ICS31.080.30L42二中華人民共和國國家標準GB/T_6219—1998idtIEC747-8-1:1987QC750112半導體器件分立器件第8部分:場效應晶體管第一篇1GHz、5W以下的單柵場效應晶體管空白詳細規范Semiconductordevices-DiscretedevicesPart8：Eield-effecttransistorsSectionone--Blankdetailspecificationforsingle-gatefield-effecttransistorsupto5wand1GHz1998-11-17發布1999-06-01實施國家質量技術監督局發布

GB/T6219-1998本規范是等同采用國際標準IEC747-8-1:1987(半導體器件分立器件1GHz、5W以下的單柵場效應品體管空白詳細規范》第一版對GB/T6219一1986進行修訂的。本規范與前版的主要差別是增加了C1分組尺寸和C3分組轉矩的技術要求。本規范的附錄A是標準的附錄。本規范由中華人民共和國電子工業部提出。本規范由全國半導體器件標準化技術委員會歸口。本規范由電子工業部標準化研究所負責起草。本規范主要起草人：王長福、顧振球、鄧康、黃世杰。

GB/T6219-1998IEC前言1）IEC（國際電工委員會)在技術問題上的正式決議或協議，是由對這些問題特別關切的國家委員會參加的技術委員會制定的·對所涉及的問題盡可能地代表了國際上的一致意見。2）這些決議或協議，以推薦標準的形式供國際上使用，并在此意義上為各國家委員會所認可。3）為了促進國際間的統一,IEC希望各國家委員會在本國條件許可的情況下，采用IEC標準的文本作為其國家標準,IEC標準與相應國家標準之間的差異，應盡可能在國家標準中指明。本標準由國際電工委員會第47技術委員會(半導體器件)制定。本標準是1GHz、5W以下的單柵場效應品體管空白詳細規范.本標準文本以下列文件為依據：六個月法表決報告47C0)95847（C0)999和47（C0999A表決批準本標準的詳細資料可在上表所列的表決報告中查閥。本標準封面上的QC號是國際電工委員會電子元器件質量評定體系(IECQ)的規范號。本標準中引用的其他IEC標準：IEC68-2-17.1978基本環境試驗程序第2部分：試驗試驗Q:密封IEC191-2:1966半導體器件的機械標準化第2部分：尺寸(在修訂中)IEC747-2:1983，半導體器件分立器件第2部分：整流二極管IEC747-8:1984半導體器件分立器件第8部分：場效應品體管IEC747-10:1984半半導體器件第10部分：分立器件和集成電路總規范JEC747-11:1985華導體器件第11部分：分立器件分規范華導體器件IEC749:1984：機械和氣候試驗方法

中華人民共和國國家標準半導體器件分立器件第8部分：場效應品體管第一篇：1GHz、5W以下的單柵場GB/T6219-1998效應晶體管空白詳細規范idtIEC747-8-1:1987QC750112Semiconductordevices-Discretedevices代替GB/T6219-1986PartB：Field-effecttransistorsSectionne-Blankdetailspecificationforsingle-gatefield-effecttransistorsupto5wand1GHz引本空白詳細規范規定了制定1GHz、5W以下的單柵場效應品體管詳細規范的基本原則,制定該范圍內的所有詳細規范應與本空白詳細規范一致。本空白規范是與GB/T4589.1—1989《半導體器件分立器件和集成電路總規范》(IEC747-10：1984)和GB/T12560—1990《半導體器件分立器件分規范》(IEC747-11:1985)有關的一系列空白詳細規范中的一個。要求資料下列所要求的各項內容，應列入規定的相應空欄中。詳細規范的識別：「1】授權起草詳細規范的國家標準機構名稱。L2JIECQ詳細規范號。【3]總規范號和分規范號以及年代號.L4]詳細規范號、發布日期和國家體系要求的任何更多的資料器件的識別：157器件型號。【6典型結構和應用資料。如果設計一種器件滿足若千應用,則應在詳細規范中指出。這些應用的特性、極限值和檢驗要求均應子以滿足。如果器件對靜電敏感或含有害物質，例如氧化皺，則應在詳細規范中附加注意事項。【7外形圖和(或)引用有關的外形標準【8]質量評定類別。L9能在各器件型號之間比較的最重要特性的參考數據。【在方