷區的厚度固定不變。目前十八頁\總數八十一頁\編于十八點－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－++++++++++++++++++++++++空間電荷區N型區P型區目前十九頁\總數八十一頁\編于十八點

1）PN結加正向電壓時的導電情況外加的正向電壓有一部分降落在PN結區，方向與PN結內電場方向相反，削弱了內電場。于是,內電場對多子擴散運動的阻礙減弱，擴散電流加大。擴散電流遠大于漂移電流，可忽略漂移電流的影響，PN結呈現低阻性。目前二十頁\總數八十一頁\編于十八點2.PN結加反向電壓時的導電情況

外加的反向電壓有一部分降落在PN結區，方向與PN結內電場方向相同，加強了內電場。內電場對多子擴散運動的阻礙增強，擴散電流大大減小。此時PN結區的少子在內電場的作用下形成的漂移電流大于擴散電流，可忽略擴散電流，PN結呈現高阻性。在一定的溫度條件下，由本征激發決定的少子濃度是一定的，故少子形成的漂移電流是恒定的，基本上與所加反向電壓的大小無關，這個電流也稱為反向飽和電流。目前二十一頁\總數八十一頁\編于十八點空間電荷區中沒有載流子。空間電荷區中內電場阻礙多子（P中的空穴、N中的電子）的擴散運動。P中的電子和N中的空穴（都是少子），數量有限，因此由它們形成的漂移電流很小。空間電荷區中內電場推動少子（P中的電子、N中的空穴）的漂移運動。目前二十二頁\總數八十一頁\編于十八點5.1.3PN結的單向導電性PN結加正向電壓（正向偏置）：P區接電源的正極、N區接電源的負極。PN結加反向電壓（反向偏置）：P區接電源的負極、N區接電源的正極。目前二十三頁\總數八十一頁\編于十八點PN結正向偏置－－－－++++內電場外電場變薄PN+_內電場被削弱，多子的擴散加強能夠形成較大的擴散電流。I正目前二十四頁\總數八十一頁\編于十八點PN結反向偏置－－－－++++內電場外電場變厚NP+_內電場被被加強，多子的擴散受抑制。少子漂移加強，但少子數量有限，只能形成較小的反向電流。I反目前二十五頁\總數八十一頁\編于十八點PN結的單向導電性正向特性反向特性歸納◆◆P（+），N（-），外電場削弱內電場，結導通，I大；I的大小與外加電壓有關；P（-），N（+），外電場增強內電場，結不通，I反很小；I反的大小與少子的數量有關，與溫度有關；目前二十六頁\總數八十一頁\編于十八點5.2半導體二極管5.2.1基本結構PN結+

管殼和引線PN陽極陰極符號：VD目前二十七頁\總數八十一頁\編于十八點半導體二極管目前二十八頁\總數八十一頁\編于十八點半導體二極管目前二十九頁\總數八十一頁\編于十八點半導體二極管目前三十頁\總數八十一頁\編于十八點5.2.2伏安特性UI死區電壓硅管0.6V,鍺管0.2V。導通壓降:硅管0.6~0.7V,鍺管0.2~0.3V。反向擊穿電壓U(BR)正向特性：EVDI反向特性：EVDI反U<死區電壓，不通；U>死區電壓，導通；UII反很小，與溫度有關；U擊穿電壓，擊穿導通；I

目前三十一頁\總數八十一頁\編于十八點5.2.3主要參數1.最大整流電流IOM2.最大反向工作電壓URM二極管長期使用時，允許流過二極管的最大正向平均電流。二極管正常工作時允許承受的最大反向工作電壓。手冊上給出的最高反向工作電壓URM一般是UBR的一半。3.最大反向電流IRM指二極管加反向峰值工作電壓時的反向電流。反向電流大，說明管子的單向導電性差，因此反向電流越小越好。反向電流受溫度的影響，溫度越高反向電流越大。硅管的反向電流較小，鍺管的反向電流要大幾十到幾百倍。目前三十二頁\總數八十一頁\編于十八點1.理想二極管U>0，VD導通；UD=0，I取決于外電路；相當于一個閉合的開關EVDIUDEIUU

