ICS77040

H21.

中華人民共和國有色金屬行業標準

YS/T14—2015

代替

YS/T14—1991

異質外延層和硅多晶層厚度的測量方法

Testmethodforthicknessofheteroepitaxylayersandpolycrystallinelayers

2015-04-30發布2015-10-01實施

中華人民共和國工業和信息化部發布

中華人民共和國有色金屬

行業標準

異質外延層和硅多晶層厚度的測量方法

YS/T14—2015

*

中國標準出版社出版發行

北京市朝陽區和平里西街甲號

2(100029)

北京市西城區三里河北街號

16(100045)

網址

:

服務熱線

:400-168-0010

年月第一版

20164

*

書號

:155066·2-29136

版權專有侵權必究

YS/T14—2015

前言

本標準按照給出的規則起草

GB/T1.1—2009。

本標準代替異質外延層和硅多晶層厚度的測量方法

YS/T14—1991《》。

本標準與異質外延層和硅多晶層厚度的測量方法相比主要變化如下

YS/T14—1991《》:

測量范圍由改為

———1μm~20μm1μm~100μm;

增加了規范性引用文件和干擾因素

———;

方法提要中用表面臺階儀測量臺階高度代替表面光潔度儀測量臺階高度

———;

修改了試樣制備過程測量步驟及圖圖

———、1、2;

重新計算了精密度

———。

本標準由全國有色金屬標準化技術委員會提出并歸口

(SAC/TC243)。

本標準起草單位南京國盛電子有限公司有研新材料股份有限公司上海晶盟硅材料有限公司

:、、。

本標準主要起草人馬林寶楊帆葛華劉小青孫燕徐新華

:、、、、、。

本標準所代替標準的歷次版本發布情況為

:

———YS/T14—1991。

Ⅰ

YS/T14—2015

異質外延層和硅多晶層厚度的測量方法

1范圍

本標準規定了異質外延層和硅多晶層厚度的測量方法

。

本標準適用于測量襯底與沉積層之間界面層厚度小于的異質外延層和硅多晶層的厚度

100nm,

測量范圍為

1μm~100μm。

2規范性引用文件

下列文件對于本文件的應用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

硅片電阻率測定擴展電阻探針法

GB/T6617

半導體材料術語

GB/T14264

重摻雜襯底上輕摻雜硅外延層厚度的紅外反射測量方法

GB/T14847

3術語和定義

界定的術語和定義適用于本文件

GB/T14264。

4方法提要

在待測試樣的表面除留出一定測量區域外全部用蠟掩藏將預留區域內的被測量層腐蝕掉形成

,,,

一個臺階除去掩膜蠟用表面臺階儀測量臺階的高度便可得到異質外延層或硅多晶層的厚度

。,,。

5干擾因素

51環境溫濕度儀器震動會影響測量結果

.、。

52試樣表面處理后的光潔度會影響測量軌跡

.。

53兩條測量軌跡線的不平行度會影響測量精度

.。

6試劑和材料

61氫氟酸ρ分析純

.:=1.15g/mL,。

62硝酸ρ分析純

.:=1.42g/mL,。

63高純水電阻率大于

.:2MΩ·cm(25℃)。

64三氯乙烯分析純

.:。

65無水乙醇分析純

.:。

66化學腐蝕劑氫氟酸硝酸的混合液

.A:(6.1)∶