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文檔簡介

半導體三極管有兩大類型，一是雙極型半導體三極管二是場效應半導體三極管雙極型半導體三極管場效應半導體三極管

雙極型半導體三極管是由兩種載流子參與導電的半導體器件，它由兩個PN結組合而成，是一種CCCS器件。

場效應型半導體三極管僅由一種載流子參與導電，是一種VCCS器件。2/5/20231.3.1BJT的結構及類型1.3雙極型晶體管（BJT）1.3.2BJT的電流分配與放大原理1.3.3BJT的共射特性曲線1.3.4BJT的主要參數半導體三極管圖片1.3.1BJT的結構簡介

半導體三極管的結構有兩種類型:NPN型和PNP型。兩種類型的三極管發射結(Je)

集電結(Jc)

基極，用B或b表示（Base）

發射極，用E或e表示（Emitter）；集電極，用C或c表示（Collector）。

發射區集電區基區三極管符號

結構特點：?發射區的摻雜濃度最高；?集電區摻雜濃度低于發射區，且面積大；?基區很薄，一般在幾個微米至幾十個微米，且摻雜濃度最低。管芯結構剖面圖雙極型半導體三極管在工作時一定要加上適當的直流偏置電壓。若在放大工作狀態：發射結加正向電壓（正偏），集電結加反向電壓（反偏）。1.3.2BJT的電流分配與放大原理

NPN型三極管基本共射放大電路：基極電流控制集電極電流1.3.2BJT的電流分配與放大原理一.晶體管內部載流子的運動

三極管的放大作用是在一定的外部條件控制下，通過載流子傳輸體現出來的。外部條件：發射結正偏，集電結反偏。發射區：發射載流子集電區：收集載流子基區：傳送和控制載流子

（以NPN為例）

擴散到基區的自由電子與空穴的復合形成基極電流IB

基區復合電流——IBN

發射結加正偏，擴散運動形成發射極電流IE。自由電子擴散電流——IEN

空穴擴散電流——IEP集電結(收集結加反向電壓，漂移運動形成集電極電流IC?；鶇^非平衡少子漂移電流——ICN

平衡少子漂移電流——ICBO。以上看出，三極管內有兩種載流子(自由電子和空穴)參與導電，故稱為雙極型三極管?；駼JT(BipolarJunctionTransistor)。二.電流分配關系(動畫2-1)IE=IC+IB三.共射電流放大系數

是交流電流放大系數，同樣，它也只與管子的結構尺寸和摻雜濃度有關，與外加電壓無關。一般

>>1因≈1,所以>>1由以上分析可知，發射區摻雜濃度高，基區很薄，是保證三極管能夠實現電流放大的關鍵。若兩個PN結對接，相當于基區很厚，所以沒有電流放大作用，基區從厚變薄，兩個PN結演變為三極管，這是量變引起質變的又一個實例。

綜上所述，三極管的放大作用，主要是依靠它的發射極電流能夠通過基區傳輸，然后到達集電極而實現的。實現這一傳輸過程的兩個條件是：（1）內部條件：發射區雜質濃度遠大于基區雜質濃度，且基區很薄。（2）外部條件：發射結正向偏置，集電結反向偏置。1.3.2

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