0，VD截止；I=0，UD（負值）取決于外電路；相當于一個斷開的開關EVDI反UDEI反U5.2.4應用舉例目前三十三頁\總數八十一頁\編于十八點2.二極管的應用電路如圖示：已知E=5V，ui=10sintVRVDEuiuO解：此類電路的分析方法：當D的陽極電位高于陰極電位時，D導通，將D作為一短路線；當D的陽極電位低于陰極電位時，D截止，將D作為一斷開的開關；將二極管看成理想二極管uituOt10V5V5V削波例1求：uO的波形目前三十四頁\總數八十一頁\編于十八點RRLuiuRuotttuiuRuo設=RC

tp，求uo的波形tp例2目前三十五頁\總數八十一頁\編于十八點電路如圖示：已知

VA=3VVB=0V求：VF=？解：此類電路的分析方法：將二極管看成理想二極管。當幾個二極管共陽極或共陰極連接時，承受正向電壓高的二極管先導通。VDB通，VF=0VRVDAAVDBB+12VF箝位隔離例3目前三十六頁\總數八十一頁\編于十八點5.3穩壓二極管UIUZIZIZmaxUZIZ曲線越陡，電壓越穩定。1.結構和符號：結構同二極管2.伏安特性：穩壓值同二極管VDZ穩壓誤差+-+-目前三十七頁\總數八十一頁\編于十八點3.主要參數1）穩定電壓UZ2）動態電阻ZZIUZrdd=3）穩定電流IZ、最大、最小穩定電流Izmax、Izmin。4）最大允許功耗UIUZIZminIZmax目前三十八頁\總數八十一頁\編于十八點4.穩壓管與二極管的主要區別穩壓管運用在反向擊穿區二極管運用在正向區；穩壓管比二極管的反向特性更陡。目前三十九頁\總數八十一頁\編于十八點

穩壓二極管在工作時應反接，并串入一只電阻。電阻的作用一是起限流作用，以保護穩壓管；其次是當輸入電壓或負載電流變化時，通過該電阻上電壓降的變化，取出誤差信號以調節穩壓管的工作電流，從而起到穩壓作用。UOVDZRRL+－目前四十頁\總數八十一頁\編于十八點已知圖示電路中，UZ=6V，最小穩定電流IZmin=5mA，最大穩定電流IZmax=25mA，負載電阻RL=600Ω，求限流電阻R的取值范圍。RIRUOVDZRLILIDZ+－UI=10V解：由：得：uiO△u△iIZUZIZM例4目前四十一頁\總數八十一頁\編于十八點5.4半導體三極管5.4.1三極管的基本結構NPN型PNP型BEC基極發射極集電極NNPPPNBEC發射極集電極基極目前四十二頁\總數八十一頁\編于十八點基區：較薄，摻雜濃度低集電區：面積較大發射區：摻雜濃度較高BEC基極發射極集電極NNP目前四十三頁\總數八十一頁\編于十八點BEC基極發射極集電極NNP發射結集電結目前四十四頁\總數八十一頁\編于十八點1.放大狀態BECNNPEBRBEcRC5.4.2三極管的工作原理放大的條件：發射結正偏，集電結反偏EB保證發射結正偏，EC>EB保證集電結反偏。目前四十五頁\總數八十一頁\編于十八點進入P區的電子少部分與基區的空穴復合，形成電流IB

，多數擴散到集電結。BECNNPEBRBEc發射結正偏，發射區電子不斷向基區擴散，形成發射極電流IE。IEIBRCIB目前四十六頁\總數八十一頁\編于十八點從基區擴散來的電子作為集電結的少子，漂移進入集電結而被收集，形成IC。BECNNPEBRBEcIEICIBICRCIB目前四十七頁\總數八十一頁\編于十八點IC與IB之比稱為電流放大倍數靜態電流放大系數：動態電流放大系數：通常：目前四十八頁\總數八十一頁\編于十八點BECIBIEICNPN型三極管BECIBIEICPNP型三極管注意！只有：發射結正偏，集電結反偏，晶體管才能工作在放大狀態。目前四十九頁\總數八十一頁\編于十八點2.飽和狀態當三極管的UCE<UBE時，BC結處于正向偏置，此時，即使再增加IB，IC也不會增加了。飽和狀態飽和的三極管相當于一個閉合的開關3.截止狀態當三極管的UBE<UT時，BE結處于反向偏置。截止狀態飽和的三極管相當于一個斷開的開關目前五十頁\總數八十一頁\編于十八點5.3.4三極管的特性曲線ICmAAVVUCEUBERBIBECEB實驗線路：輸入特性：輸出特性：發射結電壓UBE與基極電流IB的關系；集電極電流IC與管壓降UCE的關系。目前五十一頁\總數八十一頁\編于十八點死區電壓，硅管0.5V，鍺管0.2V（1）輸入特性IB(A)UBE(V)204060800.40.8UCE1VUBEIB工作壓降：硅管UBE0.6~0.7V,鍺管UBE0.2~0.3V目前五十二頁\總數八十一頁\編于十八點（2）輸出特性IC(mA)1234UCE(V)36912IB=020A40A60A80A100A當UCE大于一定的數值時，IC只與IB有關，IC=IB。此區域滿足IC=IB稱為線性區（放大區）。目前五十三頁\總數八十一頁\編于十八點IC(mA)1234UCE(V)36912IB=020A40A60A80A100A此區域UCEUBE,集電結正偏，IB>IC，UCE0.3V稱為飽和區。目前五十四頁\總數八十一頁\編于十八點IC(mA)1234UCE(V)36912IB=020A40A60A80A100A此區域中:IB=0,IC=ICEO,UBE<死區電壓，稱為截止區。目前五十五頁\總數八十一頁\編于十八點特性歸納輸入特性同二極管的正向特性UBE

