標準解讀

《GB/T 6619-1995 硅片彎曲度測試方法》相對于《GB 6619-1986》主要在以下幾個方面進行了調整和完善：

  1. 標準性質的變化：從強制性國家標準（GB）轉變為推薦性國家標準（GB/T），表明該標準更側重于提供技術指導而非強制執行。
  2. 測試方法的改進與補充：新版本可能引入了更加精確或簡便的測量手段，以適應硅片制造技術的發展。例如，對于特定尺寸和類型的硅片，增加了新的檢測項目或者優化了原有的測量流程。
  3. 技術參數及要求的更新：隨著行業技術的進步，《GB/T 6619-1995》可能對硅片彎曲度的具體數值范圍、允許偏差等指標做出了相應調整，使之更能反映當前技術水平下的產品質量要求。
  4. 文本結構與表述方式的優化：新版標準或許重新組織了內容框架，使用更為清晰準確的語言來描述各項規定，便于使用者理解和操作。
  5. 參考文獻及相關規范引用的更新：考慮到相關領域內其他標準和技術文件也可能經歷了修訂，《GB/T 6619-1995》對其所引用的標準版本號等信息進行了同步更新，確保一致性與時效性。

這些變化反映了我國在半導體材料特別是硅片加工質量控制方面技術水平的提升以及標準化工作的不斷完善。


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  • 被代替
  • 已被新標準代替，建議下載現行標準GB/T 6619-2009
  • 1995-04-18 頒布
  • 1995-12-01 實施
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文檔簡介

PDC.669.782-415：620.173.26H21中華人民共和國國家標準GB/T6619-一—1995硅片彎曲度測試方法Testmethodsforbowofsiliconslices1995-04-18發布1995-12-01實施國家技術監督局發布

中華人民共和國國家標準CB/T6619-1995硅片彎曲度測試方法代替GB6619-86Testmethodsforbowofsiliconslices第一篇：方法4一接觸式測試方法主題內客與適用范圍本標準規定了硅單品切割片、研磨片、拋光片(以下筒稱硅片)彎曲度的接觸式測量方法。本標準適用于測量直徑大于50mm,厚度為200～1000m的圓形硅片的彎曲度。本標準也適用于測量其他半導體圓片彎曲度。方法原理將硅片置于基準環的3個支點上,3支點形成一個基準平面,用低壓力位移指示器測量硅片中心偏離基準平面的距離，該距離表示硅片的彎曲度3測量儀器3.1基準環基準環是由基座、3個支撐球、3個定位柱組成的專用器具，如圖所示。國家技術監督局1995-04-18批準1995-12-01實施

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