常用半導體器件課堂練習一、填空題1.P型半導體的多數載流子是，少數載流子的是；N型半導體的多數載流子是，少數載流子是。2.PN結正偏時，P區接電源的極，N區接電源的極；PN接反偏時，P區接電源的極3.二極管的主要特性是，硅二極管的死區電壓約V，鍺二極管的死區電壓約V。4.硅二極管導通時的正向壓降約V，鍺二級管導通時的正向壓降約V.5.使用二極管時，應考慮的主要參數是、、。6.晶體三極管有兩個PN結，即結和結；按基區的不同分為有型和型。7.某晶體三極管的Uce不變，基極電流Ib=30A時，Ic=1.2mA，則發射極電流Ie=mA，如果基極電流Ib增大到50A時，Ic增加到2mA，則發射極電流Ie=mA,三極管的電流放大系數=。8.晶體三極管的輸入特性是指。9.硅三極管發射結的死區電壓約V，鍺三極管發射結的死區電壓約V．晶體三極管處在正常放大狀態時，硅管發射結的導通電壓約V,鍺管發射結的導通電壓約V.10.晶體三極管的輸出特性可分為三個區域，即區區和區。11.晶體三極管發射極電流Ie，基極電流Ib和集電極電流Ic之間的關系式，其中Ic/I叫做用表示；ΔIc/ΔIb叫做用表示。12.晶體三級管的三個主要極限參數是、和三極管正常工作時，應滿足、和。二、單項選擇題1.半導體中傳導電流的載流子是（）A電子B空穴C電子和空穴2.P型半導體是（）A純凈半導體B摻雜半導體C帶點半導體3.PN結形成以后，它的最大特點是具有（）A導電性B絕緣性C單向導電性4.當晶體三極管的發射結正偏，集電結反偏時，該管工作在（）Ａ.放大狀態Ｂ.飽和狀態Ｃ.截止狀態5.用直流電壓表測量ＮＰＮ型晶體三極管中管子各極電位是Ｕｂ＝４.７Ｖ，Ｕｃ＝４.３Ｖ，Ｕｅ＝４Ｖ，則該晶體三極管的工作狀態是（）Ａ.截止狀態Ｂ.飽和狀態Ｃ.放大狀態6.晶體三極管各電極對地電位如圖１－６所示，工作于飽和狀態的三極管是（）7.滿足Ｉｃ＝Ｉｂ的關系，晶體三極管工作在（）Ａ.飽和區Ｂ.放大區Ｃ.截止區8.晶體三極管處于飽和狀態時，它的集電極電流將（）Ａ隨基極電流的增加而增加Ｂ隨基極電流的增加而減小Ｃ與基極電流變化無關，只取決于Ｕｃｃ和Ｒｃ。9.三極管輸出特性曲線中，當Ｉb＝０時，Ｉｃ等于（）Ａ.ＩｃｍＢ.ＩｃｂｏＣ.Ｉｃｅｏ10.有三只晶體三極管，除和Ｉｃｅｏ不同外，其他參數一樣，用作放大器件時，應選用（）Ａ.＝５０，Ｉｃｅｏ＝０.５ｍＡＢ.＝１４０，Ｉｃｅｏ＝２.５ｍＡＣ.＝１０，Ｉｃｅｏ＝０.５ｍＡ11.用萬用表Ｒ×１ｋ擋測量一只正常的三極管，若用紅表棒接觸一只管腳，黑表棒分別接觸另外兩只管腳時測得的電阻均很大則該三極管是（）Ａ.ＰＮＰ型Ｂ.ＮＰＮ型Ｃ.無法確定12.三極管放大作用的實質是（）Ａ.三極管可以把小電流放大成大電流Ｂ.三極管可以把小電流放大成大電壓Ｃ.三極管可以用較小的電流控制較大的電流。三、判斷題1.只有單晶硅或者鍺才能制作半導體器件。（）2.在硅或鍺晶體中摻入五價元素形成P型半導體。（）3在硅或鍺晶體中摻入三價元素形成N型導體。（）4.PN結正向偏置時電阻小，反向偏置時電阻大。（）5.PN結正向偏置時導通，反向偏置時截止。（）6.PN結反向偏置時，反向電流隨反向電壓增大而增大。（）7.無論是哪種類型的晶體二極管，其正向電壓都為0.3V左右。（）8.晶體二極管的反向飽和電流越大，二極管的質量越好。（）9.當反向電壓小于反向擊穿電壓時，二極管的反向電流很小，當反向電壓大于反向擊穿電壓后，其反向電流迅速增加。（）10.在圖1-1中，晶體二極管V若為硅管則能導通，為鍺管則不通。（）四、簡答題1．試述PN結的特性2．什么是晶體三極管的電流放大系數？和hfe有什么區別？3．晶體三極管的主要功能是什么？放大的實質是什么？晶體三極管為什么具有電流放大作用？4．如何用萬用表判別晶體三極管的管腳和極性？如何判別是硅管或鍺管常用半導體器件課堂練習參考答案一、填空題1、空穴、自由電子、自由電子、空穴2、正、負、負3、單向導電、0.5、0.24、0.7、0.35、最大整流電流、最高方向工作電壓、反向電流6、集電、發射、PNP、NPN7、1.23、2.05、408、在UCE一定的條件下，加在三極管基極與發射極之間的電壓UBE和基極電流IB之間的關系曲線9、0.5、0.2、0.7、0.310、放大、截止、飽和11、IE=IB+IC=(1+β）IB、直流電流放大系數、hFE、三極管的電流放大系數、β12、集電極最大電流ICM、集電極—發射極反向擊穿電壓U(BR)CEO、集電極最大允許耗散功率PCM二、單項選擇題1、C2、B3、C4、A5、C6、C7、b8、C9、C10、A11、B12、C三、判斷題1、×2、√3、√4、√5、×6、×7、×8、×9、√10、×四、簡答題1、把P型材料和N型材料用特殊的工藝使它們結合在一起，在它們的叫界面處就會形成一個特殊的空間電荷區，這個電荷區就叫“PN結”。它是一個電荷阻擋層，具有變阻、變容等多種特性，但最主要的特性是單向導電性，即當PN結加正向電壓時導通，當PN結加反向電壓時截至。2、晶體三極管的電流放大系數表示在共發射極電路中三極管集電極電流的變化量與基極電流變化量的比值，它反映三極管的交流電流放大能力，用β表示。hfe表示在共發射極電路中，UCE為規定值且無交流信號輸入時，集電極電流和基極電流的比。3、晶體三極管的主要功能是電流放大作用，其放大的實質是用較小的基極電流控制較大的集電極電流。三極管的電流放大原理是：從發射區到基區的電子中，只有很小的一部分與基區的空穴復合而形成基極電流Ib，絕大部分電子能通過基區并被集電區收集而形成集電極電流Ic，因此集電極電流Ic就會比基極電流Ib大的多，這就是晶體三極管的電流放大作用的原理。4、b極和管型的判斷：以黑表筆為準，紅表筆接另外兩極，如果阻值都很小，則黑表筆所接為NPN型b極，；以紅表筆為準筆，黑表筆接另外兩極，如果阻值都很小，則黑表筆所借為PNP型b極。c極和e極的判斷：對于NPN型三極管，用黑表筆接假定的c極，紅表筆接假定的e極，然后用手指觸及b極和c極，記住表針擺動幅度，然后把黑、紅表筆再按反相假定接一次，重復上述過程，其中擺動幅度較