IB輸出特性一組曲線（一個IB對應一條曲線）UBE>0，UCE>UBE發射結正偏，集電結反偏IC=

IB電流放大作用UBE<0，IB0

發射結反偏UBE>0，UCE<UBEIC=

IB發射結正偏，集電結正偏無電流放大作用放大區截止區飽和區目前五十六頁\總數八十一頁\編于十八點IC(mA)1234UCE(V)36912IB=020A40A60A80A100A目前五十七頁\總數八十一頁\編于十八點5.4.4主要參數直流電流放大倍數：1.電流放大倍數交流電流放大倍數：兩者非常接近，通常用作：一般為20~200目前五十八頁\總數八十一頁\編于十八點2.集-射極反向截止電流ICEOAICEO基極開路時的集電極電流。隨溫度變化。所以集電極電流應為：IC=

IB+ICEO而ICEO受溫度影響很大，當溫度上升時，ICEO增加很快，所以IC也相應增加。三極管的溫度特性較差。目前五十九頁\總數八十一頁\編于十八點3.集電極最大電流ICM集電極電流IC上升會導致三極管的值的下降，當值下降到正常值的三分之二時的集電極電流即為ICM。4.集電極最大允許功耗PCMPC=ICUCE必定導致結溫上升，所以PC有限制。PCPCM目前六十頁\總數八十一頁\編于十八點5.集-射極反向擊穿電壓當集---射極之間的電壓UCE超過一定的數值時，三極管就會被擊穿。手冊上給出的數值是25C、基極開路時的擊穿電壓U(BR)CEO。6.集電極最大允許功耗PCM集電極電流IC流過三極管，所發出的焦耳熱為：PC=ICUCE必定導致結溫上升，所以PC有限制。PCPCM目前六十一頁\總數八十一頁\編于十八點ICUCEICUCE=PCMICMU(BR)CEO安全工作區目前六十二頁\總數八十一頁\編于十八點5.5絕緣柵型場效應管場效應管是一種利用電場效應來控制電流的半導體器件。其作用有放大、開關、可變電阻。特點：輸入電阻很大；便于集成分類：結型（N溝道、P溝道）

絕緣柵型增強型（N溝道、P溝道） 耗盡型（N溝道、P溝道）目前六十三頁\總數八十一頁\編于十八點5.5.1基本結構和工作原理P型硅襯底源極柵極漏極PNNGSDSiO2絕緣層兩個N區襯底引線1.基本結構N溝道增強型金屬鋁導電溝道GSD源極柵極漏極目前六十四頁\總數八十一頁\編于十八點N溝道耗盡型預埋了導電溝道GSDPNNGSD目前六十五頁\總數八十一頁\編于十八點GSDP溝道增強型NPPGSD源極柵極漏極目前六十六頁\總數八十一頁\編于十八點P溝道耗盡型GSD預埋了導電溝道NPPGSD目前六十七頁\總數八十一頁\編于十八點2.MOS管的工作原理以N溝道增強型為例UDSUGSPNNGSD目前六十八頁\總數八十一頁\編于十八點PNNGSDUDSUGSUGS=0時D-S間相當于兩個反接的PN結ID=0對應截止區目前六十九頁\總數八十一頁\編于十八點PNNGSDUDSUGSUGS>0時UGS足夠大時（UGS>UTH）感應出足夠多電子，這里以電子導電為主出現N型的導電溝道。感應出電子UTH稱為開啟電壓目前七十頁\總數八十一頁\編于十八點PNNGSDUDSUGSUGS較小時，導電溝道相當于電阻將D-S連接起來，UGS越大此電阻越小。目前七十一頁\總數八十一頁\編于十八點5.5.2增強型N溝道MOS管的特性曲線0IDUGSVT跨導：當漏源間電壓UDS保持一定值時，漏極電流ID與柵源極電壓UGS的關系曲線。1.轉移特性目前七十二頁\總數八十一頁\編于十八點當柵源間電壓UGS

UTH并保持一定值時，漏極電流ID與漏源極電壓UDS的關系曲線IDUDS0UGS=3VUGS=4VUGS=5VⅠⅡⅠ區：UDS較小時ID隨