標準解讀

《GB/T 6619-2009 硅片彎曲度測試方法》與《GB/T 6619-1995 硅片彎曲度測試方法》相比,在多個方面進行了修訂和完善。這些變化主要包括術語定義的更新、測量設備要求的明確化、以及測試步驟和數據處理方式的具體化。

在術語部分,《GB/T 6619-2009》對“硅片彎曲度”等關鍵概念給出了更加準確的定義,確保了行業內外對于該標準的理解一致性。同時,新版本還增加了對不同種類硅片(如單晶硅片、多晶硅片)適用性的說明,擴大了標準的應用范圍。

關于測量設備,《GB/T 6619-2009》不僅指定了使用哪種類型的儀器進行檢測,而且詳細規定了其精度要求和技術參數,這有助于提高測試結果的一致性和可靠性。此外,新版標準還強調了環境條件控制的重要性,比如溫度和濕度等因素如何影響最終的測量值。

測試程序方面,《GB/T 6619-2009》細化了樣品準備、放置位置、讀數記錄等一系列操作流程,并且引入了更為科學的數據分析方法來評估硅片的彎曲程度。通過這種方式,可以更精確地反映硅片的實際狀態,減少人為因素造成的誤差。


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  • 2009-10-30 頒布
  • 2010-06-01 實施
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文檔簡介

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中華人民共和國國家標準

犌犅/犜6619—2009

代替GB/T6619—1995

硅片彎曲度測試方法

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20091030發布20100601實施

中華人民共和國國家質量監督檢驗檢疫總局

發布

中國國家標準化管理委員會

中華人民共和國

國家標準

硅片彎曲度測試方法

GB/T6619—2009

中國標準出版社出版發行

北京復興門外三里河北街16號

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開本880×12301/16印張0.75字數16千字

2010年1月第一版2010年1月第一次印刷

書號:155066·139560

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版權專有侵權必究

舉報電話:(010)68533533

犌犅/犜6619—2009

前言

本標準修改采用SEMIMF5340706《硅片彎曲度測試方法》。

本標準與SEMIMF5340706相比,主要變化如下:

———本標準接觸式測量方法格式按GB/T1.1格式編排;

———本標準根據我國實際生產情況增加了非接觸式測量方法。

本標準代替GB/T6619—1995《硅片彎曲度測試方法》。

本標準與GB/T6619—1995相比,主要有如下變動:

———擴大了可測量硅片范圍為直徑不小于25mm,厚度為不小于180μm,直徑和厚度比值不大于

250的圓形硅片;

———增加了引用文件、術語、意義用途、測量環境條件和干擾因素等章節;

———修改了儀器校正的內容。

本標準由全國半導體設備和材料標準化技術委員會(SAC/TC203)提出。

本標準由全國半導體設備和材料標準化技術委員會材料分技術委員會歸口。

本標準起草單位:洛陽單晶硅有限責任公司。

本標準主要起草人:劉玉芹、蔣建國、馮校亮、張靜雯。

本標準所替代標準的歷次版本發布情況為:

———GB6619—1986、GB/T6619—1995。

犌犅/犜6619—2009

硅片彎曲度測試方法

方法1接觸式測量方法

1范圍

本標準規定了硅單晶切割片、研磨片、拋光片(以下簡稱硅片)彎曲度的接觸式測量方法。

本標準適用于測量直徑不小于25mm,厚度為不小于180μm,直徑和厚度比值不大于250的圓形

硅片的彎曲度。本測試方法的目的是用于來料驗收和過程控制。本標準也適用于測量其他半導體圓片

彎曲度。

2規范性引用文件

下列文件中的條款通過本標準的引用而成為本標準的條款。凡是注日期的引用文件,其隨后所有

的修改單(不包括勘誤的內容)或修訂版均不適用于本標準,然而,鼓勵根據本標準達成協議的各方研究

是否可使用這些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件,其最新版本適用于本標準。

GB/T2828.1計數抽樣檢驗程序第1部分:按接收質量限(AQL)檢索的逐批檢驗抽樣計劃

(GB/T2828.1—2003,ISO28591:1999,IDT)

GB/T14264半導體

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