半導體MOS管檢驗作業指引起草者：賀俊杰日期：2009年09月11日核對者：日期：2009年月 日批準者：日期：2009年月 日精品文檔，歡迎下載！

REVISERECORD文件修訂記錄REV版本ECONq更改通知REVISEDETALL修訂簡述DATE日期PREPART制 定CHECK審核APPROVE批 準A/0/首次發彳丁09-9-11賀俊杰東莞市樂科電子有^公司、八r>.,”、1——?八廠-rk .、亠文件名稱文號管制印早半導體MOS管檢驗作業指引版本日期第2貝共5貝一、 目的：規范半導體MOS管檢驗過程和檢驗方法的一致性和準確性。二、 職責：1、 技術員負責該標準的執行，并認真做好相關記錄。所有的實驗，在沒有特殊規定的情況下，一律按本標準進行測試。2、 零件承認工程師負責監督技術員的執行情況和相關報告的審核，并負責所屬樣件作業指引的制定。3、 部門負責人負責本標準的審批。三、 半導體NOS管檢測項目：1、 外觀檢驗項目：1.1、 表面標識正確，清晰易辯、無模糊，內容符合文件要求。1.2、 本體無裂痕、邊角破損、刮花或凹陷等不良現象。1.3、 引腳無氧化發黑、無斷裂、銹蝕、批鋒、壓痕、變形、污漬等不良現象。1.4、 尺寸參數與樣品規格書規定的標準相符。2、 性能檢驗項目：、極性判斷：a） 判定柵極G：將萬用表撥至Rx1k檔分別測量三個管腳之間的電阻。若發現某腳與其字兩腳的電阻均呈無窮大，并且交換表筆后仍為無窮大，則證明此腳為G極，因為它和另外兩個管腳是絕緣的。b） 判定源極S、漏極D：在源-漏之間有一個PN結，因此根據PN結正、反向電阻存在差異，可識別S極與D極。用交換表筆法測兩次電阻，其中電阻值較低（一般為幾千歐至十幾千歐）的一次為正向電阻，此時黑表筆的是S極，紅表筆接D極。2.2、漏-源極擊穿電壓測試Vdss：a） 測試條件：1、 環境溫度Ta=25°C；2、 測試電流IDs與部品規格書上的測試電流相同。b） 測試設備：半導體管特性圖示儀XJ4810c） 測試方法：把圖示儀的二極管測試臺引兩根引線出來，正電極接MOS管的漏極D,負電極接MOS管的源、柵極（源極和柵極短路），接上后，再調節Y軸電流按鈕和X軸電壓按鈕到指定的電壓電流；最后慢慢地把調制峰值電壓按鈕從0%往上調高，當LCD面板的坐標圖顯示D、S極被擊穿時，其讀數為M0S管的源、漏極的擊穿電壓VDDS值。d） 測試結果判斷：100%抽檢品的擊穿電壓值一定在規格書的范圍值內，否則NG。

2.3、漏、源極漏電流測試：a） 測試條件：1、 環境溫度Ta=25°C；2、 測試電壓與部品規格書上的測試電壓相同。b） 測試設備：1、可調直流電源；）c）測試方法」+J把測試設備和被測4+J把測試設備和被測4、機械性檢測:被可調直4測流電源Ag匚門管MOS管如圖猱戔路連接豔，然后將可麒流電源輸出電壓VOUT調到指定的測試電壓V時，電流表所測的讀數即為MOS管的漏、源極漏電流I值。DS DSSd）測試結果判斷：100%抽檢品的漏電流Idss值一定在規格書范圍值內，否則NG。3、3、MOS管引腳端應易于粘錫（錫爐溫度為260±5C吃錫時間為2-3S）,引出端長度2/3的可焊面積應大于95%，浸錫后錫面應光亮、均勻。a） 引腳拉力強度：將MOS管本體進行固定，在其引腳與本之間施加一個2Kg拉力，施加時間為10±1S,實驗后引腳不可斷裂，本體不可有拉傷現象，其電氣性能要符合規格書要求；否則為不合格。b） 引腳彎折強度：將MOS管本體進行固定，在管腳上進行來回90°彎折，彎折次數為10次，實驗后其引針不可斷裂，其電氣性能要符合規格書要求；否則為不合格。5、標示耐擦性檢測：用干凈棉布沾上酒精在樣品上來回擦拭五遍，觀察樣品表面字跡不可出現變色、模糊不清或無法辨認等異常。四、注意事項：1、 首次采購的原材料均應通過新品認定試驗。2、 新品認定試驗由公司研發部門或由用戶指定或委托的質量檢驗單位負責進行。3、 進行新品認定試驗的樣品數量不少于20PCS。4、 試驗中出現異常，或某些項目通不過，應停止檢驗，查出異常原因，寫出異常分析報告后，再進行該項目的試驗。在整個檢驗中再次出