538.39.220.99KB中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)CB/T.64954-1996idtIEc891,1987晶體硅光伏器件的I-V實(shí)測(cè)特性的溫度和輻照度修正方法Proceduresfortemperatureandirradiancecorrectionstomeasured/-Vcharacteristicsofcrystallinesiliconphotovoltaicdevices1996-07-09發(fā)布1997-01-01實(shí)施國(guó)家技術(shù)監(jiān)督局發(fā)布

GB/T6495.4-1996次前言IEC前言范圍修正方法溫度系數(shù)的測(cè)定4內(nèi)部串聯(lián)電阻的測(cè)定曲線(xiàn)修正系數(shù)的測(cè)定

GB/T6495.4-1996本標(biāo)準(zhǔn)等同采用IEC891：1987晶體硅光伏器件的7-V實(shí)測(cè)特性的溫度和輻照度修正方法》及其第1號(hào)修改單1992)。國(guó)際電工委員會(huì)第82技術(shù)委員會(huì)：太陽(yáng)光伏能源系統(tǒng)，于1987年至1989年間,先后發(fā)布了“光伏器件"方面的四項(xiàng)國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)。除本標(biāo)準(zhǔn)外，還有：IEC904-1:1987光伏器件第1部分：光伏電流-電壓特性的測(cè)量IEC904-2:1989光伏器件第2部分：標(biāo)準(zhǔn)太陽(yáng)電池的要求IEC904-3:1989光伏器件第3部分：地面用光伏器件的測(cè)量原理及標(biāo)準(zhǔn)光譜輻照度數(shù)據(jù)這四項(xiàng)國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)的主要內(nèi)容在原國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)GB6493一86《地面用標(biāo)準(zhǔn)太陽(yáng)電池》和GB6495-86《地面用太陽(yáng)電池電性能測(cè)試方法》中已不同程度地包含.為了盡快適應(yīng)國(guó)際貿(mào)易、技術(shù)和經(jīng)濟(jì)交流的需要，等同采用這四項(xiàng)國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)，轉(zhuǎn)化為我國(guó)標(biāo)準(zhǔn)是完全有基礎(chǔ)的，也是適時(shí)的。本標(biāo)準(zhǔn)由中華人民共和國(guó)電子工業(yè)部提出。本標(biāo)準(zhǔn)由全國(guó)太陽(yáng)光伏能源系統(tǒng)標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)歸口。本標(biāo)準(zhǔn)起草單位：西安交通大學(xué)。本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人：黃嘉豫等。

GB/T6495.4-1996IEC前言1）IEC(國(guó)際電工委員會(huì))在技術(shù)問(wèn)題上的正式?jīng)Q議或協(xié)議,是由對(duì)這些間題特別關(guān)切的國(guó)家委員會(huì)參加的技術(shù)委員會(huì)制定的,對(duì)所涉及的問(wèn)題盡可能地代表了國(guó)際上的一致意見(jiàn)。2）這些決議或協(xié)議，以推薦標(biāo)準(zhǔn)的形式供國(guó)際上使用，并在此意義上為各國(guó)家委員會(huì)所認(rèn)可。3）為了促進(jìn)國(guó)際上的統(tǒng)一,IEC希望各國(guó)家委員會(huì)在本國(guó)條件可能的情況下，采用IEC標(biāo)準(zhǔn)的文本作為其國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)。IEC標(biāo)準(zhǔn)與相應(yīng)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)之間的差異，應(yīng)盡可能在國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)中指明。本標(biāo)準(zhǔn)由IEC第82技術(shù)委員會(huì)：太陽(yáng)光伏能源系統(tǒng)制定。本標(biāo)準(zhǔn)文本以下列文件為依據(jù)六個(gè)月法表決報(bào)告82（C0)382（C0)7表決批準(zhǔn)本標(biāo)準(zhǔn)的詳細(xì)資料可在上表列出的表決報(bào)告中查閱。

中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)晶體硅光伏器件的7-V實(shí)測(cè)GB/T6495.-1996特性的溫度和輻照度修正方法idtIEc891:1987GB6495-ProceduresfortemperatureandirradianceCorrectionstomeasured/-Vcharacteristicsofcrystallinesiliconphotovoltaicdevices本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了作溫度和輻照度修正應(yīng)遵循的方法,僅適用于修正品體硅光伏器件的實(shí)測(cè)了-V特生范用本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了品體硅光伏器件的7V實(shí)測(cè)特性的溫度和輻照度修正方法，包括測(cè)定溫度系數(shù)、內(nèi)部串聯(lián)電阻和曲線(xiàn)修正系數(shù)。這些方法在測(cè)試所用輻照度的士30%范圍內(nèi)都能適用1這些方法僅適用于線(xiàn)性器件：2光伏器件包括單體太陽(yáng)電池·太陽(yáng)電池組合或平板式組件。各種不同的數(shù)據(jù)適用于各種器件。雖然組件（或電池組合）的溫度系數(shù)可通過(guò)測(cè)最單體電池計(jì)算出來(lái)，但應(yīng)注意·對(duì)組件或電池組合應(yīng)分別測(cè)量其內(nèi)部串聯(lián)電阻和曲線(xiàn)修正系數(shù)。3術(shù)語(yǔ)“試樣"用來(lái)表示這類(lèi)器件的任一種。修正方法實(shí)測(cè)的電流-電壓特性應(yīng)按照以下公式修正到標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試條件或另外選定的溫度和輻照度值。一1+@T.-T)V，=V，－Rs(l一1）－K1：(T－T）十β(T－T）式中：V實(shí)測(cè)特性點(diǎn)的坐標(biāo)；修正特性對(duì)應(yīng)點(diǎn)的坐標(biāo);He試樣的實(shí)測(cè)短路電流；標(biāo)準(zhǔn)太陽(yáng)電池的實(shí)測(cè)短路電流·在測(cè)量/時(shí)，如有必要應(yīng)對(duì)標(biāo)準(zhǔn)電池的溫度作修正；標(biāo)準(zhǔn)太陽(yáng)電池在標(biāo)準(zhǔn)的或其他想要的輻照度下的短路電流;試樣的實(shí)測(cè)溫度；標(biāo)準(zhǔn)溫度，或其他想要的溫度；Q和8試樣在標(biāo)準(zhǔn)